Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "thin-film laser" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Nonlinear optics of the thin-film quasiwaveguide amplifier: applications to directional switching in the optical communication systems
Autorzy:
Djotyan, G.P.
Arutunyan, V.M.
Bakos, J.S.
Sörlei, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308725.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
thin-film laser
directoral switching
four-wave mixing
optical communication systems
Opis:
We examine nonlinear optical effects in the active medium of the thin-film quasiwaveguide amplifier-oscillator with injection of the external signal. The injection locking has been obtained in the case when both the frequency and the direction of propagation of the injected signal differ from those for a free-running thin-film laser which offers a possibility for the frequency and directional switching of the output of the thin-film laser. The effects of four wave mixing and phase conjugation have been discussed in the active medium of the thin-film laser when additional mirrors forming an external resonator have been used.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 1-2; 20-23
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of Silicon Orientation on Thickness and Chemical Bonding Configuration of SiOxNy Thin Films
Autorzy:
Ismael, M. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/412157.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
Glass assisted CO2 laser
Silicon substrate
SiOxNy Thin Film
Opis:
Fourier Transform Infrared (FTIR) Spectroscopy and Capacitance-Voltage measurements are used to characterize the chemical bonding configuration and crystallographic orientations for SiOxNy thin films grown by glass assisted CO2 laser. FTIR spectra detected the Si-O and Si-N strongest absorption bands are close to each other at wave number in the range (700-1000 cm-1) depending on silicon substrates, and Si-O stretching bond at wave number around (~1088.285 cm-1) with a FWHM of 73.863 cm-1 for the two samples, the presences of hydrogen impurities like Si-H and N-H in the films were also identified and calculated. From C-V measurement film thickness were calculated and found to be 19.2 and 17.2 nm for SiOxNy/Si(111) and SiOxNy/Si(100) respectively. From the flat band voltage of -5.4 and -1.3 measured the two samples, their interface trap densities were found to be 1.4 × 1013 and 1.57 × 1013 ev-1•cm-2 respectively.
Źródło:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy; 2013, 14; 1-9
2299-3843
Pojawia się w:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Laser synthes and optimization of parameters of thin films and epitaxial layers of In4Se3, In4Te3
Autorzy:
Vorobets, G. I.
Strebezhev, V. V.
Tkach, V. M.
Vorobets, O. I.
Strebezhev, V. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/134893.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Tomasz Mariusz Majka
Tematy:
semiconductor thin film
epitaxial layer
laser treatment
indium selenide
indium telluride
Opis:
The influence of the modes of laser treatment on the structural-phase state and electrical properties of thin films and epitaxial layers In4Se3, In4Te3, as well as on the thin-film structures with Schottky barrier of type Au - In4Te3 (In4Se3) are investigated. Thin films In4Se3, In4Te3 received by pulsed laser deposition of stoichiometric homogeneous crystalline materials on a dielectric substrate. The epitaxial layers of In4Se3, In4Te3 were obtained by liquid phase epitaxy. Metal contacts are created by thermal spraying of the respective metals in a vacuum p 10-6 ÷ 10-7 Torr. For the correction of electrophysical characteristics of the studied structures the pulse laser irradiation (PLI) with 1,06 m, 1 ÷ 4 ms was used. The surface morphology of the films on various stages of formation of the structures was investigated by SEM and electron diffraction, and the phase composition was monitored by method X - ray spectral electron probe microanalysis. Study of IV characteristics of film contacts Me - In4Te3 (In4Se3) allowed further identify the phase transformation and the basic mechanisms of charge transport in barrier structures after PLI. Investigation of the spectral photosensitivity of film structures showed that under optimum conditions the laser correction can be obtained the shift of the spectral characteristics from 1,7÷1,8 microns to longer wavelengths. The investigated barrier structures may be promising for use as a photodetector for fiber optic communication lines.
Źródło:
Journal of Education and Technical Sciences; 2015, 2, 1; 5-8
2300-7419
2392-036X
Pojawia się w:
Journal of Education and Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination of the structural state and stability of the laser crystallized Cd1-xМnxTe crystal surface
Określenie postaci strukturalnej oraz stabilności powierzchni kryształu Cd1-xМnxTe krystalizowanej laserem
Autorzy:
Strebezhev, Victor
Yuriychuk, Ivan
Fochuk, Petro
Nichyi, Sergiy
Dobrovolsky, Yuriy
Tkachuk, Victoria
Sorokatyi, Mykola
Sorokatyi, Yurii
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408440.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
Cd1-xMnxTe crystal
surface
laser
thin film
kryształ Cd1-xMnxTe
powierzchnia
cienka powłoka
Opis:
The modified surface layers of the Cd1-xМnxTe crystals were obtained by the laser recrystallization of the crystal surface with the use of millisecond and nanosecond impulse ruby lasers. The determination and diagnostics of the layer structural state were performed by the study of the electron channeling patterns in the SEM. The AFM studies showed that mechanically stable contact regions within the CdTe crystal –Cu film system can be formed, depending on the laser energy density and beam defocusing. On the base of the ellipsometric studies, it was found that while irradiating the Cd1-xМnxTe crystal surface, the refractive index of the oxide film on the modified surface changes depending on the laser beam energy density, which can be interpreted as the formation of the oxides of the different chemical composition.
Zmodyfikowane warstwy wierzchnie kryształów Cd1-xМnxTezostały uzyskane metodą laserowej rekrystalizacji powierzchni kryształu przy wykorzystaniu impulsów milisekundowychi nanosekundowychlaserów rubinowych. Określenie i diagnostyka strukturalnej postaci powierzchni zostały wykonane metodą badania struktury kanałów elektronu SEM. Badania AFM wykazały,że mogą zostać wytworzoneobszary mechanicznie stabilnego obszaru kontaktowego kryształ CdTe –powłoka Cu,w zależności od skupienia energii laserowejoraz zdekoncentrowania wiązki. Na podstawie pomiarów elipsometrycznychodkryto,że podczas napromieniowywania powierzchni kryształu Cd1-xМnxTe, wskaźnik refrakcyjny powłoki tlenku na powierzchni zmodyfikowanej ulega zmianie w zależności od skupienia energii wiązki laserowej, co może być interpretowane,jako powstawanie tlenków o różnym składzie chemicznym.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 40-43
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charakterystyki spektroskopowe i odpornościowe przeciwlaserowych filtrów ochronnych
Spectroscopic and resistance characteristics of anti-laser protective filters
Autorzy:
Mierczyk, Z.
Mierczyk, J.
Kwaśny, M.
Kubicki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210126.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
promieniowanie laserowe
ochrona wzroku
filtry przeciwlaserowe
szkła filtrowe
stosy cienkowarstwowe
odporność energetyczna
laser radiation
eye protection
anti-laser filters
filter glass
thin-film layers
energetic resistance
Opis:
W artykule omówiono problematykę ochrony wzroku przed promieniowaniem laserowym oraz nowe rozwiązania przeciwlaserowych filtrów ochronnych opracowanych w Wojskowej Akademii Technicznej. Przedstawiono wyniki badań spektroskopowych i odporności energetycznej filtrów o różnej konstrukcji optycznej. W opracowaniu filtrów wykorzystano różne technologie materiałowe, w tym technologie wytopu szkieł krzemianowych i fosforanowych domieszkowanych różnymi domieszkami selektywnie pochłaniającymi promieniowanie w zadanym obszarze widmowym oraz technologie stosów cienkowarstwowych. Własności spektralne szkieł filtrowych zmodyfikowano interferencyjnymi pokryciami dielektrycznymi, uzyskując filtry selektywne na kilka długości fal, spełniające wymagania zwiększonej transmisji w obszarze widzialnym, podwyższonej odporności energetycznej i kontrastu widzenia oraz podnoszące komfort pracy przy dłuższym stosowaniu.
The article presents the problem of eye protection against laser radiation and new antilaser protection filters developed at the Military University of Technology. The results of spectroscopic investigations and tests of energetic protection of optical filters of various constructions are presented. Different material technologies were used for filters design, including the melting technologies of silicon and phosphate glass. The filter glasses were doped with the dopants selectively absorbing radiation in the given spectral range. Also the technologies of thin-layer piles were applied. Spectral properties of filter glass were modified with interference dielectric coatings. As a result, the filters selective at several wavelengths were obtained. Such filters fulfil the requirements of better transmission in a visible range, higher energetic resistance, better contrast and vision comfort of user operation during long-lasting applications.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2007, 56, 1; 189-205
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies