Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "thermal point defects" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Thermal defects in iron-based Fe-V solid solutions
Autorzy:
Chojcan, J.
Beliczyński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148884.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
dilute Fe-based alloys
Mössbauer spectroscopy
thermal point defects
vacancy formation
Opis:
Room temperature 57Fe Mössbauer spectra, positron annihilation lifetime data, X-ray diffraction patterns, and energy distributions of X-rays induced by an electron beam were measured for samples of the Fe0.947V0.053 solid solution quenched from different temperatures not exceeding 1250 K, into water being at about 295 K. The data were analysed in terms of concentration of unoccupied sites in the 14-site neighbourhood of the 57Fe Mössbauer probe in the specimens. It was found that the vacancy formation enthalpy amounts to 0.8 š 0.2 eV in the materials studied.
Źródło:
Nukleonika; 2003, 48,suppl.1; 17-20
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Peculiarities of neutron interaction with boron containing semiconductors
Autorzy:
Didyk, A. Y.
Hofman, A.
Szteke, W.
Hajewska, E.
Vlasukova, L. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148104.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
semiconductors
thermal neutrons
point defects
vacancies
damage concentration
thermal neutron fluence
cross-section of damage creation
fission fragments
lithium
helium
alfa-particles
diffusion of impurities
homogeneity of damage and active impurities
Opis:
Abstract. The results of point defect creation calculation in B4C, BN and BP semiconductor single crystals irradiated in the fast neutron reactor IBR-2 are presented. It has been shown that during the thermal neutron interaction with light isotope boron atoms (10B) the damage creation by means of fission nuclear reaction fragments (alfa-particles and 7Li recoil nuclei) exceeds the damage created by fast neutrons (En greater than 0.1 MeV) by more than two orders of value. It has been concluded that such irradiation can create a well developed radiation defect structure in boron-containing crystals with nearly homogeneous vacancy depth distribution. This may be used in technological applications for more effective diffusion of impurities implanted at low energies or deposited onto the semiconductor surface. The developed homogeneous vacancy structure is very suitable for the radiation enhanced diffusion of electrically charged or neutral impurities from the surface into the technological depth of semiconductor devices under post irradiation treatment.
Źródło:
Nukleonika; 2009, 54, 3; 163-168
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies