Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "symulacja obwodu" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
A Qucs/QucsStudio swept parameter technique for statistical circuit simulation
Autorzy:
Brinson, M. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397903.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
QucsStudio
Qucs
statistical circuit simulation
swept parameter lists
Verilog-A compact semiconductor device models
statystyczna symulacja obwodu
Verilog-A
Opis:
Qucs and QucsStudio open source circuit simulators have a wealth of built in swept data features, including facilities for linear and logarithmic scans of simulation variables and for setting component values and device parameters. These simulators also allow semicolon separated lists of numerical values to be used as swept data. This little known feature provides a very flexible mechanism for generating component and device parameter statistical data. An outline of a statistical circuit simulation technique is presented in this paper. The proposed technique can be used with any general purpose circuit simulator equipped with swept data capabilities and as such is suitable for the study of device and circuit performance resulting from variations in device parameters and component values. The operation of the proposed simulation technique is illustrated with the results from an investigation of the statistical performance of a simple MOS current mirror integrated circuit cell, modeled with a speed optimized Verilog-A version of a long channel EPFL_EKV v2.6 MOS transistor model.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2013, 4, 3; 92-97
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:
Angelov, G. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:
A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:
Angelov, G. V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric
Opis:
A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis and simulation modeling of programmable circuits using digital potentiometers
Autorzy:
Pandiev, I. M
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398071.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
mixed analogue digital integrated circuits
digital potentiometer
programmable circuits
frequency domain analysis
behavioral modelling
circuit simulation
analogowo-cyfrowe układy scalone
potencjometr cyfrowy
układy programowalne
analiza dziedziny częstotliwości
modelowanie behawioralne
symulacja obwodu
Opis:
In this paper an object of analysis and simulation modeling are the basic programmable circuits using CMOS digital potentiometers or Resistive Digital-to-Analog Converters (RDACs). Based on the analysis and principle of operation an improved SPICE-based behavioral model for RDAC potentiometers is created. The model accurately reflects resolution (wiper steps), nominal end-to-end resistance, wiper resistance, linear and nonlinear increment/decrement of the wiper, common-mode leakage current, operating bandwidth, analog crosstalk, temperature coefficients and noise effects. Model parameters are extracted for the dual RDAC potentiometer AD5235 from Analog Devices as an example. The workability of the proposed simulation model is verified by simulation modeling and experimental testing of sample electronic circuits.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 127-135
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies