Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "symulacja SPICE" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modelowanie obwodowe transformatora piezoelektrycznego w warunkach podwyższonych napięć i temperatur
Circuit modeling of a piezoelectric transformer under elevated voltage and temperature conditions
Autorzy:
Tomalczyk, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154446.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
transformator piezoelektryczny
nieliniowość
modelowanie obwodowe
symulacja SPICE
piezoelectric transformer
nonlinearity
circuit modeling
SPICE simulation
Opis:
Artykuł dotyczy modelowania obwodowego transformatorów piezoelektrycznych (PT) przy napięciach i temperaturach zbliżonych do panujących w rzeczywistych warunkach ich pracy. Typowe metody modelowania PT wykorzystują obwód zastępczy o stałych parametrach wyznaczanych przy niskim napięciu i temperaturze. W artykule potwierdzony został wpływ zarówno amplitudy napięcia wejściowego, jak i temperatury, na charakterystyki przejściowe PT. Aby uwzględnić stwierdzone zależności przy modelowaniu obwodowym PT, opracowana została metoda korekcji parametrów modelu PT uwzględniająca zmiany ich wartości w funkcji temperatury i napięcia wejściowego. Metoda ta pozwala uzyskać dużo lepszą zgodność wyników symulacji obwodowych z wynikami pomiarowymi w warunkach podwyższonych napięć i temperatur.
The paper refers to circuit modeling of piezoelectric transformers (PTs) operating under elevated voltage and temperature conditions. A PT is a resonant mechanical converter of electrical energy. Its characteristics (Fig. 1) are modeled by an equivalent circuit (Fig. 2) whose parameters are typically determined under low-voltage and low-temperature conditions and remain constant regardless of the model application. This approach is possibly erroneous due to the known temperature dependency and nonlinearities of piezoelectric materials. The temperature- and voltage-dependent variation of PT model parameters (Fig. 3) was determined by means of time domain measurements, which contrary to the widely used impedance analysis, allows high input voltages. A method for correction of the model parameters was established. Furthermore, the PT transfer characteristics were measured (Figs. 4 and 5) and compared to simulation results with and without the parameter correction (Fig. 6), showing considerable improvement in modeling accuracy with the new method applied.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 10, 10; 1206-1209
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of a Simple Method of CMOS IC Design for Yield Optimization
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Yakupov, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397989.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
CMOS
projektowanie pod kątem zysku
funkcja gęstości prawdopodobieństwa
dystrybuanta
modelowanie statystyczne
BPV
symulacja SPICE
design centering
design for yield
probability density function
cumulative distribution function
statistical modeling
BPV method
SPICE simulation
Opis:
A simple approach for CMOS integrated circuit (IC) design taking into account a process variability and oriented towards optimization of a parametric yield has been presented. Its concept is based on cumulative distribution functions of random variables representing IC performances subject to process variations. In the method it has been assumed that CMOS process statistical data are expressed in terms of so-called process parameter distributions. Thus the design centering is done via layout parameter tuning. The approach relies on maximizing the probability that random variables corresponding to IC performances remain within the performance boundaries. Also, a methodology for statistical characterization of CMOS process has been briefly described. Finally, the method operation has been illustrated using analytical and SPICE models of CMOS inverter, operational amplifier and ring oscillator.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 81-87
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies