Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "studnia kwantowa" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
    The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
    Autorzy:
    Wesołowski, M.
    Strupiński, W.
    Zynek, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Lenkiewicz, D.
    Kościewicz, K.
    Czołak, D.
    Nizel, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    epitaksja związków półprzewodnikowych
    technologia MOCVD
    struktura półprzewodnikowa
    struktura fotoniczna
    zastosowanie komputerów
    studnia kwantowa
    metody numeryczne
    Opis:
    Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
    Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
    Modeling of efficiency droop effect in GaN leds
    Autorzy:
    Cegielski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/160001.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    oświetlenie
    elektroliminescencja
    LED
    GaN
    InGaN
    wewnetrzna sprawność kwantowa
    studnia kwantowa
    rekombinacja
    spadek sprawności
    solid state lighting
    internal quantum efficiency
    quantum well
    recombination
    efficiency droop
    Opis:
    Pomimo rozwoju, który nastąpił w technologii wytwarzania białych elektroluminescencyjnych źródeł światła, w urządzeniach tych ciągle istotną ograniczającą rolę pełni zjawisko spadku sprawności generacji światła dla dużych gęstości prądu. Ponadto wciąż nierozpoznane dostatecznie są jego fizyczne podstawy. W referacie przedstawiono możliwe modele opisujące ten efekt, opierając się na dyskutowanych w literaturze hipotetycznych przyczynach: różnych rodzajach rekombinacji Augera, efektach termicznych, występowaniu silnych pól elektrycznych i asymetrii występowania nośników, itp. Poznanie potencjalnych powodów zjawiska spadku efektywności pozwoli na dalszy rozwój źródeł światła opartych na elektroluminescencji. Przełoży to się na niższy koszt uzyskania zamienników tradycyjnych źródeł światła i większe ich rozpowszechnienie, co w istotny sposób może ograniczyć wzrost światowego zużycia energii.
    Despite the development that occurred in the technology of white Light-Emitting Diodes, this devices are still limited by the phenomenon of the efficiency droop that occurs in light generation for large current densities. Moreover, its physical basis is still not sufficiently recognized. The paper presents possible models describing this effect, based on the hypothetical reasons discussed in the literature: different types of Auger recombination, thermal effects, the presence of strong electric fields and the occurrence of the asymmetry of carriers, etc. Knowing the potential reasons for the droop phenomenon will allow the further development of Solid State Light sources. This leads to lower cost retrofits or replacements of traditional light sources and greater their market penetration, which may significantly reduce global energy consumption increase.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 255; 7-18
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie centrów defektowych w heterostrukturach laserowych AlGaAsy GaAs ze studnią kwantową GaAsP
    Investigation of defect centres in laser heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kozubal, M.
    Kozłowski, R.
    Kozłowska, A.
    Teodorczyk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192180.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    heterostruktura laserowa
    centra defektowe
    studnia kwantowa
    warstwa falowodowa
    metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
    Opis:
    Metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w laserach heterozłączowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP emitujących promieniowanie o długości fali X = 808 nm. W warstwach falowodowych laserów wykryto 5 pułapek oznaczonych jako T1a, T1b, T2, T3 i T4 o energii aktywacji odpowiednio 205, 215, 370, 380 i 470 meV. Pułapki T1a (205 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) i T4 (470 meV) zidentyfikowane zostały jako pułapki elektronowe występujące w niedomieszkowanej warstwie falowodowej A10.35Ga0.65As typu n. Stwierdzono ponadto, że pułapki T2, T3, T4 są centrami DX zlokalizowanymi w otoczeniu o różnej konfiguracji atomowej, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy Al035Ga065As. W szczególności dominujące pułapki T3 (380 meV) są centrami DX zlokalizowanymi w sąsiedztwie jednego atomu A1 i dwóch atomów Ga. W laserach nie poddanych starzeniu koncentracja tych pułapek jest dwukrotnie większa od koncentracji pułapek T4 (470 meV), pięciokrotnie większa od koncentracji pułapek T1a (205 meV) i T2 (370 meV) oraz ponad trzykrotnie większa od koncentracji pułapek T1b (215 meV). W wyniku procesu starzenia najsilniej (ponad dwukrotnie) wzrasta koncentracja pułapek T2 (370 meV). W przybliżeniu dwukrotny wzrost koncentracji obserwowany jest również w przypadku pułapki T1a (205 meV). W obszarze studni kwantowej wykryto 3 pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji równą odpowiednio 200, 205 i 250 meV, które przypisano centrom DX zlokalizowanym w otoczeniu o różnej konfiguracji atomów arsenu i fosforu, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy GaAs0.9P0.1. W obszarze tym wykryto ponadto pułapki o energii aktywacji 310 meV, które związane są prawdopodobnie z rodzimymi defektami punktowymi generowanymi wskutek wspinania się dyslokacji nachylonych pochodzących od dyslokacji niedopasowania.
    Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to investigation of defect centres in heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well used for production of high-power laser diodes emitting the beam with the wavelength of 808 nm. In undoped A1035Ga065As cladding layers, five traps Tla(205 meV), T1b (215 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) and T4 (470 meV) were revealed. The traps T1a, T2, T3 and T4 were found to be electron traps located in the cladding layer of w-type. The latter three traps are related to DX centres surrounded by different atomic composition due to alloy fluctuation effect. The traps T3 (380 meV), identified as DX centres localized in the vicinity of one Al atom and two Ga atoms, are predominant and their concentration is two times higher than that of traps T4 (470 meV), five times higher than the concentrations of traps T1a (205 meV) and T2 (370 meV) and three times higher than the concentration of traps T1b (215 meV). As a result of the aging processes, a strong increase (more than twofold) in the concentration of traps T2 (370 meV) was observed. The concentration of trap T1a (205 meV) was also approximately doubled. In the quantum well layer of GaAs0.9P0.1, three electron traps with activation energies of 200, 205 and 250 were revealed. These traps are likely to be related to DX centres surrounded by different quantity of arsenic and phosphorus atoms due to alloy fluctuation effect. Moreover, a trap with the activation energy of 310 meV was detected. This trap is presumably related to a native defect resulting from climbing of inclined dislocations originated from the misfit dislocations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 5-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies