Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "straty dielektryczne" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Analiza strat dielektrycznych w transformatorze impulsowym
    Analysis of dielectric loss in pulse transformer
    Autorzy:
    Łyskawiński, W.
    Graczkowski, A.
    Pietrowski, W.
    Mikołajewicz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1372690.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    transformator impulsowy
    straty dielektryczne
    model polowy
    Opis:
    In the paper the mathematical model of coupled electromagnetic and thermal phenomena in the pulse transformer taking into account the magnetic hysteresis is presented. The model of transients in this transformer includes: the equation of the electromagnetic field, the equations of electric circuits and heat conduction equation. For the mapping of magnetic hysteresis Jiles-Atherton model is applied. In order to solve these equations the finite element method (FEM), "step-by-step" procedure and Newton-Raphson process are used. Based on the resulting distribution of potentials on the wires of windings and dielectic parameters of winding insulation determined from measurements were calculated dielectric losses. Developed software was used to the analysis of dielectric losses in pulse transformer.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2011, 4, 92; 163-168
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology and electrophysical properties of multiferroic PZT–PFT ceramics
    Technologia i właściwości elektrofizyczne multiferroikowej ceramiki typu PZT-PFT
    Autorzy:
    Niemiec, P.
    Skulski, R.
    Bochenek, D.
    Wawrzała, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352057.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    dielectric losses
    ferroelectromagnetics
    multiferroics
    PZT-PFT solid solution
    straty dielektryczne
    ferroelektromagnetyki
    multiferroiki
    roztwory stałe PZT-PFT
    Opis:
    We present the results of obtaining and investigating ceramic samples of solid solution (1-x)(PbZr0.53Ti0.47O3)- x(PbFe0.5Ta0.5O3) [i.e. (1-x)PZT-xPFT] with x=0.25, 0.35 and 0.45 obtained using conventional ceramic technology. These materials belong to class of materials known as multiferroics. Solid solutions PZT-PFT are the lowest-loss room-temperature multiferroics known, and as a result there are very interesting for magnetoelectric devices. Paper presents the results of termogravimetric investigations, EDS, XRD and main dielectric measurements. It has been stated that with increasing content of PFT decreases the mean diameter of grains and more wide distribution of grain diameters is observed. For x=0.25 sharp phase transition from ferroelectric phase to paraelectric one is observed and high values of dielectric permittivity. Composition PZT-PFT with x=0.45 has the lowest values of dielectric permittivity, and the transition is more diffused. The increase of x leads also to the shift of the temperature of maximum of dielectric permittivity towards lower temperatures. Samples with x=0.25 and x=0.35 exhibit very low values of dielectric losses up to about 100°C. Dielectric losses for samples with x=0.45 are higher. For obtained PZT-PFT samples we have investigated P-E hysteresis loops at room temperature for frequency 1 Hz. For composition x =0.25 it after application the field about 2.5 kV/mm polarization is equal approximately 28 μC/cm2, while for x=0.35, and x=0.45 after application the field about 2.0 kV/mm the polarizations are equal about 25 μC/cm2 and 20 μC/cm2 respectively. Very low values of losses and high values of polarization lead to the conclusion that interesting material PZT-PFT for applications should be composition with x=0.25.
    Prezentujemy wyniki otrzymywania i badania próbek ceramicznych roztworu stałego (1-x)(PbZr0.53Ti0.47O3)- x(PbFe0.5Ta0.5O3) [i.e. (1-x)PZT-xPFT] , gdzie x=0,25; 0,35 i 0,45. Próbki zostały otrzymane przy użyciu konwencjonalnej technologii ceramicznej. Materiały te należą do klasy materiałów, znanych jako multiferroiki. Roztwory stałe PZT-PFT są obecnie multiferroikami o najniższych stratach dielektrycznych w temperaturze pokojowej i w efekcie są bardzo interesujące dla urządzeń magnetoelektrycznych. Artykuł przedstawia wyniki badań termograw i metrycznych, EDS, XRD i podstawowych pomiarów dielektrycznych. Stwierdzono, że wraz ze wzrostem zawartości PFT zmniejsza się średnia średnica ziaren i obserwuje się bardziej szeroki rozkład średnic ziaren. Dla wartości x=0,25 obserwujemy ostre przejście z fazy ferroelektrycznej do fazy paraelektrycznej, przy czym wartość przenikalności elektrycznej w maksimum jest wysoka. Skład PZT-PFT x=0,45 ma najniższą wartość przenikalności elektrycznej w maksimum i przejście jest bardziej rozmyte. Wzrost x prowadzi również do obniżenia temperatury, w której występuje maksymalna wartość przenikalności elektrycznej. Próbki z x =0,25 i x =0,35 wykazują bardzo niskie wartości strat dielektrycznych do około 100°C. Straty dielektryczne dla próbek z x=0,45 są wyższe. Dla otrzymanych próbek PZT-PFT zostały wykonane również badania pętli histerezy P-E w temperaturze pokojowej z użyciem pola o częstotliwości 1 Hz. Do składu x=0,25 w polu elektrycznym o wartości 2,5 kV/mm polaryzacja jest równa około 28 μC/cm2, a dla x=0,35 i x=0,45 w polu o wartości 2,0 kV/mm polaryzacja jest równa około 25 μC/cm2 i 20 μC/cm2 odpowiednio. Bardzo niskie wartości strat i wysokie wartości polaryzacji prowadzą do wniosku, że ciekawym materiałem dla aplikacji jest skład x=0,25.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1361-1364
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Internal Friction and Youngs Modulus Measurements on SiO2 and Ta2O5 Films Done with an Ultra-High Q Silicon-Wafer Suspension
    Badania tarcia wewnętrznego i modułu Younga w warstwach SiO2 i Ta2O5 przeprowadzone w układzie zawierającym mocowanie próbki w postaci wafli krzemowych, które charakteryzuje się skrajnie wysoką wartością parametru Q
    Autorzy:
    Granata, M.
    Balzarini, L.
    Degallaix, J.
    Dolique, V.
    Flaminio, R.
    Forest, D.
    Hofman, D.
    Michel, C.
    Pedurand, R.
    Pinard, L.
    Sassolas, B.
    Straniero, N.
    Teillon, J.
    Cagnoli, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355448.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ultra low loss suspensions
    Q measurements
    optical dielectric coatings
    silica
    tantala Ta2O5
    thin films
    niskie straty układu zawieszenia
    pomiar Q
    optyczne powłoki dielektryczne
    krzemionka
    tantal Ta2O5
    cienkie warstwy
    Opis:
    In order to study the internal friction of thin films a nodal suspension system called GeNS (Gentle Nodal Suspension) has been developed. The key features of this system are: i) the possibility to use substrates easily available like silicon wafers; ii) extremely low excess losses coming from the suspension system which allows to measure Q factors in excess of 2×108 on 3” diameter wafers; iii) reproducibility of measurements within few percent on mechanical losses and 0.01% on resonant frequencies; iv) absence of clamping; v) the capability to operate at cryogenic temperatures. Measurements at cryogenic temperatures on SiO2 and at room temperature only on Ta2O5 films deposited on silicon are presented.
    Aby umożliwić prowadzenie badań tarcia wewnętrznego (Q-1 ) w cienkich warstwach opracowano węzłowy układ zawieszenia o nazwie GeNS (Gentle Nodal Suspension). Do najważniejszych cech charakterystycznych tego układu zaliczamy: i) możliwość wykorzystania łatwo dostępnych substratów, takich jak wafle krzemowe; ii) bardzo niskie straty nadmiarowe pochodzące z samego układu zawieszenia, co umożliwia pomiar wielkości Q przekraczających wartość 2×108 na waflach o średnicy 3”; iii) powtarzalność wyników pomiarów strat mechanicznych w zakresie kilku procent, a częstotliwości rezonansowej w zakresie 0,01%; iv) brak mocowań próbki; v) możliwość prowadzenia pomiarów w temperaturach kriogenicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów uzyskanych w temperaturach kriogenicznych dla SiO2 i przy temperaturze pokojowej dla warstw Ta2O5 osadzonych na krzemie.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 365-370
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies