Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "spiral inductors" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Automated parameter extraction of geometry dependent RF planar inductor model
Autorzy:
Durev, V. P.
Gadjeva, E. D.
Hristov, M. H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397835.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
spiralne płaskie induktory
model RF
parametr ekstrakcji
S-parametry
genetyczny algorytm
planar spiral inductors
RF model
parameter extraction
S-parameters
genetic algorithm
Opis:
An approach is proposed in the present paper to parameter extraction of geometry dependent RF planar spiral inductor model. A direct extraction procedure is developed and realized in the Cadence PSpice and Cadence Probe environment based on the measured two-port S-parameters. To minimize the error for the full range of operation a Genetic Algorithm (GA) optimization procedure is applied in MATLAB environment. The approach is useful in RF model design, as the S-parameters can be easily measured for a given microelectronic technology. The proposed model extraction approach is characterized by a very good accuracy.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 257-262
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of wide-band geometry dependent RF planar spiral inductor SPICE model
Autorzy:
Gadjeva, E. D.
Hristov, M. H.
Durev, V. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398080.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
model komputerowy
spiralne płaskie induktory
symulacja PSpice
modele skalowalne
współczynnik dobroci
computer models
planar spiral inductors
PSpice simulation
scalable models
Q factor
Opis:
Parameterized wide-band geometry dependent SPICE models for oil-chip planar spiral inductors are developed in the paper. Model descriptions are presented in the form of PSpice model and in schematic view. The models are realized in the Cadence Capture and Cadence PSpice environment. The developed computer models can be used For adequate computer modeling and simulation of RF circuits. The geometry dependence of the model parameters allows geometry optimization and design automation of spiral inductors. The simulation results are compared to the measurement data for the model verification demonstrating the validity of the computer models.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 2; 39-43
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Termowizyjne badania spiralnych cewek scalonych w technologiach krzemowych
Thermal measurements of silicon integrated spiral inductors
Autorzy:
Kałuża, M.
Więcek, B.
Hatzopoulos, A.
Chatziathanasiou, V.
Papagiannopoulos, I.
De May, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157639.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
spiralne cewki scalone
modelowanie
badania termowizyjne
thermographic measurements
spiral inductors
modeling
Opis:
Spiralne cewki scalone stanowią szczególny przypadek połączenia wewnątrzukładowego w układach scalonych. Pozwalają na bezpośrednią integrację indukcyjności w strukturach półprzewodnikowych, w standardowych technologiach CMOS/BiCMOS, bez konieczności wykonywania dodatkowych procesów technologicznych, dodatkowych fotomasek, a tym samym, bez zwiększania kosztów produkcji. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań termowizyjnych spiralnych pojedynczej spiralnej cewki scalonej w technologii krzemowej i ich porównanie z wynikami symulacji.
Spiral inductors are a special case of on-chip interconnects used in integrated circuits. They enable direct integration of inductances in semiconductor structures, in standard CMOS/BiCMOS technologies, without the need of additional technological processes, additional photomasks, thus without increase in ICs production costs. Because of their relatively large sizes compared to other elements integrated on a semiconductor wafer, spiral inductors can became a source of nonnegligible interferences for neighboring circuits located on the same semiconductor structure. According to the Joule-Lenz law, a current flowing through a metal produces heat. A spiral inductor is a metal interconnect conveying current, thus one can expect that the current flowing through the spiral will heat it, changing its series resistance and changing one of the inductor key design parameters - its quality factor Q. The neighboring circuits can also be affected. So far there have hardly been any publications dealing with that subject. The goal of the research was to investigate the thermal behavior of silicon integrated spiral inductors under current stress. In the introduction, an overview of spiral inductors is presented, including their typical geometries, dimensions and applications. The second section of the paper discusses the problems of silicon integrated spiral inductor model-ing. Next, in the third section there are given the results of temperature measurements of one of the spiral inductors integrated in test circuits. A MWIR camera with a cooled InSb 640x512 pixel detector matrix was used. The measurements are compared with simulation results. The fourth section presents the conclusions drawn from the measurement results. The measurement setup used allowed the imaging of a single spiral inductor, while only a general view of the test circuit was obtained form the previous results, without the possibility to discern a single, individual spiral inductor. It is shown that there is a good agreement between the simulations and measurements. Further investigations will be required to overcome the problems encountered during the measurements, such as influence of the on-wafer probes, the order of magnitude emissivity difference between the silicon substrate and aluminum interconnects. More complicated spiral geometries will have to be investigated, especially micromachined spiral inductors, in which the inductor is suspended, and typically connected to the rest of the integrated circuit only with 4 narrow SiO2 made bridges.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 11, 11; 954-957
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies