Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "silicon crystals" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    The Effect of Cooling Rate on Properties of Intermetallic Phase in a Complex Al-Si Alloy
    Autorzy:
    Tupaj, M.
    Orłowicz, A. W.
    Mróz, M.
    Trytek, A.
    Markowska, O.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/380384.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    alloy Al-Si
    intermetallic phase
    cooling rate
    silicon crystals
    stop Al-Si
    faza międzymetaliczna
    szybkość chłodzenia
    kryształy krzemu
    Opis:
    The cooling rate is one of the main tools available to the process engineer by means of which it is possible to influence the crystallisation process. Imposing a desired microstructure on a casting as early as in the casting solidification phase widens significantly the scope of technological options at disposal in the process of aluminium-silicon alloy parts design and application. By changing the cooling rate it is possible to influence the course of the crystallisation process and thus also the material properties of individual microstructure components. In the study reported in this paper it has been found that the increase of cooling rate within the range of solidification temperatures of a complex aluminium-silicon alloy resulted in a decrease of values of the instrumented indentation hardness (HIT) and the instrumented indentation elastic modulus (EIT) characterising the intermetallic phase occurring in the form of polygons, rich in aluminium, iron, silicon, manganese, and chromium, containing also copper, nickel, and vanadium. Increased cooling rate resulted in supersaturation of the matrix with alloying elements.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2016, 16, 3; 125-128
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
    Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
    Autorzy:
    Kamiński, P.
    Kwestarz, M.
    Surma, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    wysokorezystywne monokryształy krzemu
    FZ
    domieszkowanie azotem
    high-resistivity silicon single crystals
    nitrogen doping
    Opis:
    W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
    This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    LCoS spatial light modulators as active phase elements of full-field measurement systems and sensors
    Autorzy:
    Kujawinska, M.
    Porras-Aguilar, R.
    Zaperty, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221745.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    spatial light modulators
    liquid crystals on silicon
    phase modulation
    optical metrology
    active interferometry
    active microscopy
    digital holography
    Opis:
    Spatial light modulators (SLM) are devices used to modulate amplitude, phase or polarization of a light wave in space and time. Current SLMs are based either on MEMS (micro-electro-mechanical system) or LCD (liquid crystal display) technology. Here we report on the parameters, trends in development and applications of phase SLMs based on liquid crystal on silicon (LCoS) technology. LCoS technology was developed for front and rear projection systems competing with AMLCD (active matrix LCD) and DMD (Digital Mirror Device) SLM. The reflective arrangement due to silicon backplane allows to put a high number of pixels in a small panel, keeping the fill-factor ratio high even for micron-sized pixels. For coherent photonics applications the most important type of LCoS SLM is a phase modulator. In the paper at first we describe the typical parameters of this device and the methods for its calibration. Later we present a review of applications of phase LCoS SLMs in imaging, metrology and beam manipulation, developed by the authors as well as known from the literature. These include active and adaptive interferometers, a smart holographic camera and holographic display, microscopy modified in illuminating and imaging paths and active sensors.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 3; 445-458
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Materials Properties of Iron-rich Intermetallic Phase in a Multicomponent Aluminium-Silicon Alloy
    Autorzy:
    Tupaj, M.
    Orłowicz, A. W.
    Mróz, M.
    Trytek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/381828.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    alloys Al-Si
    intermetallics phase
    Fe-rich
    primary crystals
    silicon
    stopy Al-Si
    faza międzymetaliczna
    wzbogacanie żelazem
    kryształy pierwotne
    krzem
    Opis:
    Available technical literature includes a number of reports on harmful effects connected with elevated content of iron in aluminium-silicon alloys but in case of pressure castings, alloys containing up to 2% Fe can be used. This follows from lesser susceptibility of such alloys to sticking to surfaces of metal moulds. One effect of iron presence in aluminium-silicon alloys is precipitation of iron-rich intermetallic phases. In the study reported in this paper it has been found that in a multicomponent aluminium-silicon alloy, the indentation hardness (HIT) and the elastic indentation modulus (EIT) of intermetallic phases occurring in the form of polyhedrons and/or their conglomerates, rich in aluminium, iron, silicon, manganese, and chromium, containing also copper, nickel, and vanadium, are higher than those measured for silicon crystals. This feature can be used to intentional modelling microstructure of mechanical parts which are expected to show high resistance to abrasive wear.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2015, 15, 1 spec.; 111-114
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hipotezy biogenezy krzemowej a zagadnienie elementarnej jednostki życia. Część I: Sedlaka hipoteza „silicydów” i Cairns-Smitha hipoteza „mineralnych genów”
    The Hypotheses of Silicon Biogenesis and the Problem of the Elementary Unit of Life. Part I: Sedlak’s Hypothesis of “Siliceous Life Forms” and Cairns-Smith’s Hypothesis of “Mineral Genes”
    Autorzy:
    Wnuk, Marian
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2082409.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Uniwersytet Zielonogórski. Instytut Filozofii
    Tematy:
    mineralne początki życia
    życie oparte na krzemie
    hipoteza „kryształów jako genów”
    Włodzimierz Sedlak
    Alexander Graham Cairns-Smith
    mineral origins of life
    silicon-based life
    “crystals-as-genes” hypothesis
    Opis:
    W artykule przedstawiono problem modelowania minimalnego systemu żywego z punktu widzenia hipotez mineralnych początków życia. Szczególną uwagę poświęcono hipotezom sformułowanym przez Włodzimierza Sedlaka (krzemowe formy życia) i przez Alexandra Grahama Cairns-Smitha (mineralny „gen”). Wskazano na możliwość rekonstrukcji nowego modelu elementarnej jednostki życia. Dokonano przeglądu piśmiennictwa dotyczącego tej problematyki.
    The problem of the modeling of a minimal living system is presented from the viewpoint of the hypotheses of mineral origins of life. Special attention is paid to the hypotheses formulated by Włodzimierz Sedlak (siliceous life forms) and by Alexander Graham Cairns-Smith (the mineral “gene”). The possibility of the reconstruction of a new model of elementary unit of life is suggested. The significant works concerning above problems have been reviewed.
    Źródło:
    Filozoficzne Aspekty Genezy; 2019-2020, 16-17; 19-45
    2299-0356
    Pojawia się w:
    Filozoficzne Aspekty Genezy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies