Temat: semiconductor element - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Zwiększenie częstotliwości łączeń w falownikach dzięki nowym elementom półprzewodnikowym z węglika krzemu (SiC)
Autorzy:: Zdanowski, M.
Sobieski, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/302847.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Wydawnictwo Druk-Art
Tematy:: falownik
element półprzewodnikowy
węglik krzemu
inverter
semiconductor element
silicon carbide
Opis:: Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.
Źródło:: Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 3; 22-24
1507-7764
Pojawia się w:: Napędy i Sterowanie
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analysis of instantaneous power components of electric circuit with a semiconductor element
Autorzy:: Zagirnyak, M.
Kalinov, A.
Maliakova, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/141428.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: semiconductor element
instantaneous power
equations of instantaneous power orthogonal components balance
Opis:: Both a classical instantaneous power method and a method based on equations of instantaneous power orthogonal components balance have been used to analyze power processes in electric circuits with semiconductor elements. Automated method of forming instantaneous power harmonic components was used to obtain analytical expressions and numerical values of instantaneous power components of analyzed electric circuits. A coefficient for estimation of a semiconductor converter nonlinearity degree has been offered.
Źródło:: Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 3; 473-486
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:: Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja