Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "semiconductor diode" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu
    Temperature measurement of diode junction during their operation based on thermogram
    Autorzy:
    Dziarski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266564.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    szacowanie wartości temperatury
    dioda krzemowa
    półprzewodniki
    termowizja
    measurement of temperature
    semiconductor diode
    thermovision
    Opis:
    W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.
    When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2018, 59; 47-50
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    How to enhance a room-temperature operation of diode lasers and their arrays
    Autorzy:
    Sarzała, R. P.
    Sokół, A. K.
    Kuc, M.
    Nakwaski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174004.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    diode laser
    thermal management
    thermal crosstalk
    semiconductor arrays
    Opis:
    A key problem to be solved during designing productive diode lasers and their lasing arrays is their proper thermal management enabling efficient high-power operation. Strictly speaking, the above demand leads to optimization of their structures to enhance lasing performance for high operation currents. It is well-known that deterioration of laser performance is mostly induced by excessive temperature increases within their volumes. In diode-laser arrays, additionally thermal crosstalk between array emitters should be taken into account. In the present paper, physics of heat-flux generation within the laser-diode volume and its extraction from it is analysed and described with the aid of our self-consistent simulation procedure. Then their thermal optimization is discussed including a proper design of a heat-flux generation within the laser volume, enhancement of its transport towards a laser heat-sink and, additionally in laser arrays, reduction of a thermal crosstalk between individual array emitters. The analysis is carried out using modern nitride edge-emitting ridge-waveguide lasers and their one-dimensional arrays as well as arsenide semiconductor disk lasers as typical examples of modern diode-laser designs. Physical processes responsible for heat-flux generation within these devices and heat-flux extraction from their volumes are analysed and an impact of some construction details on these processes is explained.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 213-226
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of technology of diode laser mirror processing to maximize the threshold of catastrophic optical degradation
    Autorzy:
    Dąbrowska, Elżbieta
    Teodorczyk, Marian
    Szymański, Michał
    Maląg, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1835816.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    laser diode
    catastrophic optical damage
    COD
    laser mirror
    semiconductor surface passivation
    optical coating
    electroluminescence
    Opis:
    In this paper, optimization works on the technology of passivation and optical coatings of laser diode facets are described. The main goal is to increase the optical power at which the catastrophic optical mirror damage occurs. The coatings and passivation processes have been done in an ion source-aided electron-beam evaporator. The essence of passivation was to remove native oxides and produce a native thin nitride layer with simultaneous saturation of the dangling atomic bonds. The procedure has been realized with the help of nitrogen or forming gas (N2 + H2) beam. As a result, we present sets of technological parameters allowing to increase the catastrophic optical mirror damage threshold of diode lasers.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 4; 593-607
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical control of semiconductor synchronized microwave oscillators in the power suppression mode
    Autorzy:
    Usanov, D.A.
    Skripal, A.V.
    Abramov, A.V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309231.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    synchronizacja
    sterowanie optyczne
    generator mikrofalowy
    dioda Gunna
    optical control
    synchronization
    semiconductor microwave oscillator
    Gunn diode
    Opis:
    The influence of optical radiation on the performance of the synchronized microwave Gunn-diode oscillator in the coherent signals subtraction mode has been described theoretically and investigated experimentally. The high sensitivity of the oscillator characteristics to the change of the optical intensity affecting the semiconductor diode structure has been shown. It is suggested to use this mode for the creation of optoelectronic microwave systems with the controlled amplitude and phase of the output signal and for the high-accuracy indication of optical radiation.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2003, 1; 30-35
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A diode-pumped high-repetition-frequency passively Q-switched Nd:LaMgAl11O19 laser
    Autorzy:
    Xu, Yan
    Gao, Ziye
    Xia, Guangqiong
    Wu, Zhengmao
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1835801.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    Nd:LaMgAl11O19 disordered crystal
    Q-switched laser
    high pulse repetition frequency
    PRF
    semiconductor saturable absorber mirror
    SESAM
    laser diode
    LD
    Opis:
    High-repetition-frequency Q-switched laser is realized through adopting a Nd:LaMgAl11O19 (Nd:LMA) disordered crystal as the gain material, a laser diode lasing at 796 nm as the pumped source, and a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) as the Q-switched device. The out-put characteristics are analyzed under using different transmittance T plane mirrors as an output coupler. Without adopting SESAM, the laser is operating at a CW state, and a relatively high transmittance is helpful for achieving high output power, slope efficiency and light-to-light efficiency. ForT = 7.5% and an absorbed power of 6.17 W, the output power arrives at its maximum of 1160 mW,and the corresponding slope efficiency and light-to-light efficiency are 20.71% and 18.78%, respectively. After introducing SESAM into the cavity, the laser operates at a passively Q-switched state, and the largest slope efficiency is 13.14% under T = 5.0%. Adopting five different output couplers, with the increase of the absorbed power, the pulse repetition frequencies, the pulse energies and the peak powers will ascend while the pulse widths will decline. The observed narrowest pulse width, the maximum pulse repetition frequency, the highest pulse energy and peak power are 1.745 μs, 175.88 kHz, 3.21 μJ and 1.84 W, respectively.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2020, 50, 3; 415-423
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies