Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "semiconductor detectors" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Prototyp układu scalonego z dwustopniowym przetwarzaniem impulsu dla potrzeb niskomocowego pomiaru czasu wystąpienia zdarzenia i amplitudy ładunku wejściowego
Low power prototype of the integrated circuit with dual-stage pulse processing for time and amplitude measurement
Autorzy:
Kasiński, K.
Kłeczek, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408856.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
specjalizowane układy scalone
detektory półprzewodnikowe
wzmacniacz ładunkowy
application specific integrated circuits
semiconductor detectors
charge-sensitive amplifiers
Opis:
Artykuł prezentuje prototyp układu scalonego ASIC przeznaczonego do współpracy z krzemowymi detektorami o dużej pojemności. Mierzonymi wartościami są czas wystąpienia zdarzenia jak i ilość zdeponowanego ładunku. Celem zaprojektowanego układu jest obserwacja wpływu pojemności detektora (do kilkudziesięciu pF) na pracę i parametry dwustopniowego układu elektroniki front-end opartego koncepcyjnie o metodę przetwarzania typu Time-over-Threshold.
This paper presents the prototype of the application specific integrated circuit designed for a silicon detector with large capacitance. The measured quantities are: the interaction time and the deposited charge. The aim of this project is to observe the influence of increasing sensor capacitance (up to tens of pF) on operation and performance of the dual-stage analog front-end electronics based on the concept of the Time-over-Threshold processing method.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 1; 72-75
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HgCdTe energy gap determination from photoluminescence and spectral response measurements
Autorzy:
Murawski, Krzysztof
Kopytko, Małgorzata
Madejczyk, Paweł
Majkowycz, Kinga
Martyniuk, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204344.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
infrared detectors
HgCdTe
photoluminescence
spectral responsivity
semiconductor energy gap
Opis:
The temperature dependence of photoluminescence spectra has been studied for the HgCdTe epilayer. At low temperatures, the signal has plenty of band-tail states and shallow/deep defects which makes it difficult to evaluate the material bandgap. In most of the published reports, the photoluminescence spectrum containing multiple peaks is analyzed using a Gaussian fit to a particular peak. However, the determination of the peak position deviates from the energy gap value. Consequently, it may seem that a blue shift with increasing temperature becomes apparent. In our approach, the main peak was fitted with the expression proportional to the product of the joint density of states and the Boltzmann distribution function. The energy gap determined on this basis coincides in the entire temperature range with the theoretical Hansen dependence for the assumed Cd molar composition of the active layer. In addition, the result coincides well with the bandgap energy determined on the basis of the cut-off wavelength at which the detector response drops to 50% of the peak value.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2023, 30, 1; 183--194
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies