Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "ruchliwość elektronów" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296486.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
tetracen
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
tetracene
electron mobility
hole mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 47-64
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in amorphous anthrone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antronu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296490.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
antron bezpostaciowy
electron mobility
carrier transport
amorphous anthrone
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous anthrone layers Enthrone (C14H10O) is the molecular crystal. The anthrone molecules due to theirs asymmetry posses permanent dipole moment, µ = 1.22 10-29 Cm. The anthrone samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with lower substrate temperatures. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results shows the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Either obtained mobility value , less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level do not permit state unambiguously if we are here with hopping transport mechanism, or with the band transport with participation of the trapping states.
Badano proces transportu elektronów w warstwach. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie zarówno transportu hoppingowego, jak i transportu w paśmie z udziałem pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 65-72
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dispersive charge transport in hopping systems under open-circuit conditions: computer simulation
Dyspersyjny transport ładunku w układach przeskokowych w warunkach obwodu otwartego: symulacja komputerowa
Autorzy:
Bąk, G. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296536.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
ruchliwość dryftowa elektronów
transport dyspersyjny
low-mobility materials
dispersive transport
Opis:
Applicability of the theories describing the discharge in thin-film insulators under open-circuit conditions for dispersive hopping systems is the subject of this paper. It is shown by means of computer simulation that the drift mobility obtained from application of the theories for such systems is underestimated. The computer simulation was carried out for a thin film system in which the charge transport is dominated by hopping of charge carriers among localized states in a narrow band at the Fermi level. The way of interpretation of the discharge under opencircuit conditions in such systems is suggested. The simulation results have also been applied for interpretation of the open-circuit discharge in thin diamond-like carbon films.
Badano stosowalność teorii opisujących rozładowanie cienkich warstw izolatorów z przeskokowym transportem ładunku w warunkach obwodu otwartego. Pokazano, że wartości ruchliwości otrzymane w wyniku zastosowania tych teorii do układów dyspersyjnych są niedoszacowane. Symulację wykonano dla układów, w których transport przeskokowy odbywa się w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Otrzymane wyniki zastosowano do reinterpretacji wyników badań ruchliwości w warstwach DLC.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 5-17
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge carrier conductivity mechanism for activated tetracene layers
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296528.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
warstwa tetracenu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
tetracene films
polycrystalline
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2008, 29; 45-56
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
Przewodnictwo zależne od kanału zderzeń aktywnych w adsorpcji etanolu do cienkich warstw acenów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296432.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
materiały polikrystaliczne
warstwa tetracenu
warstwa p-kwaterfenylu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
polycrystalline
tetracene films
p-quaterphenyl films
activation process
electron mobility
hole mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 65-72
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296452.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
amorficzne warstwy antrachinonu
ruchliwość dryftowa elektronów
transport nośników ładunku
amorphous antrachinone films
electron drift mobility
carrier transport
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 43-50
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimension organics
Prądy wzmocnione wpływem absorpcji w cienkich warstwach niskowymiarowych związków organicznych
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296412.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
cienkie warstwy
warstwa tetracenu
p-czterofenyl
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
thin films
tetracene films
p-quaterphenyl films
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may approve chemisorption's mechanism with hydrogen bonding.
Kinetyka aktywacji etanolem cienkich warstw dwu niskowymiarowych przedstawicieli aligo-acenów i oligo-fenylenów (tetracen i p-kwaterfenyl) wskazuje, jako dominujący mechanizm modulacji przewodnictwa warstw, mechanizm absorbcji powierzchniowej. Zderzenia aktywne molekuł alkoholu z adsorbowanymi jonami alkoholu mogą powodować odświeżenie powierzchni absorbującej i zwiększenie szybkości kinetyki.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 23-30
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport processes in thin films induced with absorption for two aromatic hydrocarbons
Transport ładunku w cienkich warstwach indukowany absorpcją dla dwu aromatycznych węglowodorów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296454.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
cienkie warstwy
warstwa tetracenu
warstwa p-czterofenylu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
thin film
tetracene film
p-quaterphenyl film
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
Transport processes enhanced by absorption of the volatile ethanol on the tetracene and p-quaterphenyl films are considered. Obtained results may suggest injection of the charge during chemisorptions. There was observed a deep modulation of conductivity due to absorption of ethanol, this dependence suggests some ability to utilize.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-quaterphenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia z chemisorpcją etanolu i produktów jego rozpadu termicznego skojarzoną z transferem elektronów do lub z warstwy. Właściwym do opisu transferu elektronów wydaje się być model kwantowy jednoelektronowy, rozpisany dla każdego rodzaju cząsteczki absorbatu. Wydaje się, że duża głębokość modulacji prądu oraz zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 51-31
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in anthrone layers
Dryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296418.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
quasi-amorficzne warstwy antronu
polikrystaliczne warstwy antronu
ruchliwość dryftowa elektronów
transport nośników ładunku
quasi-amorphous anthrone films
polycrystalline anthrone films
electron drift mobility
carrier transport
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 13-22
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies