Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "rezystor grubowarstwowy bezołowiowy" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Kompatybilność materiałów w bezołowiowym systemie rezystywnym
Materials compatibility in lead-free resistive system
Autorzy:
Kiełbasiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192393.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
rezystor grubowarstwowy bezołowiowy
system rezystywny
lead-free thick film resisitor
resistive system
Opis:
W wyniku wydanych przez Unię Europejska dyrektyw RoHS i WEEE zaistniała konieczność kompleksowej przebudowy materiałowej składników systemu rezystywnego. Po l lipca 2006 tlenki kadmu i ołowiu, które były obecne w tradycyjnym systemie rezystywnym, nie mogą być stosowane. Dyrektywy te zabraniają również stosowania stopu lutowniczego SnPb, wykorzystywanego dotychczas do montażu elementów dyskretnych i dołączania wyprowadzeń. Rezystory grubowarstwowe dotychczas bazowały na rutenianie bizmutu, który zawdzięczał swoją stabilność obecności ołowiu. Po wprowadzeniu dyrektyw unijnych ołów i kadm musiały zostać wyeliminowane z warstw grubych, natomiast stop lutowniczy SnPb należało zastąpić lutowiami bezołowiowymi. Pojawiły się problemy kompatybilnościowe pomiędzy warstwami palladowo-srebrowymi i nowymi lutami bezołowiowymi. Zmiany te wymusiły znaczącą zmianę składu warstw grubych. Warstwy palladowo-srebrowe zastąpiono srebrowymi, co pociągnęło za sobą nasilenie zjawisk migracji jonowej oraz elektromigracji. Pojawiły się nowe problemy ze stabilnością warstw rezystywnych oraz współpracy warstw przewodzących z rezystywnymi.
This paper presents the evolution of resistive systems in thick film technology after RoHS and WEEE environmental regulations introduced by European Union. The films in traditional resistive system contain lead and cadmium oxides that cannot be used after July 1th 2006 according to the new EU regulations. The tin-lead solder alloys were used in such systems for attaching discrete components and terminations assembly. The conductive films were based on palladium-silver layer in order to limit dissolution rate of silver as well as to protect against ionic migration and electromigration effects while the circuit with the resistive system is powered. The resistive films were based on bismuth ruthenium that was very stable in the presents of lead. The new regulations obliged to eliminate lead and cadmium from thick film materials including tin-lead solder alloys. Such a change required a far going change of thick-film compositions. The new problems appeared inside the resistive layer as well as at the interfaces resistive-conductive layer and conductive layer lead-free solder. The author proposed a silver-platinum conductive layer and ruthenium dioxide resistive layer for environmental friendly resistive system.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 39-46
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies