Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "resistance sensor" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Layered thin film nanostructures of Pd/WO3-x as resistance gas sensors
Autorzy:
Urbańczyk, M.
Maciak, E.
Gut, K.
Pustelny, T.
Jakubik, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200121.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
tungsten trioxide
palladium
layered nanostructure
resistance sensor
nitrogen dioxide
ammonia
Opis:
Layered nanostructures of tungsten trioxide WO3-x about 62 nm thick, with a very thin film of palladium (about 3.3 nm) on the top, have been studied for gas-sensing application at temperatures 50.C and 120.130.C and low NO2 and NH3 concentrations in 6%, 30% or 45% relative humidity in the air. Thin film WO3-x nanostructures were obtained by vacuum deposition on a common Si-SiO2 substrate at room temperature and 120.C. The palladium was coated by vacuum evaporation at room temperature and 4 �E 10.6 mbar on WO3-x layers obtained at two different substrate temperatures. The average rate of growth of the films, controlled by a QCM, was 0.1.0.2 nm/s. A multi-channel (four-channel interdigital gold electrodes) planar resistance gas sensor structure was used in the experiments. The surface of the nanostructures was characterized by means of the AFM method. Good sensor results have been observed at these layered nanostructures with an increasing resistance for NO2 molecules and decreasing resistance for NH3 molecules in a humid air atmosphere. The interaction and recovery speed were higher in the case of the nanostructure obtained at room temperature.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2011, 59, 4; 401-407
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowy opis miar dokładności mostków sensorowych o dużych zmianach rezystancji
New description of the accuracy measures of sensor bridges of broadly variable resis-tances
Autorzy:
Warsza, Z. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156946.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
mostek
czujnik rezystancyjny
błąd
niepewność
bridge
resistance sensor
accuracy
error
uncertainty
Opis:
Po wprowadzeniu podano zracjonalizowane postacie iloczynowe rozwarciowych funkcji przetwarzania i miary ich dokładności dla nieobciążonego mostka 4R o zasilaniu prądowym lub napięciowym przy dowolnych wartościach jego rezystancji - tabela 1. Zaproponowano ujęcie dwuskładnikowe jako sumę miar stanu początkowego i przyrostu funkcji przetwarzania. Omówiono miary mostka o jednakowych rezystancjach początkowych i pięciu wariantach ich przyrostów - tabela 2. Dla mostków o liniowych funkcjach przetwarzania podano uogólnione postacie błędów granicznych. Wskazano inne możliwości zastosowania tych opisów miar.
After introduction, transfer functions and their rationalized forms for the unloaded four arms bridge of arbitrary variable arm resistances, supplied as twoport by current or voltage source are given in table 1. Based on their error propagation formulas two types of accuracy measures are introduced, i.e. related to initial sensi-tivities and double components form for zero and increment of the transfer functions. Metrological properties of commonly used the bridge of similar initial arm resistances in balance and different five variants of their increments are given in Table 2 and discussed. Generalized formulas of limited error for linear bridges are introduced. Both methods may be applied also for many of parametric sensor circuits.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 5, 5; 457-463
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination Of Gas Mixture Components Using Fluctuation Enhanced Sensing And The LS-SVM Regression Algorithm
Autorzy:
Lentka, Ł.
Smulko, J. M.
Ionescu, R.
Granqvist, C. G.
Kish, L. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221708.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
LS-SVM algorithm
resistance gas sensor
fluctuation enhanced sensing
gas detection
Opis:
This paper analyses the effectiveness of determining gas concentrations by using a prototype WO3 resistive gas sensor together with fluctuation enhanced sensing. We have earlier demonstrated that this method can determine the composition of a gas mixture by using only a single sensor. In the present study, we apply Least-Squares Support-Vector-Machine-based (LS-SVM-based) nonlinear regression to determine the gas concentration of each constituent in a mixture. We confirmed that the accuracy of the estimated gas concentration could be significantly improved by applying temperature change and ultraviolet irradiation of the WO3 layer. Fluctuation-enhanced sensing allowed us to predict the concentration of both component gases.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 3; 341-350
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowy układ elektroniczny cyfrowej symulacji rezystancyjnych czujników temperatury
The new electronic circuit for digital controlled simulation of resistance temperature sensors
Autorzy:
Korytkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/275991.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
wzmacniacz monolityczny
monolityczny przetwornik cyfrowo-analogowy
czujnik rezystancyjny temperatury
symulacja rezystancji
monolithic amplifier
monolithic digital-analogue converter
resistance sensor
resistance simulation
Opis:
Omówiono opracowany przez autora oryginalny układ cyfrowej syntezy rezystancji złożony ze wzmacniaczy monolitycznych oraz zawierający cyfrowo sterowany monolityczny przetwornik cyfrowo-analogowy. Podano opis matematyczny charakterystyki symulowanej rezystancji w funkcji sterującego sygnału cyfrowego. Przedstawiono wyniki badań dokładności modelowego układu symulatora rezystancji czujników Pt 100 w przedziale zmian od 0 Ω do 400 Ω. Opracowany nowy układ elektroniczny umożliwia symulowanie charakterystyki rezystancji z dużą dokładnością, z błędami liniowości poniżej 0,01 % (100 ppm).
The paper describes the new electronic circuit for digital controlled resistance synthesis including monolithic amplifies and monolithic digital-analogue converter. On fig. 2 it is shown the electronic schematic of this digital controlled resistance synthesizer. It was formulated equation as the characteristic description of this resistance synthesizer. The experimental examination results of synthesizer model for resistance sensors at the range from 0 Ω to 400 Ω are described. The elaborated electronic circuit of resistance synthesizer have very good qualities of resistance characteristic accuracy, the nonlinearity is better than 0,01 % (100 ppm).
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2013, 17, 10; 138-143
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Układ elektroniczny cyfrowej syntezy rezystancji do dokładnej symulacji rezystancyjnych czujników temperatury
Digital controlled resistance synthesis electronic circuit for precise simulation of thermo-resistance sensors
Autorzy:
Korytkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/275172.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Tematy:
wzmacniacz monolityczny
monolityczny przetwornik cyfrowo-analogowy
rezystancyjny czujnik temperatury
symulacja rezystancji
monolithic amplifier
monolithic digital-analogue converter
thermo-resistance sensor
resistance simulation
Opis:
W pracy opisano różne zasady działania współczesnych elektronicznych układów symulacji rezystancji oraz omówiono ich wady i zalety. Szczegółowo omówiono opracowany przez autora układ cyfrowej syntezy rezystancji złożony ze wzmacniaczy monolitycznych oraz zawierający cyfrowo sterowany monolityczny przetwornik cyfrowo-analogowy. Podano opis matematyczny charakterystyki rezystancji symulowanej w funkcji sterującego sygnału cyfrowego. Przedstawiono wyniki badań dokładności modelowego układu symulatora rezystancji czujników Pt 100 w przedziale zmian rezystancji od 0 Ω do 399,9 Ω oraz czujników Pt 500 w przedziale zmian rezystancji od 0 Ω do 1999,5 Ω. Opracowany układ elektroniczny umożliwia symulowanie charakterystyki rezystancji z dużą dokładnością, z błędami poniżej 0,01 % (100 ppm).
Principles of simulators operation are described and simulator advantages or demerits are discussed. The paper describes the new electronic circuit for digital controlled resistance synthesis including monolithic amplifies and monolithic digital-analogue converter. On fig. 3 it is shown the electronic schematic of this digital controlled resistance synthesizer. It was formulated equation as the characteristic description of this resistance synthesizer. The experimental examination results of synthesizer model for sensors Pt 100 at the range from 0 Ω to 399,9 Ω and the results of synthesizer model for sensors Pt 500 at the range from 0 Ω to 1999,5 Ω are described. The elaborated electronic circuit of resistance synthesizer have very good qualities of resistance characteristic accuracy, it is better than 0,01 % (100 ppm).
Źródło:
Pomiary Automatyka Robotyka; 2013, 17, 5; 86-92
1427-9126
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Robotyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Portable exhaled breath analyzer employing fluctuation-enhanced gas sensing method in resistive gas sensors
Autorzy:
Kwiatkowski, A.
Chludziński, T.
Smulko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220591.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
resistance gas sensor
fluctuation enhanced sensing
flicker noise
gas detection
breath sample collection
Opis:
This paper presents a portable exhaled breath analyser, developed to detect selected diseases. The set-up employs resistive gas sensors: commercial MEMS sensors and prototype gas sensors made of WO3 gas sensing layers doped with various metal ingredients. The set-up can modulate the gas sensors by applying UV light to induce physical changes of the gas sensing layers. The sensors are placed in a tiny gas chamber of a volume of about 22 ml. Breath samples can be either injected or blown into the gas chamber when an additional pump is used to select the last breath phase. DC resistance and resistance fluctuations of selected sensors using separate channels are recorded by an external data acquisition board. Low-noise amplifiers with a selected gain were used together with a necessary bias circuit. The set-up monitors other atmospheric parameters interacting with the responses of resistive gas sensors (humidity, temperature, atmospheric pressure). The recorded data may be further analysed to determine optimal detection methods.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2018, 25, 3; 551-560
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The sensibility of resistance sensor structures with graphene to the action of selected gaseous media
Autorzy:
Pustelny, T.
Setkiewicz, M.
Drewniak, S.
Maciak, E.
Stolarczyk, A.
Urbańczyk, M.
Procek, M.
Gut, K.
Opilski, Z.
Pasternak, I.
Strupinski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200915.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
graphene
resistance
sensor
hydrogen sensor
nitrogen dioxide sensor
Opis:
The paper presents resistance sensor structures with a graphene sensing layer. The structures were tested concerning their sensitivity to the affects of hydrogen, nitrogen dioxide and steam in an atmosphere of a synthetic air. Investigations have proved that resistance structures with a graphene layer are sensitive to the presence of the tested gases. The resistance of the structures amounted to about 10Ω, whereas changes in the resistances affected by the external gaseous medium were contained within the range of a several mΩ. The investigations confirmed that the resistance structures with graphene exposed to the affect of hydrogen in atmosphere of synthetic air change their resistances practically at once (within the order of only a few seconds). This indicates that such structures might be practically applied in sensors of hydrogen ensuring a short time of response.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 2; 293-300
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Soil mechanical resistance measurement by an unique multi-cone tips horizontal sensor
Autorzy:
Sharifi, A.
Mohsenimanesh, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/25550.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
soil resistance
mechanical resistance
measurement
multi-cone tips horizontal sensor
horizontal penetrometer
Opis:
Amulti-tips horizontal sensor was developed and mounted horizontally on a tine face by shafts. The length of shafts was reduced from top to down the tine. The developed system was evaluated in the controlled soil bin laboratory conditions with clay loam soil and uniform soil moisture content. The experiment was designed with soil compaction at three levels of uniform and nonuniform soil compaction in completely randomized block design with four replications. Vertical standard penetrometer was also used to compare with horizontal sensor data at whole working depth of 0 to 400 mm. The results indicated that there is a correlation with R2 = 0.86 between soil cone penetrometer values and the horizontal soil mechanical resistance measurement system data. It can be concluded that the idea of reducing the length of the tips from top to down the tine face would give promising results.
Źródło:
International Agrophysics; 2012, 26, 1
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical resistance tomograph for distributed measurements for flood embankment
Elektryczny tomograf rezystancyjny do pomiarów rozproszonych dla wałów przeciwpowodziowych
Autorzy:
Rymarczyk, T.
Tchórzewski, P.
Adamkiewicz, P.
Sikora, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/407962.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
electrical resistance tomography
sensor
measurement
tomografia rezystancyjna
pomiar
Opis:
In this paper the terrain electrical resistance tomograph was presented. Its aim is to verify the repeatability of test results by eliminating laboratory equipment, and to validate the use of simple and cheap electronics to the structure of the ERT. Electrical resistance tomography, which is based on measuring potential difference, can be used to calculate conductivity.
W niniejszym artykule przedstawiono konstrukcję tomografu rezystancyjnego. Jego celem jest weryfikacja powtarzalności wyników badań poprzez wyeliminowanie sprzętu laboratoryjnego oraz potwierdzenie zastosowania prostej i taniej elektroniki do struktury ERT. Do obliczenia przewodnictwa można wykorzystać elektryczną tomografię rezystancyjną, która opiera się na pomiarze różnicy potencjałów.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 3; 25-28
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infiuence of Hydrogen on the Properties of Nanostructured C-Pd Films for Sensing Applications
Autorzy:
Kamińska, A.
Diduszko, R.
Krawczyk, S.
Czerwosz, E.
Sobczak, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778287.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
C-Pd films
hydrogen sensor
GIXD measurements
resistance changes
Opis:
In this paper we present the results of the investigations of nanostructured C-Pd films for hydrogen sensing applications. These C-Pd films were prepared by physical vapor deposition and then annealed in an argon flow at the temperature of 500°C. The structure and morphology of the prepared C-Pd films were investigated using transmission electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy. We studied the infiuence of hydrogen on the electrical properties and crystal structure of C-Pd films. It was shown that film resistance changes depended on hydrogen concentration. At lower hydrogen concentration (up to 2 vol.%), the films response increased proportionally to [H2], while above 2 vol.% H2, it was almost constant. This is connected with the formation of a solid solution of hydrogen in palladium at lower H2 concentration and the creation of palladium hydride at higher H2 concentration. X-ray diffraction was used to confirm the formation of Pd-H solid solution and palladium hydride.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2014, 16, 2; 77-81
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies