Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "quantum wells" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Photoluminescence of CdTe/CdMgTe Double Quantum Wells with a Two-Dimensional Electron Gas
Autorzy:
Deresz, M.
Wiater, M.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Łusakowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033223.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
CdTe/CdMgTe quantum wells
magnetophotoluminescence
Opis:
Magnetophotoluminescence measurements at liquid helium temperatures were carried out on asymmetric double quantum wells based on CdTe/CdMgTe heterostructures. Due to doping with shallow iodine donors, a two-dimensional electron gas was present in the quantum wells. The samples studied differed with the quantum well widths and doping level. We show a resemblance of the luminescence to results obtained on single quantum wells which suggests that in samples studied the quantum wells are not strongly coupled.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 390-392
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
Autorzy:
Malik, S.
Usman, Muhammad
Hussain, M.
Munsif, M.
Khan, S.
Rasheed, S.
Ali, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818193.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
ultraviolet
light-emitting diodes
efficiency
quantum wells
Opis:
The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
Autorzy:
Malik, S.
Usman, Muhammad
Hussain, M.
Munsif, M.
Khan, S.
Rasheed, S.
Ali, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818198.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
ultraviolet
light-emitting diodes
efficiency
quantum wells
Opis:
The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetospectroscopy of CdTe/Cd₁-xMgxTe modulation-doped quantum wells in THz and visible range
Autorzy:
Łusakowski, Jerzy
Zaremba, Maciej
Siemaszko, Adam
Karpierz, Krzysztof
Adamus, Zbigniew
Wojtowicz, Tomasz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204169.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
terahertz spectroscopy
optically detected cyclotron resonance
modulation-doped CdTe quantum wells
Opis:
Transport, photoluminescence, THz transmission, and optically detected cyclotron resonance studies were carried out on samples with a single modulation-doped CdTe/Cd1-xMgxTe quantum well. THz experiments were performed at liquid helium temperatures for photon energies between about 0.5 meV and 3.5 meV. An effective mass of electron was determined to be (0.1020 ± 0.0003)m₀. Observed photoluminescence and optically detected cyclotron resonance spectra cannot be explained within the simple model of Landau quantization of parabolic bands.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, 2; art. no. e144597
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x
The measurements of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites
Autorzy:
Kołtunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152236.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
nanokompozyty
przewodność skokowa
studnie kwantowe
rezystancja
nanocomposites
hopping recharging
quantum wells
resistance
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x w oparciu o prąd przemienny o częstotliwości z zakresu od 50 Hz do 1 MHz. Pomiary wykonano w zakresie temperatur od 77 K do 373 K. Przeprowadzono analizę uzyskanych wyników i zaproponowano sposób przenoszenia ładunków elektrycznych pomiędzy studniami kwantowymi.
The paper presents the results of the measurements of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites performed on the alternating current in the frequency range from 50 Hz to 1 MHz. The measurements were done in the temperature range from 77 K to 373 K. The analysis of the results were performed and the mechanism of the carrying electric charges between quantum wells was proposed.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 11, 11; 44-46
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz response of CdTe/Cd1-xMgxTe modulation-doped multiple quantum wells
Autorzy:
Łusakowski, Jerzy
Frączak, Andrzej
Grymuza, Mikołaj
Imos, Eryk
Siemaszko, Adam
Solarska, Wiktoria
Woyciechowska, Aniela
Zaremba, Maciej
Zdunek, Rafał
Karpierz, Krzysztof
Adamus, Zbigniew
Słupiński, Tomasz
Wojtowicz, Tomasz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204183.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
terahertz spectroscopy
Shubnikov-de Haas oscillations
modulation-doped multiple CdTe-based quantum wells
Opis:
Terahertz (THz) transmission, photoresistance, and electrical conductivity experiments were carried out at 4.2 K on a sample with modulation-doped CdTe/Cd1-xMgxTe multiple quantum wells. The measurements were carried out as a function of a magnetic field up to 9 T and a radiation frequency between 0.1 and 0.66 THz. A broad minimum in the transmission curve was observed at magnetic fields corresponding to the cyclotron resonance at given THz frequency which was followed at larger fields by an oscillatory signal, periodic in ˉˡ. Shubnikov-de Haas oscillations were observed in magnetoconductivity and in photoresistance. Each of these experimental signals revealed the same electron concentration equal to (1.01 ± 0.03) ∙10ˡ² cmˉ². THz spectroscopy results are compared with data obtained on a single quantum well and are discussed from the point of view of using such multiple quantum wells as THz optical elements.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, 2; art. no. e144600
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photorefractive multiple quantum wells planar waveguide
Światłowód planarny z warstwą fotorefrakcyjnych studni kwantowych
Autorzy:
Weinert-Rączka, E.
Gajda, J.
Wichtowski, M.
Ziółkowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156988.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
nieliniowe światłowody
fotorefrakcyjne studnie kwantowe
całkowicie optyczne przełączanie
nonlinear waveguide
photorefractive multiple quantum wells
all-optical switching
Opis:
New type of planar optical waveguide with a guiding layer consisting of photorefractive multiple quantum well structure is investigated. Results of optical and electro-optical measurements and possible applications for all-optical switching of guided signals are presented.
Opisano nowy rodzaj światłowodu planarnego o warstwie prowadzącej zawierającej fotorefrakcjne studnie kwantowe. Przedstawione są wyniki pomiarów własności optycznych i elektro-optycznych układu oraz pokazane możliwości zastosowania do całkowicie optycznego przełączania sygnałów propagujących się w światłowodzie.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 6, 6; 34-36
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies