Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "quantum efficiency" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-12 z 12
Tytuł:
A novel trapezoidal profile of optimized diffraction grating for light trapping in thin silicon solar cells
Autorzy:
Dehdast, M.
Bahrami, A.
Mohammadnejad, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174344.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
diffraction grating
light trapping
quantum efficiency
solar cell
Opis:
In this paper, we propose a new design and comprehensive optimization process for improving the diffraction gratings used as the back reflector of silicon solar cells. For this process, the optimum refractive index and its corresponding available material which can be used as the grating material has been chosen as 1.57 and SiO2, respectively. Also, all of geometric parameters which affect the performance of the grating, such as periodicity, height and depth of grating profiles have been studied and the appropriate values for each of them have been proposed. In order to optimize the profile of grating, a transition from triangular to rectangular structure has been considered and finally a specific trapezoidal profile has been chosen as the optimized grating back reflector which enhances the cell efficiency up to 6%. Simulation results show that the different grating profiles have the same duty cycle and therefore use the same amounts of materials.
Źródło:
Optica Applicata; 2017, 47, 1; 75-83
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A new design of scanning IR detectors
Autorzy:
Dvoretsky, Sergey A.
Kovchavtsev, Anatoly P.
Lee, Irlam I.
Polovinkin, Vladimir G.
Sidorov, Georgiy Yu.
Yakushev, Maxim V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818248.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
scanning IR detector
photosensitive element
Monte Carlo method
local quantum efficiency
point radiation source
Opis:
Photoelectrical characteristics of scanning IR detectors with implemented time delay and integration mode are analyzed. A new “shifted cellular” layout of photosensitive elements in the FPA structure is proposed. Advantages of the new FPA configuration in terms of threshold sensitivity for small-size/point objects are demonstrated. The analysis is based on the Monte Carlo simulation of the diffusion process of photogenerated minority charge carriers in the photosensitive layer photodiode arrays. The analysis is performed taking into account the main photoelectric parameters of FPA elements: photosensitive layer thickness, diffusion length of charge carriers, optical absorption length, their design parameters: geometric sizes of FPA elements, diameters of p-n junctions, and design parameters of the optical system: optical-spot diameter.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 2; 93--98
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nieniszcząca spektroskopia fotoakustyczna w zastosowaniu do wyznaczania wydajności luminescencji jonów Mn2+ w kryształach mieszanych Zn1-x-yBexMnySe
Application of nondestructive photoacoustic spectroscopy to determine the luminescence efficiency of Mn2+ ions in the mixed crystals Zn1-x-yBexMnySe
Autorzy:
Maliński, M. A.
Chrobak, Ł. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118357.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
spektroskopia fotoakustyczna
wydajność kwantowa
wydajność luminescencyjna
materiały optoelektroniczne
photoacoustic spectroscopy
quantum efficiency
luminous efficiency
opto-electronic materials
Opis:
Artykuł ten przedstawia zastosowanie nieniszczącej spektroskopii fotoakustycznej do wyznaczani wydajności kwantowej i energetycznej luminescecji jonów Mn2+ w kryształach Zn1-x-yBexMnySe.
This paper is to present the application of the nondestructive photoacoustic spectroscopy method of determination of the quantum and energy efficiencies of luminescence of Mn2+ ions in the Zn1-x-yBexMnySe crystals.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2010, 2; 5-13
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical performance analysis and optimization of monofacial and bifacial crystalline silicon solar cells
Autorzy:
Manikandan, A. V. M.
Prince, Shanthi
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/27310104.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
silicon
monofacial solar cell
bifacial solar cell
PC1D
quantum efficiency
conversion efficiency
albedo
bifaciality factor
PERT
Opis:
This paper presents the investigations and performance analysis of monofacial and bifacial crystalline silicon solar cells with PC1D simulation software. The fundamental limitation in the monofacial solar cell’s performance is its inability to absorb all the incoming solar radiation since the albedo effect (ground-reflected light that can be captured by the rear of the solar cell) is often neglected. So, the efficiency of the monofacial cell will be lower due to poor and incomplete optical absorption. Bifaciality helps to enhance the capturing of light in the solar cell, which means that the rear of the cell is exposed to solar radiation to produce electrical power. The primary focus of our work is to determine which solar cell offers better device performance and conversion efficiency by analyzing various parameters of the solar cell like surface texturing, emitter doping, bulk doping, minority carrier lifetime, bulk and surface recombination rates, front and rear reflectance, among other parameters. The other parameters are maintained at an optimal range to achieve the highest conversion efficiency. Our work has shown that the bifacial solar cell can be as efficient as 28.15%, which is much better than the 22.65% efficiency of the monofacial solar cell.
Źródło:
Optica Applicata; 2023, 53, 3; 327--351
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design and performance of dual-band MWIR/LWIR focal plane arrays based on a type-II superlattice nBn structure
Autorzy:
Lee, Hyun-Jin
Eom, Jun Ho
Jung, Hyun Chul
Kang, Ko-Ku
Ryu, Seong Min
Jang, Ahreum
Kim, Jong Gi
Kim, Young Ho
Jung, Han
Kim, Sun Ho
Choi, Jong Hwa
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204217.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
InAs/GaSb type-II superlattice
dualband detector
dark current
spectral quantum efficiency
noise equivalent temperature difference
Opis:
Dual-band infrared detector, which acquires more image information than single-band detectors, has excellent detection, recognition, and identification capabilities. The dual-band detector can have two bumps to connect with each absorber layer, but it is difficult to implement small pitch focal plane arrays and its fabrication process is complicated. Therefore, the most effective way for a dual-band detector is to acquire each band by biasselectable with one bump. To aim this, a dual-band MWIR/LWIR detector based on an InAs/GaSb type-II superlattice nBn structure was designed and its performance was evaluated in this work. Since two absorber layers were separated by the barrier layer, each band can be detected by bias-selectable with one bump. The fabricated dual-band device exhibited the dark current and spectral response characteristics of MWIR and LWIR bands under negative and positive bias, respectively. Spectral crosstalk that is a major issue in dualband detectors was also improved. Finally, a 20 µm pitch 640 x 512 dual-band detector was fabricated, and both MWIR and LWIR images exhibited an average noise equivalent temperature difference of 30 mK or less at 80 K.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144560
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
Modeling of efficiency droop effect in GaN leds
Autorzy:
Cegielski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160001.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
oświetlenie
elektroliminescencja
LED
GaN
InGaN
wewnetrzna sprawność kwantowa
studnia kwantowa
rekombinacja
spadek sprawności
solid state lighting
internal quantum efficiency
quantum well
recombination
efficiency droop
Opis:
Pomimo rozwoju, który nastąpił w technologii wytwarzania białych elektroluminescencyjnych źródeł światła, w urządzeniach tych ciągle istotną ograniczającą rolę pełni zjawisko spadku sprawności generacji światła dla dużych gęstości prądu. Ponadto wciąż nierozpoznane dostatecznie są jego fizyczne podstawy. W referacie przedstawiono możliwe modele opisujące ten efekt, opierając się na dyskutowanych w literaturze hipotetycznych przyczynach: różnych rodzajach rekombinacji Augera, efektach termicznych, występowaniu silnych pól elektrycznych i asymetrii występowania nośników, itp. Poznanie potencjalnych powodów zjawiska spadku efektywności pozwoli na dalszy rozwój źródeł światła opartych na elektroluminescencji. Przełoży to się na niższy koszt uzyskania zamienników tradycyjnych źródeł światła i większe ich rozpowszechnienie, co w istotny sposób może ograniczyć wzrost światowego zużycia energii.
Despite the development that occurred in the technology of white Light-Emitting Diodes, this devices are still limited by the phenomenon of the efficiency droop that occurs in light generation for large current densities. Moreover, its physical basis is still not sufficiently recognized. The paper presents possible models describing this effect, based on the hypothetical reasons discussed in the literature: different types of Auger recombination, thermal effects, the presence of strong electric fields and the occurrence of the asymmetry of carriers, etc. Knowing the potential reasons for the droop phenomenon will allow the further development of Solid State Light sources. This leads to lower cost retrofits or replacements of traditional light sources and greater their market penetration, which may significantly reduce global energy consumption increase.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 255; 7-18
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Long wavelength type-II superlattice barrier infrared detector for CubeSat hyperspectral thermal imager
Autorzy:
Rafol, Sir B.
Gunapala, Sarath D.
Ting, David Z.
Soibel, Alexander
Khoshakhlagh, Arezou
Keo, Sam A.
Pepper, Brian J.
Hill, Cory J.
Maruyama, Yuki
Fisher, Anita M.
Sood, Ashok
Zeller, John
Wright, Robert
Lucey, Paul
Nunes, Miguel
Flynn, Luke
Babu, Sachidananda
Ghuman, Parminder
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204204.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
type-II superlattice
focal plane array
infrared detector
quantum efficiency
noise equivalent difference temperature
dark current density
anti-reflective coating
Opis:
The hyperspectral thermal imaging instrument for technology demonstration funded by NASA’s Earth Science Technology Office under the In-Space Validation of Earth Science Technologies program requires focal plane array with reasonably good performance at a low cost. The instrument is designed to fit in a 6U CubeSat platform for a low-Earth orbit. It will collect data on hydrological parameters and Earth surface temperature for agricultural remote sensing. The long wavelength infrared type-II strain layer superlattices barrier infrared detector focal plane array is chosen for this mission. With the driving requirement dictated by the power consumption of the cryocooler and signal-noise-ratio, cut-off wavelengths and dark current are utilized to model instrument operating temperature. Many focal plane arrays are fabricated and characterised, and the best performing focal plane array that fulfils the requirements is selected. The spectral band, dark current and 8-9.4 μm pass band quantum efficiency of the candidate focal plane array are: 8-10.7 μm, 2.1∙10ˉ⁵ A/cm², and 47%, respectively. The corresponding noise equivalent difference temperature and operability are 30 mK and 99.7%, respectively. Anti-reflective coating is deposited on the focal plane array surface to enhance the quantum efficiency and to reduce the interference pattern due to an absorption layer parallel surfaces cladding material.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144569
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design and analytical calculations of the width and arrangement of quantum well and barrier layers in GaN/AlGaN LED to enhance the performance
Autorzy:
Sharma, L.
Sharma, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2063882.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
barrier
multi quantum well
light emitting diode
power efficiency
quantum well
Opis:
This research paper discusses an analytical approach to designing the active region of light emitting diodes to enhance its performance. The layers in the active region were modified and the effects of changing the width of quantum well and barrier layers in a multi-quantum light emitting diode on the output power and efficiency have been investigated. Also, the ratio of the quantum well width to the B layer width was calculated and proposed in this research paper. The study is carried out on two different LED structures. In the first case (i.e., first structure), the width of the quantum well layers is kept constant while the width of the B layers is varied. In the second case (i.e., second structure), both the quantum well and B layer widths are varied. Based on the simulation results, it has been observed that the LED power efficiency increases considerably for a given quantum well to B layers width ratio without increasing the production complexity. It is also seen that for a desired power efficiency the width of quantum well should be between 0.003 μm and 0.006 μm, and the range of B width (height) should be 2.2 to 6 times the quantum well width. The proposed study is carried out on the GaN-AlGaN-based multi-quantum well LED structure, but this study can be extended to multiple combinations of the semiconductor structures.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 4; 141--147
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
Autorzy:
Malik, S.
Usman, Muhammad
Hussain, M.
Munsif, M.
Khan, S.
Rasheed, S.
Ali, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818193.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
ultraviolet
light-emitting diodes
efficiency
quantum wells
Opis:
The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical analysis of the compositional graded quaternary barrier AlGaN-based ultraviolet-C light-emitting diode
Autorzy:
Malik, S.
Usman, Muhammad
Hussain, M.
Munsif, M.
Khan, S.
Rasheed, S.
Ali, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818198.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
ultraviolet
light-emitting diodes
efficiency
quantum wells
Opis:
The compositional graded quaternary barriers (GQBs) instead of ternary/conventional quantum barriers (QBs) have been used to numerically enhance the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diode (LED). The performance of LED with GQBs is examined through carrier concentrations, energy band diagrams, radiative recombination, electron and hole flux, internal quantum efficiency (IQE), and emission spectrum. As a function of the operating current density, a considerable reduction in efficiency droop is observed in the device with composition-graded quaternary barriers as compared to the conventional structure. The efficiency droop in case of a conventional LED is ~77% which decreased to ~33% in case of the proposed structure. Moreover, the concentration of electrons and holes across the active region in case of the proposed structure is increased to ~156% and ~44%, respectively
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2021, 29, 3; 80--84
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bezpośrednia radiografia cyfrowa
Digital direct radiography
Autorzy:
Jezierski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/214636.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
radiografia cyfrowa
detektor typu płaski panel
amorficzny krzem (a-Si:H)
amorficzny selen
częstotliwość przestrzenna
funkcja przenoszenia modulacji (MTF)
kwantowa wydajność detekcji (DQE)
digital radiography
flat panel detector
amorphous silicon
amorphous selenium
spatial resolution
modulation
transfer function (MTF)
detective quantum efficiency (DQE)
Opis:
Dynamiczny rozwój radiografii cyfrowej (bazującej na elektronice) jaki obserwujemy w ostatnich latach skutkuje także zastosowaniem tej techniki do badań nieniszczących w przemyśle (NDT). Jednakże biorąc pod uwagę istotne różnice, przede wszystkim znacznie wyższe energie promieniowania rentgenowskiego stosowane do badania różnych obiektów przemysłowych (np. złącza spawane, odlewy, połączenia w elektronice), jak również konieczność dysponowania niekiedy lekkimi, przenośnymi detektorami powoduje, że nie da się bezpośrednio przenieść rozwiązań z medycyny do przemysłu. W niniejszej publikacji przedstawiono współczesne trendy oraz praktyczne rozwiązania detektorów cyfrowych do zastosowań w NDT.
Application of digital radiography (based on electronics) for imaging in medical practice has been recently dynamically developing, which results in implementation of this technique to industrial non-destructive testing (NDT). However, with respect to significant differences that include, first of all, much higher X-ray energies used for testing various object in industry (e.g. welds, castings, joints in electronic engineering) and often also necessity of using light, portable digital detectors, it is impossible to transfer solutions directly from medicine to industry. In this paper, modern trends and practical solutions of digital detectors designed for NDT are presented.
Źródło:
Postępy Techniki Jądrowej; 2017, 2; 37-44
0551-6846
Pojawia się w:
Postępy Techniki Jądrowej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelled quantum yields and energy efficiency of fluorescence, photosynthesis and heat production by phytoplankton in the World Ocean
Autorzy:
Ostrowska, M.
Wozniak, B.
Dera, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/47432.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Oceanologii PAN
Tematy:
World Ocean
chlorophyll a
fluorescence
photosynthesis
organic matter
heat production
phytoplankton
light energy
excitation energy
pigment
quantum yield
energy efficiency
photosynthetic pigment
Źródło:
Oceanologia; 2012, 54, 4
0078-3234
Pojawia się w:
Oceanologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-12 z 12

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies