Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "przetwornik CMOS" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Projekt kompensacyjnego przetwornika analogowo-cyfrowego dla potrzeb wielokanałowych układów w technologii submikronowej
Project of successive approximation analog-to-digital converter for multichannel circuits in submicron technology
Autorzy:
Otfinowski, P.
Zaziąbł, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158172.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
przetwornik analogowo-cyfrowy z równoważeniem ładunku
klucze CMOS
analog-to-digital converter
charge redistribution
successive approximation
CMOS switch
Opis:
W pracy zaprezentowano projekt scalonego przetwornika analogowo-cyfrowego wykonany w technologii UMC CMOS 180nm. Przedstawiono rozwiązanie pozwalające na znaczące zmniejszenie powierzchni zajmowanej przez układ poprzez dodanie pomocniczego przetwornika C/A. Zostało przybliżone także zagadnienie odpowiedniego doboru kluczy w układach z przełączanymi pojemnościami. Ostatecznie zaprezentowany układ cechuje się szybkością konwersji wynoszącą 3 MS/s przy poborze mocy 225 žW oraz bardzo niską nieliniowością.
The dynamic progress in the domain of applications involving X rays demands more sophisticated circuits for acquisition and processing of signals from the silicon detectors. This paper presents a design of an integrated analog-to-digital converter dedicated to multichannel silicon detector readout circuits. The successive approximation with charge redistribution architecture was proposed. In order to reduce the total chip area, the DAC was split into two blocks. The capacitor array used as a primary DAC and also as a sampling circuit. As a secondary DAC, the resistive voltage divider was introduced. This solution allowed reducing the total DAC area by the factor of 6, maintaining the same output voltage accuracy. The CMOS switches are described in detail, as they play important role in the switch capacitor circuits, affecting both the speed and accuracy of the primary capacitive DAC. A synchronous regenerative latch is used as a comparator. The ADC is implemented in UMC CMOS 180nm technology. The designed ADC is able to achieve conversion rates of 3 MS/s at 225 žW. The final simulation results show also low nonlinearity of the presented circuit.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 10, 10; 1209-1212
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Matryce światłoczułe – właściwości, parametry, zastosowania
Photosensitive matrices – properties, parameters, applications
Autorzy:
Parzych, J.
Hulewicz, A.
Krawiecki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377387.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
przetwornik CCD
przetwornik CMOS
Opis:
W niniejszym artykule omówiono zagadnienia związane z matrycami światłoczułymi stosowanymi w cyfrowej akwizycji oraz analizie obrazów: CCD i CMOS. Przedstawiono budowę, zasadę działania, rodzaje oraz parametry i właściwości obu typów matryc. Następnie przeanalizowano różnice oraz podobieństwa matryc CCD i CMOS wynikające m.in. z ich struktury i rodzaju. Ponadto omówiono obszary aplikacyjne matryc światłoczułych, zwracając jednocześnie uwagę na wpływ danego zastosowania i wymaganych parametrów na wybór: CMOS czy CCD.
In the present article they discussed issues concerning photosensitive matrices applied in the digital aquisition and analysis of images: CCD and CMOS. a structure, a principle of operation, types, parameters and properties of both types of matrices were described. Next differences and resemblances of CCD and CMOS matrices resulting among others from their structure and the kind were analysed. Moreover appliqué areas of were discussed, simultaneously considering the influence of the given application and required parameters on choice: CMOS or CCD.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2017, 92; 189-203
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies