Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "produkcja płytek" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Zastosowanie koagulantów zawierających żelazo dwu- i trójwartościowe do wspomagania wytrącania związków organicznych oraz skompleksowanych jonów miedzi i cyny ze ścieków przemysłowych
Evaluation of application of coagulants containing divalent and trivalent iron to enhance removal of organic compounds and complexed copper and tin ions from industrial effluents
Autorzy:
Thomas, M.
Białecka, B.
Zdebik, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/401244.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
produkcja płytek drukowanych
oczyszczanie ścieków
związki kompleksowe
strącanie jonów miedzi i cyny
printed circuits board production
wastewater treatment
complex compounds
removal of copper and tin ions
Opis:
W artykule przedstawiono problematykę dotyczącą parametrów fizyko-chemicznych ścieków surowych pochodzących z produkcji płytek drukowanych. Omówiono skład stosowanych kąpieli technologicznych w aspekcie spełnienia wymagań odnośnie wprowadzania ścieków oczyszczonych do wód, ziemi lub kanalizacji miejskiej. Przedstawiono wyniki prób usuwania związków organicznych oraz skompleksowanych jonów miedzi (II) i cyny (II) i (IV) przy zastosowaniu koagulantów zawierających jony Fe (II) i Fe(III). Na podstawie wyników badań wykazano wysoką skuteczność usuwania związków organicznych oraz związków cyny. Wyjaśniono możliwe przyczyny niskiej skuteczności wytracaniem skompleksowanych jonów miedzi (II).
The article presents the issues concerning physical and chemical parameters of raw sewage from the production of printed circuit boards and the composition of the bath used technology in terms of meeting the requirements for the introduction of treated wastewater into surface waters, ground or the municipal sewage system. Showed test results for the removal of organic compounds and ions complexed copper (II) and tin (II) and (IV) using coagulants containing ions of Fe (II) and Fe (III). The studies showed the high efficiency of removal of organic compounds and tin compounds. Explained the possible causes of the difficulties of precipitation complexed copper ions (II).
Źródło:
Inżynieria Ekologiczna; 2014, 38; 167-180
2081-139X
2392-0629
Pojawia się w:
Inżynieria Ekologiczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Źródła jonów miedzi i wybrane sposoby ich usuwania ze ścieków pochodzących z produkcji płytek drukowanych
Sources of copper ions and selected methods of their removal from wastewater from the printed circuits board production
Autorzy:
Thomas, M.
Białecka, B.
Zdebik, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/400125.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
toksykologia związków miedzi
związki kompleksowe
produkcja płytek drukowanych
oczyszczanie ścieków
strącanie jonów miedzi
toxicology of copper compounds
complex compounds
printed circuit boards production
wastewater treatment
precipitation of copper ions
Opis:
W artykule przedstawiono problematykę związaną z obecnością i usuwaniem związków miedzi ze ścieków przemysłowych z uwzględnieniem specyfiki ścieków pochodzących z zakładów zajmujących się produkcją płytek drukowanych. Scharakteryzowano właściwości toksykologiczne wybranych związków miedzi, przedstawiono zarys stosowanych procesów technologicznych, źródła jonów miedzi w ściekach i wybrane metody ich usuwania.
This paper presents the issues related to the presence and removal of copper compounds from industrial effluents with including wastewater from plants involved in the production of printed circuit boards. Characterized the toxicological properties of selected copper compounds, described the applicable technological processes, sources of copper ions in the effluents and selected methods for their removal.
Źródło:
Inżynieria Ekologiczna; 2014, 37; 31-49
2081-139X
2392-0629
Pojawia się w:
Inżynieria Ekologiczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reduction of defects in the lapping process of the silicon wafer manufacturing: the Six Sigma application
Autorzy:
Sharma, Mithun
Sahni, Sanjeev P.
Sharma, Shilpi
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/125540.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
Six Sigma
quality
silicon wafer
lapping
quality control
total thickness variation
wafer manufacturing
jakość
płytka krzemowa
docieranie
kontrola jakości
całkowita zmiana grubości
produkcja płytek
Opis:
Aiming to reduce flatness (Total Thickness Variation, TTV) defects in the lapping process of the silicon wafer manufacturing, it is crucial to understand and eliminate the root cause(s). Financial losses resulting from TTV defects make the lapping process unsustainable. DMAIC (Define, Measure, Analyse, Improve and Control), which is a Six Sigma methodology, was implemented to improve the quality of the silicon wafer manufacturing process. The study design and the choice of procedures were contingent on customer requirements and customised to ensure maximum satisfaction; which is the underlying principle of the rigorous, statistical technique of Six Sigma. Previously unknown causes of high TTV reject rates were identified, and a massive reduction in the TTV reject rate was achieved (from 4.43% to 0.02%). Also, the lapping process capability (Ppk) increased to 3.87 (beyond the required standard of 1.67), suggesting sustainable long-term stability. Control procedures were also effectively implemented using the techniques of poka yoke and control charts. This paper explores the utility of Six Sigma, a quality management technique, to improve the quality of a process used in the semiconductor industry. The application of the Six Sigma methodology in the current project provides an example of the root cause investigation methodology that can be adopted for similar processes or industries. Some of the statistical tools and techniques were used for the first time in this project, thereby providing new analysis and quality improvement platform for the future. The article offers a deeper understanding of the factors that impact on the silicon wafer flatness in the lapping process. It also highlights the benefits of using a structured problem-solving methodology like Six Sigma.
Źródło:
Engineering Management in Production and Services; 2019, 11, 2; 87-105
2543-6597
2543-912X
Pojawia się w:
Engineering Management in Production and Services
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies