Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Photo-enhanced conduction in inhomogeneous thin film space charge limited conducting systems
Fotowzmocnione przewodnictwo w niejednorodnych układach cienkowarstwowych zdominowanych przez prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
Autorzy:
Bąk, G. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296597.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
space charge limited currents
optical switching
prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
komutacja optyczna
Opis:
Photo-enhancement of space-charge limited currents in deliberately modified thin-film structures is studied using numerical methods. The obtained results suggest that it should be possible to obtain optically induced increase in current density of the order of 107 in modified thin film structures as a result of deliberate modification of trap density at the emitter consisting in formation of high density of traps at the emitter.
Badane są metodami numerycznymi prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym w świadomie modyfikowanych strukturach cienkowarstwowych. Otrzymane wyniki sugerują, że powinno być możliwe uzyskanie optycznie indukowanego wzrostu gęstości prądu rzędu 107 w układach z modyfikacją koncentracji pułapek przy emiterze, polegającą na wytworzeniu cienkiej warstwy o dużej koncentracji pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 11-20
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Space-charge-limited currents as an indicator of non-uniform charge traps distribution in thin film dielectrics: numerical solutions
Prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym jako wskaźnik przestrzennie niejednorodnego rozkładu pułapek w cienkich warstwach dielektryków: rozwiązania numeryczne
Autorzy:
Bąk, G. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296534.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
warstwy cienkie
pułapka ładunkowa
space charge limited currents
thin films
charge traps
Opis:
Space charge limited currents in inhomogeneous thin film insulating systems are studied by means of numerical methods. Calculations for two spatial distribution of traps are presented. The results confirm that the influence of charge traps at the emitter is much stronger than those at the collector. The case of illumination of the emitter is also analyzed. It turns out that it is possible to find the valued of parameter describing the exponential decay of trap distribution at the emitter and the surface trap concentration for the case of illuminated sample. The paper summarizes the data concerning possibility of determination of trap distribution at the emitter in thin film insulators using photo-enhanced space-charge-limited current measurements.
Przedmiotem pracy jest numeryczna analiza prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym w niejednorodnych układach cienkowarstwowych. Przedstawiono wyniki obliczeń dla dwu przestrzennych rozkładów pułapek. Potwierdzono, że wpływ pułapek przy emiterze jest znacznie większy niż tych przy kolektorze. Pokazano, że stosując fotowzmocnione prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym, można niezależnie wyznaczyć wartości stałej zaniku koncentracji pułapek i ich powierzchniowej koncentracji. Praca podsumowuje wyniki dotyczące możliwości wyznaczenia parametrów niejednorodnego rozkładu pułapek w układach cienkowarstwowych.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 19-29
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Elimination of the impact of RC constant on transient photocurrents measured in organic layers
Eliminacja wpływu stałej RC w pomiarach fotoprądów przejściowych warstw organicznych
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296553.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
organic electronics
circuit time constant
carrier mobility
drift transport
1,5-dihydroxynaphthalene
TOF measurements
electrical characterization
SCLC
space charge limited currents
elektronika organiczna
stała czasowa obwodu
ruchliwość nośników ładunku
transport dryftowy
1,5-dihydroksynaftalen
pomiary TOF
charakterystyka elektryczna
prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym
Opis:
We present a calculation method for elimination of the effect of the RC constant of the measuring circuit in the time-of-flight (TOF) measurements where a pulse generation of the photocurrent in a thin layer of low-molecular organic material is exploited. Presented method allows to eliminate the influence of the component of displacement current related to dielectric losses and obtaining the actual conduction current time dependence. The method was tested on the thin layers of 1,5-dihydroxynaphthalene.
Zastosowanie metody eliminacji wpływu stałej RC obwodu pomiarowego do analizy wyników pomiaru fotoprądów przejściowych płynących w cienkiej warstwie niskocząsteczkowego materiału organicznego umożliwia eliminację wpływu składowej prądu przesunięcia związanej ze stratami dielektrycznymi i uzyskanie rzeczywistego przebiegu prądu przewodzenia w funkcji czasu. Pozwala to na wyznaczenie prawidłowej wartości czasu charakterystycznego nawet dla cieńszych warstw, dla których daje się zrealizować pomiar charakterystyki stałoprądowej U-I w zakresie prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym. Otwiera to możliwość pełnej charakteryzacji własności elektrycznych badanego materiału organicznego przy użyciu jednej komórki pomiarowej. Możliwość numerycznego przedstawienia przebiegu przejściowego fotoprądu powinna pozwolić na badanie własności materiału metodą TOF dla uzyskania rozkładu pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 65-73
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies