Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "powłoki dielektryczne" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Próby modyfikacji powierzchni elementów wysokonapięciowych urządzeń elektrycznych
    Modified tests of surfaces elements of high voltage electrical equipments
    Autorzy:
    Zakrzewski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159524.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    komora
    elektrody
    powłoki dielektryczne
    Opis:
    W pracy przedstawiono próby modyfikacji powierzchni elementów wysokonapięciowych urządzeń elektrycznych w celu zwiększenia ich wytrzymałości elektrycznej i mechanicznej. Opisano konstrukcję komory do badań eksperymentalnych oraz przedstawiono wyniki badań wpływu materiału elektrod, obecności powłok dielektrycznych na elektrodach oraz ciśnienia na napięcie przeskoku w powietrzu przy napięciu przemiennym o częstotliwości 50 Hz. Elektrody układu izolacyjnego były wykonane z aluminium, stali nierdzewnej, miedzi lub brązu. Badania przeprowadzono przy ciśnieniu o wartościach od 10^5 do 8ź10^5 Pa.
    The paper presents modified tests of surfaces elements of high voltage electrical equipments in order to increase their electric and mechanics materials strength. The paper also presents specification of construction of gas chamber used in high voltage gas insulated system and experimental investigation of influences of electrodes material and coating of electrodes on breakdown voltage of air in uniform field at a.c. voltage. There have been used the electrodes of aluminium, bronze, copper or stainless steel. The results were obtained at gas pressures from 10^5 to 8ź10^5 Pa.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 73-84
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Sygnały emisji akustycznej towarzyszące przeskokowi w wysokonapięciowych układach izolacyjnych o izolacji powietrznej
    Analysis of acoustic emission signals accompanying the breakdown in air insulation system
    Autorzy:
    Dobrzycki, A.
    Opydo, W.
    Zakrzewski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376825.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    metoda emisji akustycznej
    wytrzymałość elektryczna powietrza
    powłoki dielektryczne
    Opis:
    W artykule przedstawiono zastosowanie metody emisji akustycznej (EA) w badaniu stanu izolacji stałej w powietrzu. Badany obiekt stanowił układ elektrod płaskich wykonanych z aluminium. Dodatkowo przeprowadzono analizę EA wpływu obecności powłok dielektrycznych na powierzchniach elektrod aluminiowych i dodatkowego ich nasycenia (uszczelnienia) na wytrzymałość elektryczną układu izolacyjnego ze sprężonym powietrzem. Prace badawcze przeprowadzono przy ciśnieniu gazu o wartościach 1·105, 3·105, i 5·105, Pa, przy napięciu przemiennym o częstotliwości przemysłowej. Wskazano wady i zalety zastosowania EA w kontekście oceny stanu elektroizolacji urządzenia. Prezentowane wyniki potwierdzają zastosowanie metody emisji akustycznej, nie tylko w wykrywaniu zagrożonych obszarów, ale także służy ona do oceny czasu dalszego użytkowania układu izolacyjnego.
    The paper presents basic research of using acoustic emission method to analyze quality of insulation system with compressed air. Additionally performed analysis of acoustic emission signals accompanying the breakdowns in the insulation system with aluminum electrodes where electrode surface covered with double insulation layer composed of aluminum oxide and polyurethane or silicon paint. The tests have been carried out under the SF6 pressure of 1·105, 3·105, and 5·105, Pa to alternate voltage of 50 Hz frequency. Indicated the advantages and disadvantages use of EA in the context of the electric insulation condition. Showed results confirmed use of EA for detect of big risk areas and for analyzing insulation system lifetime
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 82; 183-188
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Internal Friction and Youngs Modulus Measurements on SiO2 and Ta2O5 Films Done with an Ultra-High Q Silicon-Wafer Suspension
    Badania tarcia wewnętrznego i modułu Younga w warstwach SiO2 i Ta2O5 przeprowadzone w układzie zawierającym mocowanie próbki w postaci wafli krzemowych, które charakteryzuje się skrajnie wysoką wartością parametru Q
    Autorzy:
    Granata, M.
    Balzarini, L.
    Degallaix, J.
    Dolique, V.
    Flaminio, R.
    Forest, D.
    Hofman, D.
    Michel, C.
    Pedurand, R.
    Pinard, L.
    Sassolas, B.
    Straniero, N.
    Teillon, J.
    Cagnoli, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355448.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ultra low loss suspensions
    Q measurements
    optical dielectric coatings
    silica
    tantala Ta2O5
    thin films
    niskie straty układu zawieszenia
    pomiar Q
    optyczne powłoki dielektryczne
    krzemionka
    tantal Ta2O5
    cienkie warstwy
    Opis:
    In order to study the internal friction of thin films a nodal suspension system called GeNS (Gentle Nodal Suspension) has been developed. The key features of this system are: i) the possibility to use substrates easily available like silicon wafers; ii) extremely low excess losses coming from the suspension system which allows to measure Q factors in excess of 2×108 on 3” diameter wafers; iii) reproducibility of measurements within few percent on mechanical losses and 0.01% on resonant frequencies; iv) absence of clamping; v) the capability to operate at cryogenic temperatures. Measurements at cryogenic temperatures on SiO2 and at room temperature only on Ta2O5 films deposited on silicon are presented.
    Aby umożliwić prowadzenie badań tarcia wewnętrznego (Q-1 ) w cienkich warstwach opracowano węzłowy układ zawieszenia o nazwie GeNS (Gentle Nodal Suspension). Do najważniejszych cech charakterystycznych tego układu zaliczamy: i) możliwość wykorzystania łatwo dostępnych substratów, takich jak wafle krzemowe; ii) bardzo niskie straty nadmiarowe pochodzące z samego układu zawieszenia, co umożliwia pomiar wielkości Q przekraczających wartość 2×108 na waflach o średnicy 3”; iii) powtarzalność wyników pomiarów strat mechanicznych w zakresie kilku procent, a częstotliwości rezonansowej w zakresie 0,01%; iv) brak mocowań próbki; v) możliwość prowadzenia pomiarów w temperaturach kriogenicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów uzyskanych w temperaturach kriogenicznych dla SiO2 i przy temperaturze pokojowej dla warstw Ta2O5 osadzonych na krzemie.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 365-370
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies