- Tytuł:
-
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method - Autorzy:
-
Raczkiewicz, M.
Tymicki, E.
Łukasiewicz, T. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192158.pdf
- Data publikacji:
- 2015
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
polityp 3C
SiC
wzrost z roztworu
polytype 3C
solution growth - Opis:
-
W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 4-11
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł