Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "pole pamięci" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Kobiety jako patronki podlaskiej przyrody i przestrzeni publicznej w XX-XXI wieku (hodonimy, pomniki i tablice pamiątkowe w Białymstoku oraz dendronimy w Puszczy Białowieskiej)
Women as Champions of the Natural Environments and Public Space in Podlasie in the Twentieth and Twenty-First Centuries (Hodonyms, Monuments and Commemorative Plaques in Białystok and Dendronyms in Białowieża Forest)
Autorzy:
Browarny, Wojciech
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2119981.pdf
Data publikacji:
2022-07-15
Wydawca:
Uniwersytet w Białymstoku. Wydawnictwo Uniwersytetu w Białymstoku
Tematy:
kobiety
pole pamięci
feminonimy
Białystok
Puszcza Białowieska
women
field of memory
feminonyms
Białowieża Forest
Opis:
Autor artykułu opisuje miejskie i regionalne „pole pamięci”. Analizuje żeńskie hodonimy i oficjalne formy upamiętniania kobiet w Białymstoku oraz żeńskie dendronimy w Puszczy Białowieskiej, a także komemoracje realizowane społecznie. Na tej podstawie omawia tendencje w lokalnej polityce symbolicznej w XX i XXI wieku, którą porównuje do ideologicznych założeń polskiej polityki pamięci. Korzystając z perspektywy regionalistycznej, naświetla dysproporcję między wieloetniczną i wielowyznaniową przeszłością Podlasia a praktykami znakowania przestrzeni publicznej i dziedzictwa przyrodniczo-kulturowego przez społeczność dominującą oraz instytucje państwa unitarnego.
The author of the article describes an urban and regional “field of memory”. He analyzes female hodonyms, official forms of commemorating women in Białystok and female dendronyms in the Białowieża Primeval Forest, as well as acts of civic commemorations. On this basis, he discusses trends in local symbolic politics in the twentieth and twenty-first centuries and compares them to the ideological assumptions of the Polish policy of memory. Using a regional perspective, the author highlights the disproportion between the past ethnic and religious diversity of Podlasie and the practices of marking public space and natural and cultural heritage by the dominant community and the institutions of the unitary state.
Źródło:
Białostockie Studia Literaturoznawcze; 2022, 20; 7-21
2082-9701
2720-0078
Pojawia się w:
Białostockie Studia Literaturoznawcze
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal assisted switching magnetic tunnel junctions as FPGA memory elements
Autorzy:
Silva, V.
Fernandes, J. R.
Oliveira, L. B.
Neto, H. C.
Ferreira, R.
Freitas, S.
Freitas, P. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397855.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
MRAM (oporność magnetyczna pamięci o dostępie swobodnym)
MTJ (magnetyczny tunel połączeń)
pisanie projektów (programów)
FIMS (pole indukowane magnetycznym przełącznikiem)
MRAM (magnetoresistive random access memory)
MTJ (magnetic tunnel junction)
writing schemes
FIMS (field induced magnetic switching)
TAS (thermal assisted switching)
STT
Opis:
This paper presents our research and development work on new circuits and topologies based on Magnetic RAM for use as configuration memory elements of reconfigurable arrays. MRAM provides non volatility with cell areas and with access speeds comparable to those of SRAM and with lower process complexity than FLASH memories. The new memory cells take advantage of the Thermal Assisted Switching (TAS) writing technique to solve the drawbacks of the more common Field Induced Magnetic Switching writing technique. The CMOS circuit structures to implement the main components for reading and writing the MTJ cells have been developed, characterized and evaluated. A scaled down prototype of a coarse grain reconfigurable array that employs the TAS-MRAM elements as configuration memory has been designed and electrically simulated pre- and post- layout. The results obtained for all the circuit elements, namely the storage cells and the current generators, indicate that the new configuration memory cells can provide a very promising technological solution for run-time reconfigurable hardware devices. The prototype has been manufactured using a standard process 0.35μm 4-Metal CMOS process technology and should be under test in the foreseeable future.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 31-36
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies