Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "point defects" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    The influence of heat treatment on point defect concentration in Fe-Al and Fe-Al-Cr systems
    Autorzy:
    Kansy, J.
    Hanc, A.
    Giebel, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146336.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    positron annihilation
    Fe-Al
    Fe-Al-Cr
    point defects
    Opis:
    FeAl alloys of nominal Al content 28, 38 and 45 at.% and Fe28Al5Cr with minor alloying elements added to improve their application properties are studied by positron annihilation lifetime analysis. The lifetime spectra of samples FeXAl with X greater-than or equal to 38 (both quenched and cooled with furnace) are described by a single lifetime component related to the saturated positron trapping by quenched-in vacancies of concentration much higher than 100 ppm. A very strong dependence of retained vacancy concentration on the rate of cooling is shown for Fe28Al and Fe28Al5Cr alloys. After quenching, the concentration is of the order of 10.4 whereas in samples slowly cooled it is reduced to 10.5. The chromium addition to Fe28Al5Cr dismisses the vacancies concentration in comparison to the concentration in Fe28Al after the same heat treatment.
    Źródło:
    Nukleonika; 2010, 55, 1; 21-25
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Point defects in the B2 - phase region of the Fe-Al system studied by Mössbauer spectroscopy and X-ray diffraction
    Autorzy:
    Hanc-Kuczkowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/147904.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    iron aluminides
    Mössbauer spectroscopy
    point defects
    X-ray diffraction
    Opis:
    In this work Mössbauer spectroscopy and X-ray powder diffraction was used to study of point defects formation in intermetallic phases of the B2 structure of the Fe-Al system as a function of Al concentration. The results are compared with the concentrations of point defects determined from positron annihilation data. The values of the 57Fe isomer shift and quadrupole splitting for the components describing the point defects in the local environment of a Mössbauer nuclide are presented. The concentration of the Fe vacancies and Fe atoms substituting Al (i.e. anti-site atom, Fe-AS) are determined. The results show that an increase in Al content causes an increase in vacancy and Fe-AS concentrations.
    Źródło:
    Nukleonika; 2013, 58, 1; 123-126
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermal defects in iron-based Fe-V solid solutions
    Autorzy:
    Chojcan, J.
    Beliczyński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/148884.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    dilute Fe-based alloys
    Mössbauer spectroscopy
    thermal point defects
    vacancy formation
    Opis:
    Room temperature 57Fe Mössbauer spectra, positron annihilation lifetime data, X-ray diffraction patterns, and energy distributions of X-rays induced by an electron beam were measured for samples of the Fe0.947V0.053 solid solution quenched from different temperatures not exceeding 1250 K, into water being at about 295 K. The data were analysed in terms of concentration of unoccupied sites in the 14-site neighbourhood of the 57Fe Mössbauer probe in the specimens. It was found that the vacancy formation enthalpy amounts to 0.8 š 0.2 eV in the materials studied.
    Źródło:
    Nukleonika; 2003, 48,suppl.1; 17-20
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
    Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
    Autorzy:
    Kaminski, P.
    Kozubal, M.
    Caldwell, J. D.
    Kew, K. K.
    Van Mil, B. L.
    Myers-Ward, R. L.
    Eddy, C. R. jr.
    Gaskill, D. K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192318.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    4H-SiC
    DLTS
    pułapka elektronowa
    defekt punktowy
    electron trap
    point defects
    Opis:
    Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to study defect centers in the epitaxial layers of nitrogen-doped n-type 4H-SiC before and after the irradiation with a dose of 1.0x1017 cm-2 of 300-keV electrons. It is shown that the minority carrier lifetime in the as-grown epilayers is predominantly affected by the Z1/2 center concentration. The capture cross-section of the Z1/2 center for holes is found to be ˜ 6.0x10-14 cm2. We have tentatively attributed the center to the divacancy VCVSi formed by the nearest neighbor silicon and carbon vacancies located in different (h or k) lattice sites. The substantial increase in the Z1/2 center concentration induced by the low-energy electron irradiation is likely to be dependent on both the residual concentration of silicon vacancies and nitrogen concentration in the as-grown material. Four irradiation-induced deep electron traps with the activation energies of 0.71, 0.78, 1.04 and 1.33 eV have been revealed. The 0.71-eV trap, observed only in the epilayer with a higher nitrogen concentration of 4.0x1015 cm3, is provisionally identified with the complex defect involving a dicarbon interstitial and a nitrogen atom. The 0.78-eV and 1.04-eV traps are assigned to the carbon vacancy levels for VC (2-/-) and VC (-/0), respectively. The 1.33-eV trap is proposed to be related to the dicarbon interstitial.
    Niestacjonarną spektroskopię pojemnościową (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w domieszkowanych azotem warstwach epitaksjalnych 4H-SiC typu n przed oraz po napromieniowaniu dawką elektronów o energii 300 keV, równą 1,0x1017 cm3. Pokazano, że czas życia mniejszościowych nośników ładunku w warstwach nienapromieniowanych jest zależny głównie od koncentracji centrów Z1/2. Stwierdzono, że przekrój czynny na wychwyt dziur przez te centra wynosi ˜ 6x1014 cm2. W oparciu o dyskusję wyników badań przedstawionych w literaturze zaproponowano konfigurację atomową centrów Z1/2. Stwierdzono, że centra te są prawdopodobnie związane z lukami podwójnymi VCVSi, utworzonymi przez znajdujące się w najbliższym sąsiedztwie luki węglowe (VC) i luki krzemowe (VSi) zlokalizowane odpowiednio w węzłach h i k lub k i h sieci krystalicznej 4H-SiC. Otrzymane wyniki wskazują, że przyrost koncentracji centrów Z1/2 wywołany napromieniowaniem elektronami o niskiej energii zależny jest zarówno od koncentracji luk krzemowych, jak i od koncentracji azotu w materiale wyjściowym. Wykryto cztery pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji 0,71 eV, 0,78 eV, 1,04 eV i 1,33 eV powstałe w wyniku napromieniowania. Pułapki o energii aktywacji 0,71 eV, które wykryto tylko w warstwie epitaksjalnej o większej koncentracji azotu równej 4x1015 cm-3, są prawdopodobnie związane z kompleksami złożonymi z atomów azotu i dwóch międzywęzłowych atomów węgla. Pułapki o energii aktywacji 0,78 eV i 1,04 eV przypisano lukom węglowym znajdującym się odpowiednio w dwóch różnych stanach ładunkowych VC(2-/-) i VC(-/0). Pułapki o energii aktywacji 1,33 są prawdopodobnie związane z aglomeratami złożonymi z dwóch międzywęzłowych atomów węgla.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 3-4, 3-4; 26-34
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of Cooling Rate on Magnetic Properties, Size and Type of Structural Defects in the Volume of Bulk Amorphous Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 Alloy in the Form of Rods of Various Diameters
    Wpływ prędkości chłodzenia na właściwości magnetyczne, wielkość i rodzaj defektów strukturalnych w stopie amorficznym Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 w postaci prętów o różnych średnicach
    Autorzy:
    Nabiałek, M.
    Dobrzańska-Danikiewicz, A.
    Lesz, S.
    Pietrusiewicz, P.
    Szota, M.
    Dośpiał, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353524.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    bulk amorphous alloys
    point defects
    quasi-dislocalized dipoles
    masywne stopy amorficzne
    defekty strukturalne
    Opis:
    This paper presents the results of microstructure and magnetic properties analysis for bulk amorphous samples of Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 alloy in the form of rods of 1 mm, 2 mm, and 3 mm diameters in the as-cast state, produced using the method of injecting liquid alloy into cooled copper mold. The main purpose of the research was to examine the effect of solidification speed of the liquid material into amorphous state on the shape of initial magnetization curve as well as to determine the type and size of structural defects occurring in the volume of the material. In order to achieve these objectives, the magnetization measurements were carried out, which according to H. Kronmüller’s theory on magnetization behavior near the area called reaching the ferromagnetic saturation, allow to determine the type, size, and surface density of structural defects occurring in the volume of the sample. The analysis of reduced magnetization curves indicates that solidification speed of the liquid alloy into the amorphous state is the main determining factor for the shape of initial magnetization curve and for the type and size of structural defects formed in the sample, which affects such magnetic parameters as: coercive field (HC) or saturation magnetization (MS).
    W pracy przedstawiono wyniki badań mikrostruktury oraz właściwości magnetycznych masywnego stopu amorficznego Fe36 Co36 B19 Si5 Nn4 w stanie po zestaleniu. Próbki stopu zostały wytworzone w postaci prętów o średnicy 1 mm, 2 mm i 3 mm przy zastosowaniu metody wtłaczania ciekłego materiału do miedzianej formy chłodzonej wodą. Mikrostrukturę próbek w stanie po zestaleniu badano wykorzystując dyfrakcję promieni Rontgena. natomiast magnetyzację w silnych polach magnetycznych mierzono wykorzystując magnetometr wibracyjny (VSM). Głównym celem pracy było zbadanie wpływu czasu zestalania ciekłego materiału do stałego stanu amorficznego na przebieg pierwotnej krzywej magnesowania oraz określenie rodzaju i wielkości defektów strukturalnych występujących w badanych próbkach.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 1; 263-268
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
    Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
    Autorzy:
    Kozubal, Michał
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192026.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    defekty punktowe
    głębokie pułapki
    DLTS
    napromieniowanie elektronami
    SiC
    point defects
    deep traps
    electron irradiation
    Opis:
    W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 1017 cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.
    In order to identify the atomic configuration of radiation defect centers the samples of 4H-SiC epitaxial layers were irradiated with 1.5 MeV electrons. The thermal activation energy and the apparent capture cross-section of the charge carriers of the defect centers were determined using deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of the temperature of the epitaxial layer during its irradiation with the electron dose of 1 x 1017 cm-2 on the concentration of generated traps was determined. On this basis, the models of their atomic configuration were proposed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 3-9
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reconfiguration of Point Defects in FCC and HCP Metals at Initial Stage of Recovery Process
    Rekonfiguracja struktury defektów sieciowych w początkowym stadium zdrowienia metali o sieci RSC I HZ
    Autorzy:
    Boczkal, G.
    Perek-Nowak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353727.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    FCC metals
    hcp metals
    point defects
    resistivity measurements
    metale RSC
    metale HZ
    defekty punktowe
    pomiary rezystywności
    Opis:
    The conducted studies regarded the analysis of change of structure of point defects occurring during initial stage of recovery of FCC (Al, Cu) and HCP (Ti, Mg and Zn) metals at temperature close to Th =0.5Tm. The changes in resistivity of the deformed and later recovered samples were measured. The recovery time was 1, 2, 3, 4 or 5 min. The observed changes were correlated with reorganization of arrangement of lattice defects during annealing.
    Przeprowadzone badania dotyczyły analizy zmian struktury defektów sieciowych, zachodzących w początkowym okresie zdrowienia metali RSC (Al, Cu) oraz HZ (Ti, Mg oraz Zn) w temperaturze zblizonej do T=0.5 Tm. Badano zmiany oporu właściwego odkształconych próbek poddanych zdrowieniu przy czasach 1, 2, 3, 4 lub 5 min. Obserwowane zmiany skorelowano z reorganizacja struktury defektów sieciowych podczas wyżarzania. Uzyskane wyniki pokazały, że w przypadku metali o sieci RSC spadek oporności właściwej w funkcji czasu zdrowienia maleje monotonicznie, co świadczy o postępującej anihilacji defektów strukturalnych. Dla sieci HZ stwierdzono, że zmiany te mają charakter oscylacyjny z minimum występującym po czasie około 1-2 min. Świadczy to o rekonfiguracji defektów sieciowych i tworzeniu się w początkowym stadium zdrowienia złożonych, niestabilnych termodynamicznie struktur (układy wakancji, petle, zarodki dyslokacji), które powodują chwilowy efekt oczyszczenia struktury i w konsekwencji spadek oporu właściwego poniżej poziomu właściwego dla struktury całkowicie poddanej zdrowieniu, charakteryzującej się równowagową koncentracją wakancji.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 4; 1321-1325
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions
    Autorzy:
    Andriyevsky, Bohdan
    Kashuba, A.
    Ilchuk, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118313.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    semiconductors
    point defects
    electronic band structure
    electrical transport
    optical properties
    computer simulations
    półprzewodniki
    wada punktowa
    struktura pasmowa
    transport elektryczny
    właściwości optyczne
    symulacje komputerowe
    Opis:
    We investigate an influence of the various crystal structure imperfections on the electronic properties and dielectric functions for In0.5Tl0.5I semiconductor in the frame of the density functional theory calculations. The tensor of electron effective mass m*ij of InI, In0.5Tl0.5I and TlI crystals has been calculated for the valence and conduction bands and different K-points of Brillouin zone. Dielectric functions ε(hν) of the defective crystals based on In0.5Tl0.5I solid state solution with iodine vacancy and thallium interstitial atom were calculated taking into consideration the inter-band and intra-band electron transitions. The studies of the defective crystals reveal increased low-frequency and stationary electron conductivity with anisotropy resulted from the anisotropy of the electron effective mass tensor. Our findings explain the origin of crucial changes in the band structure by formation the donor half-occupied levels close to the unoccupied conduction bands due to the crystal structure defects, i.e. iodine vacancy or thallium interstitial atom. It has been shown that in the case of real crystals, in particular metal-halides, the proper consideration of defects in quantum-chemical calculations results in a better matching of the theoretical and experimental results in comparison to the case when the perfect crystal structure had been used for calculations.
    Zbadano wpływ różnych niedoskonałości struktury krystalicznej na właściwości elektronowe i funkcje dielektryczne półprzewodnika In0.5Tl0.5I w ramach teorii funkcjonału gęstości. Został obliczony tensor efektywnej masy elektronów m* kryształów InI, In0.5Tl0.5I i TlI dla pasm walencyjnych i przewodnictwa oraz różnych K-punktów strefy Brillouina. Funkcje dielektryczne ε(hν) domieszkowanych kryształów roztworów stałych In0.5Tl0.5I z wakansami jodu i atomami międzywęzłowymi talu zostały obliczone z uwzględnieniem międzypasmowych i wewnątrz-pasmowych przejść elektronowych. Badania domieszkowanych kryształów ujawniły zwiększoną przewodność elektronową niskoczęstotliwościową i stacjonarną o anizotropii wynikającej z anizotropii tensora efektywnej masy elektronów. Przeprowadzone badania wyjaśniają obserwowane duże zmiany struktury pasmowej pochodzące z utworzenia pół wypełnionych poziomów donorowych w pobliżu niezajętych pasm przewodnictwa wynikających z defektów struktury krystalicznej, tj. wakansów jodu czy atomów międzywęzłową talu. Wykazano, że w przypadku kryształów rzeczywistych, w szczególności halogenków metali, właściwe uwzględnienie defektów w obliczeniach kwantowo-chemicznych daje możliwość lepszego dopasowania obliczeń teoretycznych do wyników doświadczalnych w porównaniu do obliczeń bazujących na strukturze krystalicznej doskonałej.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2019, 15; 35-56
    1897-7421
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Annealing on the Microstructure and Magnetic Properties in Amorphous Alloys
    Wpływ wygrzewania amorficznego stopu na mikrostrukturę oraz właściwości magnetyczne
    Autorzy:
    Pietrusiewicz, P.
    Nabiałek, M.
    Szota, M.
    Dośpiał, M.
    Błoch, K
    Gondro, J.
    Gruszka, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352943.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    magnetic properties
    classical amorphous alloys
    Kronmüller theory
    point structural defects
    linear structural defects
    właściwości magnetyczne
    stopy amorficzne
    teoria Kronmullera
    defekty punktowe
    Opis:
    The influence of isothermal annealing on the magnetisation process in strong magnetic fields of the amorphous Fe61Co10Y8Ni1B20 alloy ribbons was investigated. Samples in the form of ribbons were produced by rapid quenching of liquid alloy on a rotating copper wheel. In order to study the relaxation process, the investigated Fe61Co10Y8Ni1B20 samples were subjected to annealing below the crystallisation temperature at 700 K for 1 h and then at 770 K for 3.5 h. The structure of the samples was examined by X-ray diffraction measurements (XRD). It was found, that all of measured samples in the as-cast state and after thermal treatment, were amorphous. On the basis of virgin magnetisation curve analysis, the type, size and density of structural defects occurring in the investigated samples were determined. It was found that after the first stage of annealing, decay of linear defects (pseudo-dislocation dipoles) into smaller, more thermodynamically stable, point defects occurs. The presence of point like defects was also confirmed after the second stage of annealing.
    W pracy badano wpływ izotermicznego wygrzewania na proces magnesowania w silnych polach magnetycznych amorficznego stopu Fe61Co10Y8Ni1B20 w postaci taśmy. Materiał do badań wytworzono metodą szybkiego chłodzenia ciekłego stopu na miedzianym wirującym bębnie. Próbki stopu Fe61Co10Y8Ni1B20 poddano dwukrotnemu wygrzewaniu: 1) w temperaturze 700 K przez 1 godzinę. 2) w temperaturze 770 K przez 3,5 godziny. Strukturę taśm w stanie po zestaleniu i po obróbce termicznej badano za pomocą dyfraktometru rentgenowskiego. Wyniki analizy rentgenowskiej wykazały, że badane taśmy były w pełni amorficzne. Pomiar krzywych M-H wykonano za pomocą magnetometru wibracyjnego. Na podstawie analizy krzywych pierwotnego namagnesowania określono rodzaj, wielkość i gęstość defektów strukturalnych występujących w badanej taśmie. Na ich podstawie stwierdzono, że po pierwszym etapie wygrzewania nastąpił rozpad defektów liniowych (pseudodyslokacyjnych dipoli) na mniejsze bardziej stabilne termodynamicznie defekty punktowe, których obecność stwierdzono również po drugim etapie wygrzewania.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 2; 663-666
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Peculiarities of neutron interaction with boron containing semiconductors
    Autorzy:
    Didyk, A. Y.
    Hofman, A.
    Szteke, W.
    Hajewska, E.
    Vlasukova, L. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/148104.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    semiconductors
    thermal neutrons
    point defects
    vacancies
    damage concentration
    thermal neutron fluence
    cross-section of damage creation
    fission fragments
    lithium
    helium
    alfa-particles
    diffusion of impurities
    homogeneity of damage and active impurities
    Opis:
    Abstract. The results of point defect creation calculation in B4C, BN and BP semiconductor single crystals irradiated in the fast neutron reactor IBR-2 are presented. It has been shown that during the thermal neutron interaction with light isotope boron atoms (10B) the damage creation by means of fission nuclear reaction fragments (alfa-particles and 7Li recoil nuclei) exceeds the damage created by fast neutrons (En greater than 0.1 MeV) by more than two orders of value. It has been concluded that such irradiation can create a well developed radiation defect structure in boron-containing crystals with nearly homogeneous vacancy depth distribution. This may be used in technological applications for more effective diffusion of impurities implanted at low energies or deposited onto the semiconductor surface. The developed homogeneous vacancy structure is very suitable for the radiation enhanced diffusion of electrically charged or neutral impurities from the surface into the technological depth of semiconductor devices under post irradiation treatment.
    Źródło:
    Nukleonika; 2009, 54, 3; 163-168
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies