Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "plaski stan odksztalcenia" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Liniowa analiza numeryczna zachowania się gruntu pod fundamentem bezpośrednim przy wykorzystaniu czterowęzłowego elementu skończonego z wygładzonym polem naprężeń
    Linear numerical analysis of soil behaviour under shallow foundation using four node quadrilateral finite element with smoothed stress field
    Autorzy:
    Pasik, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/40758.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Tematy:
    fundamenty bezposrednie
    grunty budowlane
    analiza numeryczna
    metoda elementow skonczonych
    materialy liniowo sprezyste
    plaski stan odksztalcenia
    shallow foundation
    building land
    numerical analysis
    finite element method
    linear elastic material
    plane strain state
    Opis:
    W pracy wykonano analizę zachowania się gruntu pod fundamentem bezpośrednim z wykorzystaniem metody elementów skończonych. Kod źródłowy programu został napisany w języku Mathematica. Grunt zamodelowano jako materiał liniowo sprężysty. Obliczenia zostały przeprowadzone dla trzech rodzajów stopy fundamentowej: podatnej gładkiej, sztywnej szorstkiej i sztywnej gładkiej. Wyniki przeprowadzonych analiz przyrównano z wynikami obliczeń programu Midas GTS NX.
    The paper present analysis of soil behavior under shallow foundation using finite element procedure. The source code have been written in Mathematica language. The soil is modeled as linear elastic material. Computations have been carried out for three types of foot: Smooth flexible, rough rigid and smooth rigid. The results of the performed analysis were compared to the results of calculations by the computer software Midas GTS NX.
    Źródło:
    Acta Scientiarum Polonorum. Architectura; 2016, 15, 1
    1644-0633
    Pojawia się w:
    Acta Scientiarum Polonorum. Architectura
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Microstructure and texture evolution during annealing of plane strain compressed Al and Al-1%Mn alloy single crystals
    Ewolucja mikrostruktury i tekstury podczas wyżarzania monokryształów Al i Al-1%Mn odkształcacnych w płaskim stanie odkształcenia
    Autorzy:
    Miszczyk, M.
    Paul, H.
    Driver, J. H.
    Maurice, Cl.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352673.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    mikrostruktura
    tekstura
    płaski stan odkształcenia
    rekrystalizacja
    microstructure
    texture
    nucleation & recrystallization
    plane strain compression
    Opis:
    The microstructure and the texture evolutions of partly recrystallized samples of pure Al and the Al-1%wt. Mn alloy have been characterized by a high resolution SEM/EBSD. The single crystals of the Goss{110}<001> and brass{110}<112> orientations, stable in the plane strain compression, were deformed in a channel-die up to 60% to develop a homogeneous structure composed of two sets of symmetrical primary microbands and then shortly annealed. It is documented that the orientations of the initial nucleus were scattered but not accidental. The disorientation axes in the orientation relationship across the recrystallization front usually coincide with one of the <112>, <221>, <102> or <111> crystallographic directions and were rather rarely close to the <110> or <001> directions. The disorientation axis of the <111>- type is only one of the few most often observed.
    Przemiany tekstury w poczatkowych stadiach rekrystalizacji sa przedmiotem intensywnych badan, zwłaszcza tych które dotycza półwyrobów płaskich stosowanych w przemysle do wytwarzania opakowan droga głebokiego tłoczenia. W niniejszej pracy wykorzystano wysokorozdzielczy system SEM/EBSD do analizy tych zmian w nieswobodnie sciskanych próbkach aluminium oraz stopu Al-1%Mn. Dla przejrzystosci prowadzonej analizy, w badaniach wykorzystano próbki monokrystaliczne, o orientacjach stabilnych w płaskim stanie odkształcenia, tj. Gossf110g<001> i brassf110g<112>. Poddano je nieswobodnemu sciskaniu (powszechnie uznawanemu za modelowe przyblizenie procesu walcowania) do 40% i 60%, a nastepnie analizowano ich zachowanie w poczatkowych stadiach rekrystalizacji. W stanie po deformacji obserwowano jednorodna strukture dwu symetrycznie usytuowanych rodzin mikropasm, która w procesie rekrystalizacji sprzyjała pojawieniu sie nowych ziaren. Udokumentowano, ze orientacje poczatkowych ziaren, wyrastajacych ze struktury stanu zdeformowanego nie sa przypadkowe, i tylko scisle okreslona liczba grup orientacji moze sie pojawic w poczatkowym stadium wyzarzania. Dezorientacja obliczona poprzez migrujacy front rekrystalizacji zwiazana jest najczesciej z rotacja dookoła kierunków krystalograficznych typu <112>, <221>, <102> lub <111>, oraz rzadziej <110> lub <001>. Os dezorientacji typu <111> jest tylko jedna z kilku czesciej spotykanych.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 4; 933-938
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies