Temat: parametry impedancji - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Measurement of complex resistance parameters by the method of coordinate system displacement on current
Pomiary parametrów składowych impedancji metodą przesunięcia systemu współrzędnych według prądu
Autorzy:: Hrybok, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/155030.pdf
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: parametry impedancji
mierniki
wzorcowanie
metody algorytmiczne
complex resistance parameter
measurement
calibration
algorithmic methods
Opis:: Possibility of complex resistance parameter measurement within a frequency range by the method of coordinate system displacement on current components is investigated.
W pracy zbadano możliwości pomiaru parametrów impedancji metodą przesunięcia systemu współrzędnych według prądu w wybranym zakresie częstotliwości.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2006, R. 52, nr 12, 12; 53-57
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz
Autorzy:: Gerakis, V
Hatzopoulos, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/397752.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: substrate noise
interconnect coupling
substrate doping
S-parameters
Z-parameters
zakłócenia podłożowe
domieszkowanie substratu
parametry rozproszenia
parametry impedancji
Opis:: This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 144-148
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:: International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja