Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "p-module" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
New cases of equality between p-module and p-capacity
Autorzy:
Caraman, Petru
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1312444.pdf
Data publikacji:
1991
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
Tematy:
p-capacity
p-module
Opis:
Let E₀, E₁ be two subsets of the closure D̅ of a domain D of the Euclidean n-space $ℝ^n$ and Γ(E₀,E₁,D) the family of arcs joining E₀ to E₁ in D. We establish new cases of equality $M_pΓ(E₀,E₁,D) = cap_p(E₀,E₁,D)$, where $M_pΓ(E₀,E₁,D)$ is the p-module of the arc family Γ(E₀,E₁,D), while $cap_p(E₀,E₁,D)$ is the p-capacity of E₀,E₁ relative to D and p > 1. One of these cases is when p = n, E̅₀ ∩ E̅₁ = ∅, $E_i = E'_i ∪ E''_i ∪ E'''_i ∪ F_i$, $E'_i$ is inaccessible from D by rectifiable arcs, $E''_i$ is open relative to D̅ or to the boundary ∂D of D, $E'''_i$ is at most countable, $F_i$ is closed (i = 0,1) and D is bounded and m-smooth on (F₀ ∪ F₁) ∩ ∂D.
Źródło:
Annales Polonici Mathematici; 1991, 55, 1; 37-56
0066-2216
Pojawia się w:
Annales Polonici Mathematici
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Pd-P Layer on the Bonding Strength of Bi-Te Thermoelectric Elements
Autorzy:
Bae, Sung Hwa
Han, Se Hun
Son, Injoon
Kim, Kyung Tae
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353621.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
bismuth telluride
thermoelectric module
electroless Pd-P plating
bonding strength
Opis:
In this study, the effect of electroless Pd-P plating on the bonding strength of the Bi-Te thermoelectric elements was investigated. The bonding strength was approximately doubled by electroless Pd-P plating. Brittle Sn-Te intermetallic compounds were formed on the bonding interface of the thermoelectric elements without electroless Pd-P plating, and the fracture of the bond originated from these intermetallic compounds. A Pd-Sn solder reaction layer with a thickness of approximately 20 μm was formed under the Pd-P plating layer in the case of the electroless Pd-P plating, and prevented the diffusion of Bi and Te. In addition, the fracture did not occur on the bonding interface but in the thermoelectric elements for the electroless Pd-P plating because the bonding strength of the Pd-Sn reaction layer was higher than the shear strength of the thermoelectric elements.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2019, 64, 3; 963-968
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies