Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "odporność na promieniowanie" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Compiler-level implementation of single event upset errors mitigation algorithms
    Autorzy:
    Piotrowski, A.
    Tarnowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397937.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    oprogramowanie wdrażające odporność na uszkodzenia sprzętu
    techniki kompilacji
    algorytm ochrony tabeli
    pojedyńcze przypadkowe zakłócenia
    tolerancyjny system promieniowania
    promieniowanie otoczenia
    software implemented hardware fault tolerance
    compilation techniques
    table protection algorithm
    single event upset
    radiation tolerant system
    radiation environment
    Opis:
    Single Event Upset is a common source of failure in microprocessor-based systems working in environment with increased radiation level especially in places like accelerators and synchrotrons, where sophisticated digital devices operate closely to the radiation source. One of the possible solutions to increase the radiation immunity of the microprocessor systems is a strict programming approach known as the Software Implemented Hardware Fault Tolerance. Unfortunately, a manual implementation of SIHFT algorithms is difficult and can introduce additional problems with program functionality caused by human errors. In this paper author presents new approach to this problem, that is based on the modifications of the source code of the C language compiler. Protection methods are applied automatically during source code processing at intermediate representation of the compiled program.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 65-68
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Innowacyjne stanowisko do badania rękawic strażackich
    Innovative Stand for Testing of the Firefighters Gloves
    Autorzy:
    Mazur, J.
    Czarnecki, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/137021.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Szkoła Główna Służby Pożarniczej
    Tematy:
    rękawice strażackie
    przemakanie
    odporność na przemakanie
    stanowisko badawcze
    promieniowanie cieplne
    metoda badania
    firefighting gloves
    soaking
    resistance to soaking
    test stand
    thermal radiation
    test method
    Opis:
    W artykule opisano najważniejsze badania rękawic strażackich wykonane pod kątem spełnienia wymaganego w normie PN- EN 659 [1] poziomu ochrony przed promieniowaniem cieplnym. Autorzy przedstawili aktualną, obowiązująca metodę pomiaru odporności rękawic na przemoczenie, omówiono również możliwe przyczyny błędnej interpretacji wyniku badania. Została zaprezentowana innowacyjna metoda pomiaru odporności rękawic na przemakanie, dającą jednoznaczny i obiektywny wynik pomiaru, umieszczono opis stanowiska badawczego i sposób rejestrowania wyniku badań.
    The article describes the most important research of firefighters gloves which check the level of protection against thermal radiation. They are the required by the standard PN -EN 659 [1]. The authors presented a current, valid method for measuring the resistance of gloves to soaking and discussed the possible causes of the incorrect interpretation of the result. It was presented an innovative method for measuring the resistance of gloves to soaking, giving a clear and objective measurement results. It is a description of the test stand and register of result of research.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe SGSP / Szkoła Główna Służby Pożarniczej; 2016, 2, 58; 253-262
    0239-5223
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe SGSP / Szkoła Główna Służby Pożarniczej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie procesu starzenia wierzchnich skór obuwniczych pod wpływem promieniowania UV
    The study of aging upper leather materials when exposed to UV radiation
    Autorzy:
    Krysiak, K.
    Serweta, W.
    Ławińska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/412736.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Przemysłu Skórzanego
    Tematy:
    procesy starzenia skóry
    fotodegradacja
    odporność na promieniowanie UV
    leather ageing processes
    photodegradation
    UV resistance
    Opis:
    Artykuł opisuje analizę zmian szybkości procesów starzenia skórzanych materiałów obuwiowych wierzchnich poprzez zmianę ich barwy. Badania przeprowadzono w symulatorze przyśpieszonego procesu starzenia Q-SUN Xenon Test Chamber. Do oceny trwałości barwy na światło dzienne zastosowano międzynarodową skalę niebieską według PN – EN ISO105-B02: 2014, a do oceny zmiany barwy – skalę szarą według normy PN – EN ISO 105 – A02. Ocenę instrumentalną wykonano z wykorzystaniem zaleceń normy PN – EN ISO 105-A05 oraz własne doświadczenia. Efektem badań było uszeregowanie skórzanych materiałów wierzchnich pod względem odporności ich barwy na światło.
    The aim of research was analysis of ageing of upper leather materials connected with colour changes. The research was done with use of ageing chamber – XENOTEST. To the determine of colour resistance of leather materials, the Blue Wool Standard was applied (according to PN – EN ISO105-B02:2014). The changes of colour were registered by grey scale according to ISO 105 – A02. Instrumental measurements of colour changes were taken according to PN – EN ISO 105 – A05. The result of this study was the arrangement of the upper leather materials in terms of their colour resistance to light.
    Źródło:
    Technologia i Jakość Wyrobów; 2017, 62; 63-75
    2299-7989
    Pojawia się w:
    Technologia i Jakość Wyrobów
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Increasing radiation resistance of memory devices based on amorphous semiconductors
    Zwiększenie odporności na promieniowanie urządzeń pamięciowych w oparciu opółprzewodniki amorficzne
    Autorzy:
    Kychak, Vasyl
    Slobodian, Ivan
    Vovk, Victor
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841310.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    amorphous semiconductor
    chalcogenide glassy semiconductors
    radiation resistance
    memory cell
    półprzewodnik amorficzny
    półprzewodniki szkliste chalkogenowe
    odporność na promieniowanie
    komórka pamięci
    Opis:
    A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has been developed. The dependenceof the transistor and memory cell parameters on the dose of neutron flux and γ-quanta was investigated. It is shown that when the dose of neutron irradiation is changed, the steepness of the drain-gate characteristic (DGC) decreases by 10% at a dose of the order of 1015n/s, and at the same time,the transfer coefficient of the bipolar n-p-n transistor decreases by 20% at doses of 1013n/s, indicating a significant increase in the radiation resistanceof the proposed memory cell. In the case of irradiation with γ-quanta in the range up to 2.6 MRad, the steepness of the DGC of the proposed structure changes by only 10%. When used as an isolation element, a field-effect transistor with an insulated gate, the slope of the DGC is reduced by 50%.It is shown that the current of recording information of the proposed structure when changing the dose of γ -quantum flux to 2.6 MRad changes by about 10%, and at the same time, in the case of using a field-effect transistor with an isolated cover, the information recording current changes by 50%.The study of the dependence of the gate current on the dose of the γ-quanta is shown. When the radiation dose changes from 0 to 2.6 MRad, the gate current changes only by 10%, which indicates the high resistance of the proposed structure to the action of permeable radiation. Also, studiesof the dependence of the conductivityof single-crystal semiconductors on aradiation dose ɣ by quanta and neutron flux show that a significant increasein the specific resistivity of amorphous semiconductors occurs at doses 2–3 orders of magnitude larger than in the case of single-crystal n-type conductivity semiconductors.
    Zaproponowano strukturę komórki magazynującej, która wykorzystuje barierowy cienki tranzystor Schottky'ego oparty na półprzewodniku amorficznym jako element łączący, a także chalkogenową szklistą błonę półprzewodnikową jako element przełączający. Opracowano fizyczny model komórki pamięci. Zbadano zależność parametrów tranzystora i komórki pamięci od dawki strumienia neutronów i promieni gamma. Pokazano, że przy zmianie dawki napromieniowania neutronowego stromość charakterystyki odpowiedzi drenu zmniejsza się o 10% przy dawkach rzędu 1015n/s, a jednocześnie współczynnik przenoszenia bipolarnego tranzystora npn spada o 20% już przy dawkach 1013n/s, wskazując znaczny wzrost odporności na promieniowanie proponowanej komórki pamięci. Po napromieniowaniu kwantami gamma w zakresie do 2,6 MRad stromość charakterystyki dren-przepustnica proponowanej konstrukcji zmienia się tylko o 10%. W przypadku połączenia jako cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną kurtyną charakterystyka stromego spadku zmniejsza się o 50%. Wykazano, że prąd zapisu informacji o proponowanej strukturze przy zmianie dawki strumienia kwantowego gamma na 2,6 MRad zmienia się o około 10%, przy jednoczesnym zastosowaniu cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną osłoną, prąd zapisu informacji zmienia się o 50%. Badanie zależności prądu kurtynowego od dawki promieniowania gamma–kwanty. Gdy dawka promieniowania zmienia się od 0 do 2,6 MRad, prąd kurtyny zmienia się tylko o 10%, co wskazuje na wysoką odporność proponowanej struktury na działanie promieniowania przepuszczalnego. Badania zależności przewodności półprzewodników monokrystalicznych od dawki promieniowania γ przez kwanty i strumień neutronów pokazują, że znaczny wzrost rezystywności właściwej półprzewodników amorficznych występuje przy dawkach2–3 rzędów wielkości większych niż w przypadku półprzewodników przewodnictwa monokrystalicznego typu n.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 3; 78-81
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies