Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "nucleation & recrystallization" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Microstructure and texture evolution during annealing of plane strain compressed Al and Al-1%Mn alloy single crystals
    Ewolucja mikrostruktury i tekstury podczas wyżarzania monokryształów Al i Al-1%Mn odkształcacnych w płaskim stanie odkształcenia
    Autorzy:
    Miszczyk, M.
    Paul, H.
    Driver, J. H.
    Maurice, Cl.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352673.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    mikrostruktura
    tekstura
    płaski stan odkształcenia
    rekrystalizacja
    microstructure
    texture
    nucleation & recrystallization
    plane strain compression
    Opis:
    The microstructure and the texture evolutions of partly recrystallized samples of pure Al and the Al-1%wt. Mn alloy have been characterized by a high resolution SEM/EBSD. The single crystals of the Goss{110}<001> and brass{110}<112> orientations, stable in the plane strain compression, were deformed in a channel-die up to 60% to develop a homogeneous structure composed of two sets of symmetrical primary microbands and then shortly annealed. It is documented that the orientations of the initial nucleus were scattered but not accidental. The disorientation axes in the orientation relationship across the recrystallization front usually coincide with one of the <112>, <221>, <102> or <111> crystallographic directions and were rather rarely close to the <110> or <001> directions. The disorientation axis of the <111>- type is only one of the few most often observed.
    Przemiany tekstury w poczatkowych stadiach rekrystalizacji sa przedmiotem intensywnych badan, zwłaszcza tych które dotycza półwyrobów płaskich stosowanych w przemysle do wytwarzania opakowan droga głebokiego tłoczenia. W niniejszej pracy wykorzystano wysokorozdzielczy system SEM/EBSD do analizy tych zmian w nieswobodnie sciskanych próbkach aluminium oraz stopu Al-1%Mn. Dla przejrzystosci prowadzonej analizy, w badaniach wykorzystano próbki monokrystaliczne, o orientacjach stabilnych w płaskim stanie odkształcenia, tj. Gossf110g<001> i brassf110g<112>. Poddano je nieswobodnemu sciskaniu (powszechnie uznawanemu za modelowe przyblizenie procesu walcowania) do 40% i 60%, a nastepnie analizowano ich zachowanie w poczatkowych stadiach rekrystalizacji. W stanie po deformacji obserwowano jednorodna strukture dwu symetrycznie usytuowanych rodzin mikropasm, która w procesie rekrystalizacji sprzyjała pojawieniu sie nowych ziaren. Udokumentowano, ze orientacje poczatkowych ziaren, wyrastajacych ze struktury stanu zdeformowanego nie sa przypadkowe, i tylko scisle okreslona liczba grup orientacji moze sie pojawic w poczatkowym stadium wyzarzania. Dezorientacja obliczona poprzez migrujacy front rekrystalizacji zwiazana jest najczesciej z rotacja dookoła kierunków krystalograficznych typu <112>, <221>, <102> lub <111>, oraz rzadziej <110> lub <001>. Os dezorientacji typu <111> jest tylko jedna z kilku czesciej spotykanych.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 4; 933-938
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers
    Autorzy:
    Wośko, Mateusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174388.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    GaN
    nucleation
    recrystallization
    metalorganic chemical vapor deposition
    nitrides
    LED
    MSM
    MESFET devices
    Opis:
    In this work we present the influence of low temperature gallium nitride (LT-GaN) nucleation layer deposition and recrystallization conditions on the electrical and optical properties of buffer and active layer of metal–semiconductor field-effect transistor (MESFET) structure. MESFET structures were used to investigate the properties of bulk materials that determine also the performance of many type GaN based devices, like light emitting diodes (LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs) and metal–semiconductor–metal (MSM) detectors. The set of n-GaN/u-GaN/sapphire structures using different nucleation LT-GaN layers thickness and different annealing times was deposited using AIXTRON CCS epitaxial system. In contrast to typical procedure, the high resistive GaN buffer layer was not obtained by intentional Fe/Mg doping, but by specific adjustment of GaN nucleation conditions and recrystallization process parameters that introduce carbon atoms in epitaxial layers, that serve as donors. Generally, low pressure (below 200 mbar) in a reactor chamber, during initial stages of nucleation and recrystallization as well as HT-GaN epitaxy, promotes the growth of high resistive material. Obtained results show that annealing/recrystallization time of LT-GaN has a significant impact on the electrical and optical properties of GaN buffer layers. Longer annealing periods tend to promote crystallization of material with higher electron mobility and higher Si dopant incorporation/activation while maintaining high resistivity in u-GaN buffer area. It was shown that the dimensions of the GaN islands, that could be influenced by the duration of an annealing step of LT-GaN growth, have no impact on the HT-GaN buffer layer coalescence process and material resistivity, but influences mainly electrical properties of active n-GaN layer. Author suggests that the key parameters that are determining the buffer resistivity are the pressure and temperature during LT-GaN annealing and buffer layer coalescence. The influence of GaN island diameters, after LT-GaN annealing, on the u-GaN resistivity was not confirmed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2019, 49, 1; 167-176
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies