Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "monokryształ" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
    GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Wegner, R.
    Piersa, N.
    Surma, B.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Materna, A.
    Gładki, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    optyka w podczerwieni
    monokryształ
    transmitancja monokryształów
    zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
    Opis:
    Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
    In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni
    Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra
    Autorzy:
    Możdżonek, M.
    Zabierowski, P.
    Majerowski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192279.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    monokryształ krzemu
    domieszkowanie kryształów krzemu
    metoda Czochralskiego
    widmo absorpcyjne
    daleka podczerwień
    Opis:
    Monokryształy krzemu otrzymane metodą Czochralskiego (Cz - Si) domieszkowano azotem poprzez wzrost w atmosferze Ar + N2. Wykonując pomiary absorpcji optycznej po izotermicznych wygrzewaniach zbadano proces generacji płytkich donorów termicznych (STDs) związanych z kompleksami N[indeks dolny]i-O[indeks dolny]mi. Określono warunki procesów termicznych, w których koncentracja defektów ulega nasyceniu ( 650°C min. Igodz. lub 600°C min. 3 godz.). Przedstawiono metodę określania koncentracji azotu w monokryształach Cz - Si w zakresie l x 10[indeks górny]13 ≥ [N] < 5 x 10[indeks górny]14 at.cm-³ opartą o pomiar absorpcji w zakresie dalekiej podczerwieni w niskich temperaturach.
    The nitrogen doping of Czochralski silicon crystals was accomplished by adding a small amount of N[sub]2 gas to the argon ambient in the growth chamber. The generation process of shallow thermal donors (STDs) attributed to N[sub]i-O[sub]mi complexes with the measurement of their optical absorption after isothermal annealing was investigated. On the basis of the obtained results, we proposed the annealing conditions when concentration of complexes reaches a saturated value (650°C, min. 1 h or 600°C, min. 3 h). We have defined the method for the quantitative measurement of nitrogen in CZ silicon crystals by means of low temperature Fourier transform infrared spectroscopy (LT-FTIR), based on measurement in the far-infrared range. This method can be used for the detection of the nitrogen concentration in the range of 1 x l0[sup]13 - 5 x l0[sup]14 at.cm-³.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 31-46
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
    Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Surma, B.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    widmo absorpcyjne w podczerwieni
    krzywa kalibracji
    niedomieszkowany monokryształ GaP
    określanie koncentracji węgla
    Opis:
    W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
    Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nonmetallic Inclusions in a New Alloy for Single-Crystal Permanent Magnets
    Autorzy:
    Belyaev, I. V.
    Bazhenov, V. E.
    Kireev, A. V.
    Moiseev, A. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/383082.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    magnetic alloy
    single crystals
    nonmetallic inclusions
    formation mechanism
    stop magnetyczny
    monokryształ
    wtrącenia niemetaliczne
    Opis:
    The morphology, chemical composition and formation mechanism of non-metallic inclusions in magnetic alloy of Fe-Co-Ni-Cu-Al-Ti-Hf system were investigated. These alloys are used in manufacturing single-crystal permanent magnets. Modern methods for the identification of non-metallic inclusions, as well as computer simulation of the processes of their formation by Thermo Calc software were used in the work. It was found that studied alloy contains (Ti, Hf)S titanium and hafnium sulfides, (Ti, Hf)2SC titanium and hafnium carbosulfides, Ti2O2S titanium oxisulfide, HfO2 hafnium oxide, and Al2O3 aluminum oxide. No titanium and hafnium nitrides were found in the alloy. The bulk of nonmetallic inclusions are (Ti, Hf)2SC carbosulfides and (Ti, Hf)S sulfides. All carbides and many oxides are within carbosulfides and sulfides. When the sulfur content in the alloy is no more than 0.2%, and carbon content does not exceed 0.03%, carbosulfides are formed in the solidification range of the alloy and has an faceted compact form. If the sulfur content in the alloy becomes more than 0.2% and carbon content more than 0.03%, the carbosulfide formation begins before the alloy solidification or at the beginning stages of solidification. In this case, carbosulfides are dendritic and coarse. Such carbosulfides actively float in the solidified melt and often come to the surface of the castings. In this case, specific surface defects are formed in single-crystal magnets, which are called sulfide stains. All titanium and hafnium sulfides are formed at the lower part of solidification range and have elongated shape.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2018, 18, 2; 11-14
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Internal Friction of Single Crystals, Bicrystals and Polycrystals of Pure Magnesium
    Tarcie wewnętrzne monokryształów, bikryształów i polikryształów czystego magnezu
    Autorzy:
    Jiang, W. B.
    Kong, Q. P.
    Magalas, L. B.
    Fang, Q. F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/354563.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    magnesium
    single crystal
    bicrystal
    polycrystal
    grain boundary
    internal friction
    magnez
    monokryształ
    bikryształy
    polikryształ
    granica ziarna
    tarcie wewnętrzne
    Opis:
    The internal friction of magnesium single crystals, bicrystals and polycrystals has been studied between room temperature and 450°C. There is no internal friction peak in the single crystals, but a prominent relaxation peak appears at around 160°C in polycrystals. The activation energy of the peak is 1.0 eV, which is consistent with the grain boundary self-diffusion energy of Mg. Therefore, the peak in polycrystals can be attributed to grain boundary relaxation. For the three studied bicrystals, the grain boundary peak temperatures and activation energies are higher than that of polycrystals, while the peak heights are much lower. The difference between the internal friction peaks in bicrystals and polycrystals is possibly caused by the difference in the concentrations of segregated impurities in grain boundaries.
    Badania tarcia wewnętrznego w monokryształach, bikryształach i polikryształach magnezu przeprowadzono w zakresie temperatur między temperaturą pokojową a 450°C. W monokryształach magnezu nie występuje pik tarcia wewnętrznego, ale wyraźny pik relaksacyjny pojawia się przy około 160°C w polikryształach. Energia aktywacji piku wynosi 1,0 eV, co jest zgodne z energią autodyfuzji Mg przez granice ziaren. Z tego względu pik tarcia wewnętrznego występujący w polikryształach można przypisać relaksacji granic ziaren. W przypadku trzech badanych bikryształów temperatury pików pochodzących od granic ziaren i ich energie aktywacji są wyższe niż w przypadku polikryształów, ale wysokości tych pików są znacznie niższe. Różnica między pikami tarcia wewnętrznego w bikryształach i polikryształach jest prawdopodobnie spowodowana przez różnicę stężeń zanieczyszczeń segregujących na granicach ziaren.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 371-375
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
    Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Caban, P.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    ZnO monocrystal
    ion implantation
    radiation defect analysis
    wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
    monokryształ ZnO
    implantacja jonów
    analiza defektów radiacyjnych
    Opis:
    High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
    Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Laser surface melting of cobalt monocrystal
    Laserowe topnienie powierzchniowe monokryształu kobaltu
    Autorzy:
    Rożniakowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296546.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    laser
    monokryształ kobaltu
    topnienie powierzchniowe
    fale kapilarne
    domeny magnetyczne typu Kittela
    cobalt monocrystal
    superficial melting
    capillary waves
    Kittel type magnetic domains
    Opis:
    The paper presents a concise description of laser surface melting of cobalt monocrystal and some related phenomena. Pulses of electromagnetic radiation of nano and mili-second duration, generated by Nd:YAG laser were used for surface heating. Light was incident on (0001) plane of cobalt monocrystal. The influence of surface roughness on the domain image observed with SEM ( type I magnetic contrast) was examined. Roughness of the surface was changed by polishing with diamond powders and superficial melting with nanosecond pulse of laser energy. The r.m.s. profile deviation σ of the examined surfaces was determined with reflexometric method. The depth of layer melted with nanosecond light pulse was evaluated for the isotropic model of metal and on the assumption that material constants are not temperature-dependent. Qualitative discussion of the phenomena associated with laser surface melting, i.e. generation of capillary waves and refinement of the Kittel type magnetic domains was included.
    W pracy przedstawiono opis zjawiska laserowego topnienia powierzchniowego monokryształu kobaltu oraz zjawisk z nim związanych. W badaniach stosowano nano i milisekundowe impulsy promieniowana elektromagnetycznego, emitowanego przez lasery Nd:YAG. Promieniowanie kierowano na powierzchnię (0001) monokryształu kobaltu. Zbadano wpływ chropowatości powierzchni (0001) na obraz domen magnetycznych (I-y typ magnetycznego kontrastu) monokryształu kobaltu, obserwowanych za pomocą SEM. Chropowatość powierzchni zmieniano stosując metodę polerowania z użyciem diamentowych proszków i topnienie powierzchniowe nanosekundowym impulsem laserowej energii. Średnie kwadratowe odchylenie profilu σ badanych powierzchni oszacowano refleksometryczną metodą optyczną. Obliczono głębokość obszaru stopionego nanosekundowym impulsem laserowym, stosując izotropowy model badanego metalu oraz niezależność stałych materiałowych od temperatury. Przeprowadzono jakościową dyskusję zjawisk (generacja fal kapilarnych oraz rafinacja domen magnetycznych typu Kittela) powstających podczas powierzchniowego topnienia warstwy wierzchniej monokryształu kobaltu impulsem milisekundowym.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 53-67
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies