Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "model tranzystora polowego MOS" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
A rapid analysis of very short channel MOSFET performances by using a dynamic simple model
Autorzy:
Rabhi, A.
El`Hadj Bekka, R.
Benhamadouche, A.
Rahmoune, F.
Charlot, J.-J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398108.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
model tranzystora polowego MOS
MOSFET modeling
BSIM3V3
Verilog-A
Opis:
A simplified MOSFET model is presented in this paper. The performances of the model, UNICELL (Unique Cell Model), are compared to those provided by BSIM3V3 taken as reference, even for very short channel length MOSFET (45 nm). It is shown that using only two UNICELL cells (BICELL) gives a good deal for CAD static and dynamic usage, because of the few number of parameters to be used in comparison to BSIM3. BICELL can also be used for determining internal performance analysis.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 225-228
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies