- Tytuł:
-
High rate deposition of thin film compounds - modeling of reactive magnetron sputtering process
Wydajne osadzanie cienkich warstw związków chemicznych – modelowanie procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego - Autorzy:
-
Tadaszak, K.
Paprocki, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/159030.pdf
- Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
- Tematy:
-
reactive magnetron sputtering
thin films
modeling of magnetron sputering
reaktywne rozpylanie magnetronowe
cienkie warstwy
model procesu rozpylania - Opis:
-
Deposition of compound thin films with reactive magnetron sputtering method causes a lot of difficulties, of which the main ones are the instability of the process and decrease of the deposition rate. Computer simulations were performed using Berg’s model assumptions. Firstly, effect of basic process parameters on aluminum oxide deposition was examined, also theoretical characteristics of the deposition of Al2O3, AlN, TiO2, TiN were compared. Next, the parameters for efficient deposition of titanium oxide were determined. Simulations were confirmed by the results of experimental work. The purpose of presented work was to define, with Berg’s model, mechanisms which enable deposition, in metallic mode of magnetron work, of oxides with properties near to stochiometric. Presented analysis results were compared to real process parameters observed during reactive sputtering .
Osadzanie cienkich warstw związków metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego sprawia wiele trudności, spośród których głównymi są niestabilność procesu i spadek szybkości osadzania. Komputerowe symulacje wykonano wykorzystując założenia modelu Berga. W pierwszej kolejności sprawdzono wpływ podstawowych parametrów procesu na osadzanie tlenku glinu. Porównano również teoretyczne charakte-rystyki osadzania Al2O3, AlN, TiO2, TiN. Następnie określono parametry umożliwiające wydajne osadzanie tlenku tytanu. Symulacje potwierdzono wynikami prac eksperymentalnych. Głównym celem pracy była próba określenia mechanizmów umożliwiających osadzanie w modzie metalicznym tlenków o właściwościach zbliżonych do warstw o składzie stechio-metrycznym. - Źródło:
-
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2013, 263; 95-104
0032-6216 - Pojawia się w:
- Prace Instytutu Elektrotechniki
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł