Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "mid-wave infrared" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Sensor performance and cut-off wavelength tradeoffs of III-V focal plane arrays
    Autorzy:
    James, Jonathan Ch.
    Haran, Terence L.
    Lane, Sarah E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204205.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    infrared focal plane arrays
    III-V semiconductor infrared detector technologies
    infrared sensor performance modelling
    infrared sensor design
    mid-wave and longwave infrared sensors
    Opis:
    Infrared detector technologies engineered from III-V semiconductors such as strained-layer superlattice, quantum well infrared photodetectors, and quantum dot infrared photodetectors provide additional flexibility to engineer bandgap or spectral response cut-offs compared to the historical high-performance detector technology of mercury/cadmium/telluride. The choice of detector cut-off depends upon the sensing application for which the system engineer is attempting to maximize performance within an expected ensemble of operational scenarios that define objects or targets to be detected against specific environmental backgrounds and atmospheric conditions. Sensor performance is typically characterised via one or more metrics that can be modelled or measured experimentally. In this paper, the authors will explore the impact of detector cut-off wavelength with respect to different performance metrics such as noise equivalent temperature difference and expected target detection or identification ranges using analytical models developed for several representative sensing applications encompassing a variety of terrestrial atmospheric conditions in the mid-wave and long-wave infrared wavelength bands. The authors will also report on their review of recently published literature concerning the relationships between cut-off wavelength and the other detector performance characteristics such as quantum efficiency or dark current for a variety of detector technologies.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144570
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigations of microstructure and phase transformations of Fe71.25Si9.5B14.25In5 alloy
    Badania mikrostruktury i przemian fazowych w stopie Fe71,25Si9,5B14,25In5
    Autorzy:
    Wojciechowska, M.
    Ziewiec, K.
    Ferenc, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/264182.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    amorphous/crystalline composites
    mid wave infrared camera
    scanning electron microscope (SEM)
    differential thermal analysis (DTA)
    kompozyt amorficzno-krystaliczny
    kamera termowizyjna średniej podczerwieni
    skaningowa mikroskopia elektronowa (SEM)
    termiczna analiza różnicowa (DTA)
    Opis:
    The aim of this work was to study the microstructure and high-temperature phase transformations of the Fe71.25Si9.5B14.25In5 alloy. The alloy was remelted in a resistance furnace, and a sequence of melting and crystallization at a range of high temperatures was observed using a mid-wave infrared MWIR camera. The alloy was also investigated by differential thermal analysis (DTA). The microstructure of the alloy was studied using a scanning electron microscope SEM with an energy dispersive spectrometer (EDS). The results show that there is a clear partition into two liquids in the studied alloy. The ingot microstructure presents very strong segregation into the eutectic regions enriched in the Fe-Si-B and In-rich regions.
    Celem pracy było zbadanie mikrostruktury oraz wysokotemperaturowych przemian fazowych zachodzących w stopie Fe71,25Si9,5B14,25In5. Proces przetapiania oraz krystalizacji stopu w piecu oporowym został zarejestrowany za pomocą kamery termowizyjnej pracującej w zakresie średniofalowej podczerwieni. Wykonano również różnicową analizę termiczną DTA badanego stopu. Mikrostrukturę zbadano przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego SEM wyposażonego w spektrometr energii rozproszonej EDS. Wyniki wykazują, że w badanym stopie zachodzi wyraźny podział na dwie ciecze. Mikrostruktura wlewka zawiera składnik eutektyczny bogaty w Fe, Si i B oraz fazę wzbogaconą w In.
    Źródło:
    Metallurgy and Foundry Engineering; 2017, 43, 1; 67-72
    1230-2325
    2300-8377
    Pojawia się w:
    Metallurgy and Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Discussion around IR material and structure issues to go toward high performance small pixel pitch IR HOT FPAs
    Autorzy:
    Gravrand, Olivier
    Baier, Nicolas
    Ferron, Alexandre
    Rochette, Florent
    Lobre, Clément
    Bertoz, Jocelyn
    Rubaldo, Laurent
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2204207.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    mid-wave infrared
    focal plane array
    high operating temperature
    small pitch
    modulation transfer function
    finite element method
    Opis:
    In the last decade, infrared imaging detectors trend has gone for smaller pixels and larger formats. Most of the time, this scaling is carried out at a given total sensitive area for a single focal plane array. As an example, QVGA 30 μm pitch and VGA 15 μm pitch exhibit exactly the same sensitive area. SXGA 10 μm pitch tends to be very similar, as well. This increase in format is beneficial to image resolution. However, this scaling to even smaller pixels raises questions because the pixel size becomes similar to the IR wavelength, but also to the typical transport dimensions in the absorbing material. Hence, maintaining resolution for such small pixel pitches requires a good control of the modulation transfer function and quantum efficiency of the array, while reducing the pixel size. This might not be obtained just by scaling the pixel dimensions. As an example, bulk planar structures suffer from excessive lateral diffusion length inducing pixel-to-pixel cross talk and thus degrading the modulation transfer function. Transport anisotropy in some type II superlattice structures might also be an issue for the diffusion modulation transfer function. On the other side, mesa structures might minimize cross talk by physically separating pixels, but also tend to degrade the quantum efficiency due to a non-negligible pixel fill factor shrinking down the pixel size. This paper discusses those issues, taking into account different material systems and structures, in the perspective of the expected future pixel pitch infrared focal plane arrays.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144561
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies