Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "microelectronics" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
    Autorzy:
    Gibki, J.
    Kątcki, J.
    Ratajczak, J.
    Łukasik, L.
    Jakubowski, A.
    Tomaszewski, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309219.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    microelectronics
    SOI technology
    characterization
    Opis:
    SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 81-83
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs
    Autorzy:
    Goffioul, M.
    Dambrine, G.
    Vanhoenacker, D.
    Raskin, J.P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309323.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    microelectronics
    microwave devices
    SOI MOSFET
    Opis:
    The high frequency performances including microwave noise parameters for sub-quarter micron fully- (FD and partially-depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) n-MOSFETs are described and compared. Direct extraction techniques based on the physical meaning of each small-signal and noise model element are used to extract the microwave characteristics of various FD and PD SOI n-MOSFETs with different channel lenghts and widths. TiSi2 silicidation process has been demonstrated very efficient to reduce the sheet and contact resistances of gate, source and drain transistor regions. 0.25 žm FD SOI n-MOSFETs with a total gate width of 100 žm present a state-of-the-art minimum noise figure of 0.8 dB and high associated gain of 13 dB at 6 GHz for V(ds) = 0.75 V and P(dc) < 3 mW. A maximum extrapolated oscillation frequency of about 70 GHz has been obtained at V(ds) = 1 V and J(ds) = 100 mA/mm. This new generation of MOSFETs presents very good analogical and digital high speed performances with a low power consumption which make them extremely attractive for high frequency portable applications such as the wireless communications.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 72-80
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs
    Autorzy:
    Goffioul, M.
    Vanhoenacker, D.
    Raskin, J.P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309316.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    microelectronics
    microwave devices
    SOI MOSFET
    Opis:
    Original extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for SOI MOSFETs are presented. The characterization method combines careful design of probing and calibration structures, rigorous in situ calibration and a powerful direct extraction method. The proposed characterization procedure is directly based on the physical meaning of each small-signal behavior of each model parameter versus bias conditions, the high frequency equivalent circuit can be simplified for extraction purposes. Biasing MOSFETs under depletion, strong inversion and saturation conditions, certain technological parameters and microwave small-signal elements can be extracted directly from the measured S-parameters. These new extraction techniques allow us to understand deeply the behavior of the sub-quarter micron SOI MOSFETs in microwave domain and to control their fabrication process.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 59-66
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie termowizji w badaniach nieniszczących i w mikroelektronice
    Application of Thermography in Non Destructive Testing and microelectronics
    Autorzy:
    Więcek, B. [et al.]
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153907.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    termowizja
    badania nieniszczące
    mikroelektronika
    nondestructive testing
    thermography
    microelectronics
    Opis:
    W niniejszym artykule przedstawiono podstawowe zagadnienia jakimi zajmuje się Zespół Termografii Komputerowej Instytutu Elektroniki PŁ. Ponieważ zastosowania termowizji są bardzo ogromne i rosną, dlatego autorzy wybrali następujące zagadnienia, które są obecnie realizowane: projektowanie interfejsów do kamer termowizyjnych i integracja systemów, projektowanie radiatorów układów scalonych VLSI, wykorzystanie własności dynamicznych rur cieplnych w chłodzeniu układów elektronicznych. Przedstawione zostały również nowe zagadnienia, którymi zajmuje się zespół, takie jak badania nieniszczące z wykorzystaniem fali cieplnej jak również chłodzenie układów elektronicznych z wykorzystaniem pompy kapilarnej.
    In this article, an overview of thermography applications developed in the Institute of Electronics, Technical University of Lodz are presented. The growing interest of thermography in various field of applications is observed. In the domain of scientific investigations, thermography is successfully applied for modelling cooling systems in microelectronics, including phase change solutions. Additionally, dynamic thermography is widely used in non destructive testing in material science. Thermal wave method and pulse thermography are applied.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2002, R. 48, nr 11, 11; 8-12
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of Genetic Algorithm to Determine Thermal Properties of Microelectronic Layered Structures
    Autorzy:
    Arsoba, R.
    Suszyński, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/92932.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Uniwersytet Przyrodniczo-Humanistyczny w Siedlcach
    Tematy:
    genetic algorithm
    inverse problem
    microelectronics
    thermal properties
    layered structure
    Opis:
    In the paper, possibilities of application of genetic algorithms to determine thermal properties depth profile in microelectronic layered structures were presented. A developed computational method was described and results obtained using the method for a thyristor structure were presented.
    Źródło:
    Studia Informatica : systems and information technology; 2008, 1(10); 15-26
    1731-2264
    Pojawia się w:
    Studia Informatica : systems and information technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zakres spektralny kamery termowizyjnej do badań w mikroelektronice
    Spectral Range of IR Camera for Research in Microelectronics
    Autorzy:
    Błąd, G.
    Wałach, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/157693.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    termografia
    mikroelektronika
    niepewność
    infrared thermography
    microelectronics
    uncertainty
    Opis:
    Omówiono główne czynniki wpływające na wybór zakresu spektralnego kamery termowizyjnej do badań w mikroelektronice: parametry katalogowe kamer, przebiegi krzywych kalibracyjnych oraz własności promienne mikroukładów. Dla oceny kamer opracowano procedurę i obliczono niepewność standardową pomiaru emisyjności i temperatury. Zwykle mniejszą niepewność oferują kamery średniofalowe, lecz inne czynniki mogą zdecydować o wyborze kamery długofalowej.
    In microelectronics the accuracy of infrared thermography very often depends strongly on the IR camera spectral range. Cameras with different spectral ranges are usually compared using the uncertainty of temperature measurements. There are several works devoted to calculating this uncertainty. Unfortunately, in these works the uncertainty of emissivity measurements is arbitrarily determined, which makes it difficult to evaluate generally the accuracy of cameras. In the paper procedures for calculation of the relative combined standard uncertainties of emissivity and temperature measurements are proposed. Thanks to knowledge of the definition of some camera parameters it was possible to estimate well the uncertainty components coming from the camera by using statistical relationships and to achieve a high reliability of calculations. The calculation results allow one both to evaluate generally the uncertainties for IR cameras with various spectral ranges and to determine the conditions of obtaining low values of these uncertainties. The camera calibration curve shape influences not only the uncertainty but also the result of averaging temperatures in the camera ground instantaneous field-of-view. The dependence of this result on the spectral range is analysed in the work. In microelectronics the radiative properties of the components may often have the main influence on the choice of camera. Some of these properties and their impact on measurements are also discussed.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2009, R. 55, nr 11, 11; 878-881
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Komparator do generacji znaczników czasowych w układach odczytowych dla detektorów paskowych
    Discrininator for timestamping in strip detector readout integrated circuits
    Autorzy:
    Kasiński, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408032.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    komparator
    wielokanałowe układy scalone
    detektory paskowe
    mikroelektronika
    discriminator
    multichannel integrated circuits
    strip detectors
    microelectronics
    Opis:
    Artykuł prezentuje projekt niskomocowego komparatora przygotowanego dla potrzeb nadawania znaczników czasowych w wielokanałowym scalonym układzie odczytowym do detektorów paskowych. Przedstawione zostały: zarys analogowego układu front-end z dwutorowym przetwarzaniem, czynniki ograniczające dokładność wyznaczania znacznika czasowego oraz dokładny projekt 3-stopniowego komparatora zoptymalizowanego dla docelowej aplikacji.
    This paper presents the design of a low-power comparator for timestamping purposes in multichannel integrated circuit for silicon strip detectors’ readout. A brief introduction to an analog front-end electronics with two signal paths is presented. Moreover, issues regarding accuracy of timestamp determination and details of 3-stage comparator architecture are included.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2013, 1; 25-28
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ najnowszych osiągnięć mikroelektroniki oraz nanotechnologii na bezpieczeństwo procesów przemysłowych
    The influence of recent microelectronics and nanotechnology research for industrial processes safety
    Autorzy:
    Nowrot, A.
    Joostberens, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/326827.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
    Tematy:
    nanotechnologia
    czujniki
    mikroelektronika
    nanotechnology
    sensors
    microelectronics
    Opis:
    W ciągu ostatnich dziesięciu lat nastąpił silny rozwój nanotechnologii, co w konsekwencji zaowocowało powstaniem nowych materiałów oraz układów elektronicznych, w tym kolejnej generacji sensorów. Zastosowanie nowych rozwiązań już dzisiaj istotnie wpływa na wzrost wydajności procesów przemysłowych oraz ich bezpieczeństwo. W artykule przedstawiono analizę najnowszych osiągnięć m.in. w dziedzinie nanotechnologii w kontekście nowych aplikacji. Znaczna część zaprezentowanych rozwiązań znajduje lub znajdzie zastosowanie m.in. w przemyśle wydobywczym i energetycznym.
    In the past ten years there has been a strong development of nanotechnology, which in turn led to the creation of new materials, electronics devices and next sensors generation. The new applied solutions significantly affect on the progress in the performance of industrial processes and their safety. The paper presents an analysis of the latest developments in the field of nanotechnology and their new applications. A large part of the presented technologies are already applied or they will be applied in the future, inter alia, in the mining industry and energy sectors.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska; 2015, 79; 235-243
    1641-3466
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Śląska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Strength analysis of solder joints used in microelectronics packaging
    Badania wytrzymałości połączeń lutowanych stosowanych w montażu w mikroelektronice
    Autorzy:
    Wymysłowski, Artur
    Jankowski, Krystian
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1365194.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
    Tematy:
    microelectronics
    solder alloys
    reliability
    damage accumulation
    mikroelektronika
    stopy lutownicze
    niezawodność
    kumulacja uszkodzeń
    Opis:
    The aim of the research was the problem of damage accumulation for solder alloys used in microelectronics packaging due to creep and fatigue as a result of a combined profile of loading conditions. The selected failure modes affect the lifetime of contemporary electronic equipment. So far the research activities are focused on a single failure mode and the problem of their interaction is often omitted. Taking into account the failure modes interaction would allow more precise lifetime prediction of the contemporary electronic equipment and/or would allow for reduction of time required for reliability tests. Within the taken research framework the reliability analysis of solder joints was conducted for the Sn63Pb37 solder alloy using the Hot Bump Pull method. The results of the presented research contain: reliability tests, statistical analysis and the problem of a damage accumulation due to a combined profile of loading conditions.
    Celem badań był problem kumulacji uszkodzeń dla stopów lutowniczych stosowanych w montażu w mikroelektronice w wyniku zmęczenia i pełzania na skutek złożonego profilu obciążeń. Wybrane rodzaje uszkodzeń przyczyniają się do ograniczenia czasu życia współczesnych urządzeń elektronicznych. Aktualnie prowadzi się badania z wykorzystaniem jednego rodzaju uszkodzeń i często pomijany jest problem ich wzajemnej interakcji. Uwzględnienie problemu wzajemnej interakcji pozwoliłoby na bardziej precyzyjne prognozowanie bezawaryjnego czasu pracy współczesnych urządzeń elektronicznych i/lub przyspieszenie testów niezawodnościowych. W ramach zrealizowanych badań przeprowadzono analizę wytrzymałości połączeń lutowanych dla stopu lutowniczego Sn63Pb37 z wykorzystaniem metody Hot Bump Pull. Wyniki przedstawionych badań obejmują: analizę wytrzymałości, analizę statystyczną oraz problem kumulacji uszkodzeń w wyniku złożonego profilu obciążeń.
    Źródło:
    Eksploatacja i Niezawodność; 2020, 22, 2; 297-305
    1507-2711
    Pojawia się w:
    Eksploatacja i Niezawodność
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Performance Comparison of Stacked Dual-Metal Gate Engineered Cylindrical Surrounding Double-Gate MOSFET
    Autorzy:
    Dargar, Abha
    Srivastava, Viranjay M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1844602.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    short-channel effects
    metal oxide semiconductor
    transistor
    cylindrical surrounding double-gate
    dual-material gate
    microelectronics
    nanotechnology
    Opis:
    In this research work, a Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFET design in a stacked-Dual Metal Gate (DMG) architecture has been proposed to incorporate the ability of gate metal variation in channel field formation. Further, the internal gate's threshold voltage (VTH1) could be reduced compared to the external gate (VTH2) by arranging the gate metal work-function in Double Gate devices. Therefore, a device design of CSDG MOSFET has been realized to instigate the effect of Dual Metal Gate (DMG) stack architecture in the CSDG device. The comparison of device simulation shown optimized electric field and surface potential profile. The gradual decrease of metal work function towards the drain also improves the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and subthreshold characteristics. The physics-based analysis of gate stack CSDG MOSFET that operates in saturation involving the analogy of cylindrical dual metal gates has been considered to evaluate the performance improvements. The insights obtained from the results using the gate-stack dual metal structure of CSDG are quite promising, which can serve as a guide to further reduce the threshold voltage roll-off, suppress the Hot Carrier Effects (HCEs) and Short Channel Effects (SCEs).
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 1; 29-34
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies