Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "methods of signal processing" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
MSM - Międzynarodowe Seminarium Metrologów "Metody i technika przetwarzania sygnałów w pomiarach fizycznych" 1993-2002
International Metrologist`s Seminar "Methods and Technics of Signal Processing in Physical Measurement" 1993-2002
Autorzy:
Hanus, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154630.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
metody przetwarzania sygnałów
technika przetwarzania sygnałów
pomiary fizyczne
methods of signal processing
technics of signal processing
physical measurements
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2003, R. 49, nr 7-8, 7-8; 65-67
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych
Methods of analysis of random telegraph signal noise (RTS noise) of semiconductor devices
Autorzy:
Cichosz, J.
Konczakowska, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Szatkowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153818.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
szum telegrafistów
metody identyfikacji szumu telegrafistów
przetwarzanie cyfrowe szumu
random telegraph noise signal
methods of RTS noise identification
digital processing of noise
Opis:
Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.
The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2008, R. 54, nr 3, 3; 91-94
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies