Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "metal gate" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Challenges for 10 nm MOSFET process integration
    Autorzy:
    Östling, M.
    Malm, B. G.
    Haartman, M.
    Hallstedt, J.
    Zhang, Z.
    Hellström, P. E.
    Zhang, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309004.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    sstrained silicon
    silicon-germanium
    silicon-on-insulator (SOI)
    high-k dielectrics
    hafnium oxide
    nanowire
    low frequency noise
    mobility
    metal gate
    Opis:
    An overview of critical integration issues for future generation MOSFETs towards 10 nm gate length is presented. Novel materials and innovative structures are discussed. The need for high-k gate dielectrics and a metal gate electrode is discussed. Different techniques for strain-enhanced mobility are discussed. As an example, ultra thin body SOI devices with high mobility SiGe channels are demonstrated.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 25-32
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data
    Autorzy:
    Zaunert, F.
    Endres, R.
    Stefanov, Y.
    Schwalke, U.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308785.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    crystalline high-k gate dielectric
    rare-earth oxide
    praseodymium oxide
    gadolinium oxide
    damascene metal gate
    CMP
    CMOS process
    TSUPREM4
    MEDICI
    interface state density
    carrier mobility
    remote coulomb scattering
    Opis:
    The evaluation of the world's first MOSFETs with epitaxially-grown rare-earth high-k gate dielectrics is the main issue of this work. Electrical device characterization has been performed on MOSFETs with high-k gate oxides as well as their reference counterparts with silicon dioxide gate dielectric. In addition, by means of technology simulation with TSUPREM4, models of these devices are established. Current-voltage characteristics and parameter extraction on the simulated structures is conducted with the device simulator MEDICI. Measured and simulated device characteristics are presented and the impact of interface state and fixed charge densities is discussed. Device parameters of high-k devices fabricated with standard poly-silicon gate and replacement metal gate process are compared.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 78-85
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Performance Comparison of Stacked Dual-Metal Gate Engineered Cylindrical Surrounding Double-Gate MOSFET
    Autorzy:
    Dargar, Abha
    Srivastava, Viranjay M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1844602.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    short-channel effects
    metal oxide semiconductor
    transistor
    cylindrical surrounding double-gate
    dual-material gate
    microelectronics
    nanotechnology
    Opis:
    In this research work, a Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFET design in a stacked-Dual Metal Gate (DMG) architecture has been proposed to incorporate the ability of gate metal variation in channel field formation. Further, the internal gate's threshold voltage (VTH1) could be reduced compared to the external gate (VTH2) by arranging the gate metal work-function in Double Gate devices. Therefore, a device design of CSDG MOSFET has been realized to instigate the effect of Dual Metal Gate (DMG) stack architecture in the CSDG device. The comparison of device simulation shown optimized electric field and surface potential profile. The gradual decrease of metal work function towards the drain also improves the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and subthreshold characteristics. The physics-based analysis of gate stack CSDG MOSFET that operates in saturation involving the analogy of cylindrical dual metal gates has been considered to evaluate the performance improvements. The insights obtained from the results using the gate-stack dual metal structure of CSDG are quite promising, which can serve as a guide to further reduce the threshold voltage roll-off, suppress the Hot Carrier Effects (HCEs) and Short Channel Effects (SCEs).
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 1; 29-34
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowoczesne technologie kontroli bezpieczeństwa stosowane w portach lotniczych
    Modern Safety Control Technologies Used At Airports
    Autorzy:
    Magniszewski, Marek
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2139703.pdf
    Data publikacji:
    2020-08-03
    Wydawca:
    Wydawnictwo Naukowe Dolnośląskiej Szkoły Wyższej
    Tematy:
    skanery 3D
    bramka magnetyczna
    ręczny wykrywacz metalu
    kontrola bezpieczeństwa
    3D scanners
    magnetic gate
    hand-held metal detector
    security check
    Opis:
    Temat artykułu dotyczy bezpieczeństwa na lotniskach z wykorzystaniem nowoczesnych technologii. Omówiono najbardziej zaawansowane urządzenia do kontroli bezpieczeństwa. Omówiono także bardzo ważny aspekt wpływający na bezpieczeństwo lotniska, taki jak procedury i organizacja pracy w punktach kontroli bezpieczeństwa. Uwzględniono wyzwania stojące przed nowoczesnymi operatorami kontroli bezpieczeństwa. Opisano urządzenia najnowszej generacji, w tym skanery rentgenowskie 3D, bramki magnetyczne z lokalizacją niebezpiecznych obiektów oraz ręczne wykrywacze metali.
    The subject of the article concerns security at airports using modern technologies. The most advanced safety inspection devices were discussed in the study. A very important aspect affecting airport security was discussed, such as procedures and organization of work at security checkpoints. The challenges faced by modern security control operators have been taken into account. The latest generation devices have been described, including 3D X-ray scanners, magnetic gates with hazardous objects location, and manual metal detectors.
    Źródło:
    Rocznik Bezpieczeństwa Międzynarodowego; 2020, 14, 1; 183-199
    1896-8848
    2450-3436
    Pojawia się w:
    Rocznik Bezpieczeństwa Międzynarodowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies