Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "ionizing radiation detectors" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Investigating the filling state of OSL detector traps with the optical sampling method
Autorzy:
Mandowska, Ewa
Smyka, Robert
Mandowski, Arkadiusz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2106412.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
optically stimulated luminescence
OSL
ionizing radiation detectors
radiative recombination
signal loss
Opis:
Optically stimulated luminescence (OSL) and thermoluminescence (TL) methods are commonly used in dosimetry of ionizing radiation and dating of archaeological and geological objects. A typical disadvantage of OSL detectors is signal loss over a longer time scale. In this article, we present a method of studying this phenomenon as well as monitoring the state of the detector by means of optical sampling. The method was used to determine the OSL signal loss (fading) characteristics of selected potassium feldspars.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2022, 29, 2; 361--371
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
Autorzy:
Szymański, A.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Tomaszewski, D.
Grodner, M.
Pieczyński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226502.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
readout electronics
ASIC
SOI
ionizing radiation detectors
Opis:
This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 1; 117-124
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies