Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "insulated gate bipolar transistor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Przetwornice statyczne dużej mocy z elementami SiC do pojazdów trakcyjnych
    High Power Static Converters for Traction Vehicles Powered by SiC Technology
    Autorzy:
    Biliński, J.
    Buta, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253060.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    węglik krzemu
    przetwornice statyczne
    pojazdy trakcyjne
    IGBT
    silicon carbide
    Static converters
    traction motor
    insulated gate bipolar transistor
    Opis:
    Wysoka efektywność energetyczna i zwiększona częstotliwość pracy przetwornicy statycznej pozwalają na zminimalizowanie wymiarów układu chłodzenia i zmniejszenie zużycia energii. Nową jakość wnoszą przetwornice statyczne, wykorzystujące technologię SiC. Zmniejszenie masy urządzeń i ich wielkości jest bardzo znaczące (ok. 40–50%). Wyższa częstotliwość przełączania zmniejsza wymiar elementów magnetycznych (ok. 80%), a większa wydajność przekształtnika minimalizuje wymiary układu chłodzenia. Całkowita wydajność przetwornicy jest bardzo wysoka (94–96%). W pracy przedstawiono porównanie parametrów elementów Si i SiC, które są ważne dla nowoczesnych rozwiązań pojazdów elektrycznych. W artykule przedstawiono również parametry przetwornicy pomocniczej SiC, zaprojektowanej i wykonanej jako najnowocześniejszy produkt dla liniowych lokomotyw elektrycznych.
    High energy efficiency and increasing the working frequency of the converter will make it possible to minimize the size of the cooling system and reduce energy consumption. Auxiliary converters using the SiC technology are a new quality. The reduction of weight and size is very significant (ca. 40–50%). Higher switching frequency reduces the size of magnetic components (ca. 80%), and higher converter efficiency minimizes the size of the cooling system. The overall efficiency of the converter is extremely high (94–96%). This paper presents comparison of Si and SiC parameters which are important for modern solutions, dedicated for railway traction vehicles. Paper presents also parameters of SiC auxiliary converter, designed and manufactured as state-of-the-art product for modern mainline electric locomotives.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 11; 41-44
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Study of electro-thermal stress of IGBT devices
    Autorzy:
    Shaban, M. A.
    Ettomi, Y.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377956.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    electro-thermal stress
    IGBT
    Insulated Gate Bipolar Transistor
    Opis:
    The aim of this paper is to present a new approach which consists to correlate or coupled the functional and electrical stress with temperature. This approach can be extremely useful in the predicting the stressing effect and the impact of IXGH-IGBT I-V characteristics on circuit degradation. Moreover, this new approach significantly improves such parameters likes (threshold voltage Vth, collector saturation current, the stress and enhanced collector leakage current) and provides new capability for use this power device IXGH-IGBT in an actual circuit environment and modules. We also explain the physical reasons behind the improvement obtained using functional electrical stress on the IGBTs for IXYS constructor with temperature. Moreover, the forward blocking capability of IXGH-IGBT under a coupled Functional - Electro stress at high temperature was analyzed using simulation. This paper gives a straight comparison in term of the stress for improving the switching speed of IGBT device. This study is essential to ensure product reliability and to the evaluation of hot carrier reliability in the early stages. Furthermore, our reliability study permits us to improve the implantation of the device in a circuit, as well as its use in industrial operating conditions. The need for good simulator (Spice, Spice) to carry out a reliability study is pointed out in this paper.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 76; 275-284
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies