Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "individual and residual offset drift" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Offset Drift Dependence of Hall Cells with their Designed Geometry
Autorzy:
Paun, M. A.
Sallese, J. M.
Kayal, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226531.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
hall effect sensor
individual and residual offset drift
temperature coefficient
Opis:
In this paper, the performance of CMOS Hall Effect Sensors with four different geometries has been experimentally studied. Using a characteristic measurement system, the cells residual offset and its temperature behavior were determined. The offset, offset drift and sensitivity are quantities that were computed to determine the sensors performance. The temperature coefficient of specific parameters such as individual, residua offset and resistance has been also investigated. Therefore the optimum cell to fit the best in the performance specifications was identified. The variety of tested shapes ensures a good analysis on how the sensors performance changes with geometry.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2013, 59, 2; 169-175
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies