Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "in situ synthesis" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Composite zones produced in situ in the Ni3Al phase
Autorzy:
Olejnik, E.
Janas, A.
Sikora, G.
Tokarski, T.
Nowak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/379777.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
composite layer
Ni3Al
cast intermetallic
in situ
synthesis TiC carbides
warstwa kompozytowa
węglik TiC
Opis:
The study presents the results of research on the development of composite zones in castings based on the intermetallic phase of Ni3Al. Composite zones were obtained by placing packets with substrates for the reaction of titanium carbide in a foundry mould. To provide a variable carbides content in the composite zone, two compositions of the packets were prepared. The first packet contained only substrates for the reaction of TiC synthesis; the second one also contained a filler. The resulting composite zones in castings were examined for the filler effect on changes in the volume fraction, size and morphology of carbides in the zone. In addition, the effect of filler on the mechanical properties of the zone was verified, observing changes of Vickers hardness in this area. It was found that the presence of filler in the composition of the packet for synthesis reduced the content of carbides, as well as their size and morphology. Lower surface content of carbides reduced hardness of the zone, which enabled smooth control of the mechanical properties. At the same time, the use of the selected filler did not disturb the course of the TiC carbide synthesis.
Źródło:
Archives of Foundry Engineering; 2013, 13, 1; 107-112
1897-3310
2299-2944
Pojawia się w:
Archives of Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Czochralskiego
domieszkowanie
segregacja
defekty
in situ synthesis
Czochralski method
doping
segregation
defects
Opis:
Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 1017cm-3 do 2 x 1018cm-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 1017cm-3 and 2 x1018cm-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies