Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "implantation" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 80
Tytuł:
BIomechanical aspects of artificial joint implantation in a lower limb
Autorzy:
Będziński, R.
Bernakiewicz, M.
Ścigała, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/280285.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
biomechanics
implantation
hip joint
knee joint
Opis:
One of the most important trends in engineering biomechanics is experimental and numerical analysis of the stress and strain state existing in organs subject to a heavy load; e.g., the knee and hip joints. Clinical tests experimental and numerical studies on design of implants replacing damaged organs are also of crucial importance in development of biomechanics. The research is focused on determination of loads, experimental techniques as well as on simplifications assumed in measurements and applied models. The conducted investigations were concerned with estimation of mechanical behaviour of hip and knee implants after arthoplasty. The experimental tests on both the real objects and models were performed. Numerical simulation was made by using the finite element method. The tests have proved that from the biomechanical point of view proper selection of endoprothesis is of crucial importance for achieving positive long-term results of alloplasty.
Jednym z najważniejszych kierunków badań w dziedzinie biomechaniki inżynierskiej jest doświadczalna i numeryczna analiza stanu odkształceń i naprężeń w organach ludzkich poddanych znacznym obciążeniom, jak chociażby staw biodrowy i kolanowy. Badania kliniczne, doświadczalne i numeryczne poświęcone konstrukcji elementów zastępujących uszkodzone elementy ciała ludzkiego stanowią jeden z najważniejszych kierunków biomechaniki. Dyskusje na tym tle skoncentrowane są na problemach beterminacji występującego stanu obciążenia, stosowanych technik pomiarowych oraz uproszczeń warunków pomiaru i przyjmowanych modeli. Przeprowadzone badania poświęcone zostały ocenie mechanicznej współpracy sztucznych elementów stawu biodrowego i kolanowego w warunkach modelowych, jak i metodą symulacji numerycznej, metodą elementów skończonych. Badania udowodniły duże znaczenie prawidłowej selekcji endoprotez z punktu widzenia biomechaniki układu na długoterminowe powodzenie alloplastyk.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 1999, 3; 455-479
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Post-implantation defects instability under 1 MeV electron irradiation in GaAs
Autorzy:
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grötzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146724.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
electron annealing
GaAs
implantation
Opis:
The influence of 1 MeV electron irradiation on the stability of post-implantation defects in GaAs has been investigated. The n-type GaAs wafers of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions below the amorphization threshold at RT using the implantation dose of 2×1013 ions cm–2 at a constant flux of 0.1 žA cm–2. Then the implanted samples were irradiated with a scanned beam of 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator in a dose range (0.5–5.0)×1017 cm–2 at 320 K. RBS and channeling spectroscopy of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after 1 MeV irradiations. New results of an "oscillatory" behaviour of the damage level as a function of 1 MeV electron fluence are presented.
Źródło:
Nukleonika; 2000, 45, 4; 225-228
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Angular dependence of post-implantation damage recovery under 1 MeV electron irradiation in GaAs
Autorzy:
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grotzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147146.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
electron annealing
GaAs
implantation
Opis:
The angular dependence of post-implantation defects removal in GaAs irradiated with 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator has been investigated. The possible way of enhancing defect annealing consists in ionization created by electron irradiation. In this paper new results of a damage level behaviour dependent on 1 MeV electron beam angle irradiation are presented. GaAs single crystals of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions at RT and then irradiated with a scanning beam of 1 MeV electrons at some selected angles. Rutheford Backscattering Spectroscopy (RBS) of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after electron irradiation. The results relate clearly the ionization intensity created by the electron beam with angle of incidence with respect to the GaAs <100> orientation.
Źródło:
Nukleonika; 2002, 47, 1; 19-21
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An algorithm for the calculation of heavy ion ranges in SiO2
Autorzy:
Kabadayi, Ö.
Gümüs, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148433.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
ion implantation
ion range
SiO2
Opis:
The heavy ion ranges in amorphous SiO2 have been calculated by using a technique based on solution of first order ODE’s. Br, Au, Hg, Bi, projectiles have been chosen as incident ion. Since the target is assumed to be amorphous, Bragg’s rule can be used to calculate electronic and nuclear stopping powers in the compound. Numerical solutions have been performed by using Fehlberg fourth-fifth order Runge-Kutta method. The results are compared with experimental data, as well as with the result of the Monte Carlo program SRIM and other standard procedures such as PRAL and WS [19]. It is found that the agreement between our method and the experiment is good and within 10%.
Źródło:
Nukleonika; 2003, 48, 3; 145-149
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recent development in ECR sources
Autorzy:
Bieth, C.
Kantas, S.
Sortais, P.
Kanjilal, D.
Rodrigues, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148676.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
ion source
ECR source
superconducting coils
high temperature superconducting wires
high charge state ion source
ion implantation
Opis:
Recent developments and improvements on the ECR ion source family at PANTECHNIK S.A. are presented. A lot of work has been done in the Ion Implantation Technology with the MICROGAN IndustryŽ source: more than 3 mA have been produced on B1+, P1+ and few hundred žAe on charge state 3+, 4+. Three other developments are described in this paper: a) the construction of the first source using high temperature superconducting coils (30 K) PKSUSŽ - Space Cryomagnetics (UK), in collaboration with NSC (New Delhi); b) the construction of the PHOENIX ECR source (used in the “1+/n+” process for radioactive beam) for different laboratories; c) and the first results on PK 2.45 (a cheap source working at 2.45 GHz) able to produce high current of monocharged beam. We will also present some special products for beam acceleration and diagnosis.
Źródło:
Nukleonika; 2003, 48,suppl.2; 93-98
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Status of the Warsaw ECR ion source and injection line
Autorzy:
Sudlitz, K.
Kulczycka, E.
Filipiak, B.
Górecki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148684.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
axial injection
Electron Cyclotron Resonance (ECR)
highly charged ions
implantation
ion source
ion transport
Opis:
A room temperature home built 10 GHz ECR ion source delivers beams of B, C, N, O, F, Ne, S, Ar to the Cyclotron U200-P. The same ion source has also been used for surface irradiation of the solids. To upgrade the ion source and increase the ion current in the cyclotron an oven for evaporation of solid materials has been constructed and a two gap buncher has been installed in the injection line. Some new observations on the influence of the extraction system on the ion beam current will be presented.
Źródło:
Nukleonika; 2003, 48,suppl.2; 105-108
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308830.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage
Opis:
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface. Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing (e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 70-75
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Głuszko, G.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308685.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
CMOS
dual gate oxide
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:
The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 3-8
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308689.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
CMOS
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:
Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 9-15
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modyfikacja wapniem i fosforem warstewki tlenkowej na stopie Ti6Al7Nb
Modification of oxide layer by calcium and phosphorus on Ti6Al7Nb alloy
Autorzy:
Simka, W.
Nawrat, G.
Iwaniak, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/284264.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:
Ti6Al7Nb
pasywacja anodowa
modyfikacja
Ti-6Al-7Nb alloy
spark anodization
Ca and P implantation
Opis:
Przeprowadzono badania mające na celu określenie możliwości wbudowania wapnia i fosforu w warstewkę tlenkową na stopie implantacyjnym Ti6Al7Nb w trakcie procesu pasywacji anodowej oraz określenie odporności na korozję tak zmodyfikowanego stopu w fizjologicznym roztworze Tyrode'a. Stwierdzono, że przy napięciu pasywacji wynoszącym U=100V, w warstewkę pasywną wbudowuje się jedynie fosfor. Zastosowanie wyższego napięcia (U=150V) powoduje utlenianie jarzeniowe powierzchni, prowadzące do otrzymania struktury porowatej o zwiększonej zawartości wapnia i fosforu. Proces pasywacji anodowej połączony z implantacją wapnia i fosforu w warstewkę tlenkową powoduje zwiększenie odporności na korozję stopu Ti6Al7Nb w roztworze fizjologicznym Tyrode'a.
The research was undertaken in order to determine the possibility of calcium and phosphorous incorporation into the oxide layer on Ti6Al7Nb implant alloy during anodic passivation process and determine the corrosion resistance of such a modified alloy in the physiological Tyrode's solution. It was stated that at the passivation voltage of U=100V, only phosphorous builds itself into the passive layer. Application of higher voltage (U=150V) causes surface glowing oxidation leading to porous structure of increased calcium and phosphorous content. The anodic passivation process combined with calcium and phosphorous implantation into oxide layer leads to improvement of corrosion resistance of Ti6Al7Nb alloy in the physiological Tyrode's solution.
Źródło:
Engineering of Biomaterials; 2008, 11, no. 81-84; 16-20
1429-7248
Pojawia się w:
Engineering of Biomaterials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Szybkość utleniania w ocenie struktury dla stopów protetycznych
Oxidation speed in the structure evaluation for prosthetic alloys
Autorzy:
Hajduga, M.
Kalukin, B.
Kalukin, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/98977.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Śląska. Katedra Biomechatroniki
Tematy:
proteza dentystyczna
implantacja
stop protetyczny
odporność na korozję
dental prosthesis
implantation
prosthetic alloy
corrosion resistance
Opis:
Implantacja w organizmie ludzkim materiałów metalicznych, w każdym przypadku obarczona jest wystąpieniem zjawisk korozyjnych. Dotyczy to również sytuacji, kiedy wprowadzony jest tylko jeden stop. Całość konstrukcji nie posiada jednakowego otoczenia, co wiąże się z wystąpieniem różnicy potencjałów. Celem pracy, jest identyfikacja zmian, zachodzących w strukturze konstrukcji metalicznej, której elementy, działając w jednym organizmie, mają różne otoczenie. Zakres pracy obejmuje pomiar różnicy potencjałów, materiałów metalicznych o geometrii prostopadłościanów, z których jeden jest nieosłonięty zaś drugi w pewnej części, pokryty PMMA. Jak również badania metalograficzne mikroskopowe tych prostopadłościanów a także części protezy „szkieletowej”, po długotrwałym użytkowaniu w ludzkim organizmie żywym.
The implantation of metallic materials into the human body always entails the risk of corrosion phenomena. This also refers to cases when only one alloy is introduced. The whole structure does not have the same surroundings, which is connected with the occurrence of potential differences. The purpose of the paper is to identify changes occurring in the metallic structure whose elements operating in one human body have different surroundings. The scope of the paper covers the measurement of potential differences of metallic materials-cuboids - one being uncovered and the other, at some height, covered with PMMA, as well as metallographic microscopic examination of the cuboids and the frame denture part after prolonged use in a living human body.
Źródło:
Aktualne Problemy Biomechaniki; 2008, 2; 59-64
1898-763X
Pojawia się w:
Aktualne Problemy Biomechaniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport masy związany z implantacją bioceramiki w zagadnieniach zespalania tkanki kostnej
Mass transport related with bioceramic implantation in tissue osteosynthesis problems
Autorzy:
Wójcik, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/284008.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:
wszczepianie bioceramiki
transport masy bioceramicznej
rachunek wariacyjny
bioceramic implantation
transport of bioceramic mass
calculus of variations
Opis:
W artykule rozważano pewien aspekt transportu masy implantu bioceramicznego w zagadnieniach zespalania tkanki kostnej dla oceny postępu leczenia i zdrowienia pacjenta i zasugerowano kierunek poszukiwania dla rozwiązania tego problemu. Zaproponowano optymalizację oddziaływania wnikającej masy implantu w reakcji z tkanką kostną w ujęciu wariacyjnym polegającym na znalezieniu najbardziej optymalnej trajektorii procesu jego wnikania opartej na analizie probabilistycznej, przyjmując pewien rozkład energii typu beta (gaussowskie przybliżenie entropii boltzmanowskiej) i dobierając potencjał opóźniony reakcji chemicznej gwarantujący homogeniczność procesu zespalania masy wnikającej z ośrodkiem kostnym. Zaproponowana matematyczna procedura poszukiwania rozwiązania pozwoliła znaleźć różniczkowe równanie opisujące prędkość wnikania masy implantu.
Some aspect of transportation of a mass of bio ceramic implant in tissue osteosynthesis problems was considered in paper for evaluation of the treatment development and patient convalescence. The searching procedure was also suggested for solution. The optimisation of a response to penetration of an implant mass in reaction with bone tissue in variation approach was proposed basing on probabilistic analysis with reception of the beta energy distribution (Gaussian approximation of the Boltzman's entropy). Homogeneity of an osteosynthesis of a penetrating mass into bone tissue is guaranteed by selection of the dilatory potential of a chemical reaction. Proposed mathematical procedure allows to find differential formula allows to find differential formula describing the velocity of the penetration of an implant mass.
Źródło:
Engineering of Biomaterials; 2008, 11, no. 81-84; 79-82
1429-7248
Pojawia się w:
Engineering of Biomaterials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Biozgodność stopów protetycznych w funkcji czasu
Biocompatibility of prosthetic alloys as a function of time
Autorzy:
Hajduga, M.
Kalukin, B.
Kalukin, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/99348.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Śląska. Katedra Biomechatroniki
Tematy:
protetyka stomatologiczna
proteza dentystyczna
uzupełnienie protetyczne
stop protetyczny
implantacyjna stal austenityczna
biozgodność
prosthodontics
dental prosthesis
prosthetic restoration
prosthetic alloy
implantation austenitic steel
biocompatibility
Opis:
Od przeszło 3000 lat główną grupą materiałów, przeznaczonych do implantacji w organizmie ludzkim są metale i ich stopy. W ostatnim stuleciu najczęściej używana była i jest do dzisiaj implantacyjna stal austenityczna. W ostatnich 30 latach częściowo wyparły ją stopy niklu, kobaltu czy tytanu. Jedną z funkcji, mających wpływ na biozgodność materiału jest czas przebywania konstrukcji w agresywnym środowisku płynów ustrojowych. Autorzy podjęli próbę określenia zakresu zmian w materiałach metalicznych, po długotrwałej implantacji w jamie ustnej. Celem pracy jest określenie wpływu czasu użytkowania na zmianę właściwości materiałowych stopów stomatologicznych. W jej zakresie mieszczą się mikroskopowe badania metalograficzne, mikroanaliza rentgenowska oraz badania mikrotwardości. Wstępna analiza wyników potwierdza tak szerokie rozpowszechnienie implantacyjnej stali austenitycznej.
From 3000 years the majority of materials made for implantation in the human body are metals and alloys. In the last century the most commonly used was steel austenitic implantation. In the past 30 years, it was partly replaced by nickel alloys, cobalt alloys and titanium. One of the functions having the effect on biocompatibility of material is time of construction in aggressive environment, body fluids. The authors undertook an attempt to determine the extent of changes in the metallic materials after long-term implantation in the oral cavity. The aim of this work is to determine the effect of time for a change of using the material used in dental alloys. In this field there are metallographic microscopic examinations, X-ray microanalysis and micro hardness. Preliminary analysis of the results confirms such a wide spread of implantation austenitic steel.
Źródło:
Aktualne Problemy Biomechaniki; 2009, 3; 53-58
1898-763X
Pojawia się w:
Aktualne Problemy Biomechaniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Histological evaluation of the soft tissue reaction after implantation of hernia polypropylene meshes
Autorzy:
Żywicka, B.
Pielka, S.
Paluch, D.
Solski, L.
Szymonowicz, M.
Struszczyk, A. M. H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/285365.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:
soft tissue
implantation
hernia meshes
Źródło:
Engineering of Biomaterials; 2009, 12, no. 89-91; 34-37
1429-7248
Pojawia się w:
Engineering of Biomaterials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelowanie przepływu krwi przez naczynie wieńcowe ze stentem
Autorzy:
Kurowska-Nouyrigat, W.
Szumbarski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/99207.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Śląska. Katedra Biomechatroniki
Tematy:
tętnica wieńcowa
implantacja stentu
restenoza
uszkodzenie naczyń
angioplastyka
symulacja numeryczna
coronary artery
stent implantation
restenosis
vessel damage
angioplasty
numerical simulation
Opis:
Jedną z popularniejszych nieinwazyjnych metod leczenia arteriosklerozy jest angioplastyka i implantacja stentów (na świecie około 1 min interwencji rocznie, z czego 60-80% ze stentem). Niestety, w 20-30% przypadków wprowadzeniu stentu towarzyszy powikłanie polegające na przeroście śródbłonka powodującym restenozę w przeciągu 3-6 miesięcy po implantacji. Stosując realistyczny, trójwymiarowej model geometryczny naczynia z implantowanym stentem, przeprowadzono analizę czynników geometrycznych i przepływowych ukazujące ich związek z rozwojem restenozy.
Nowadays, cardiac disease are one of the most common cause of death. Each year almost one million of angioplasty interventions and stents implantations are made all over the world. Unfortunately, in 20-30% of cases neointimal proliferations leads to restenosis occurring within the following period of 3-6 months. The aim of the current research is to analyse how geometrical changes inflicted by the stent implantation affect the WSS distribution.
Źródło:
Aktualne Problemy Biomechaniki; 2009, 3; 115-120
1898-763X
Pojawia się w:
Aktualne Problemy Biomechaniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 80

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies