Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "ideality factor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Temperature dependent electrical characteristics of Nichrome/4H-SiC Schottky barrier diodes
    Autorzy:
    Khanna, Shaweta
    Noor, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1076274.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
    Tematy:
    Nichrome
    Schottky Diodes
    Schottky barrier height
    ideality factor
    rapid thermal annealing
    Opis:
    Nichrome Schottky barrier diodes have been fabricated on 4H-SiC substrates to investigate the temperature dependant electrical characteristics of the fabricated contacts. The electrical parameters such as barrier height, ideality factor and donor concentration were found from the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Barrier Contacts showed non-ideal behaviour like lower value of barrier height and high value of ideality factor. A barrier height of 1.53eV obtained from C-V measurements and 0.79eV obtained from the I-V measurements with ideality factor of 1.96 for as-deposited diodes at room temperature. The diodes, therefore, were annealed in the temperature range from 25-400 ºC to see the effect of annealing temperature on these parameters. Schottky barrier height (SBH) and ideality factors were found temperature dependent. After rapid thermal annealing (RTA) upto 400 ºC barrier height of 1.27 eV from C-V measurements and the value of 1.13 eV were obtained from I-V measurements with ideality factor of 1.12. Since barrier height deduced from C-V measurements were consistently larger than those from I-V measurements. To remove this discrepancy we re-examined our results by including the effect of ideality factor in the expression of the saturation current. The insertion of ideality factor results in comparably good agreement between the values of barrier height derived by above two methods. We believe that the enhancement in the electrical parameters result from the improvement in the quality of interfacial layer.
    Źródło:
    World Scientific News; 2019, 116; 169-179
    2392-2192
    Pojawia się w:
    World Scientific News
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Impact of the saturation current IS and ideality factor N on the performance of the characteristic (I-V) of a solar cell
    Wpływ prądu nasycenia IS i współczynnika doskonałości złącza n na charakterystykę (I-V) ogniwa słonecznego
    Autorzy:
    Khalis, M.
    Masrour, R.
    Mir, Y.
    Zazoui, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/29520331.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    dark
    illumination current–voltage
    Si
    GaAs
    CIGS
    current saturation
    ideality factor
    defect
    neural network method
    aktualne nasycenie
    współczynnik idealności
    wada
    metoda sieci neuronowej
    Opis:
    The performance of a solar cell mainly is due to the quality of the starting material. During the production of the solar cell, several defects in different regions of the material appear. These defects degrade the efficiency of the solar cell. Thorough knowledge of the physical properties of defects requires highly sophisticated electrical current-voltage (I-V) characterization techniques that provide information on the physical origin of the defects. The characteristic (I-V) of the cell is governed by several parameters, such as the saturation current Is and the ideality factor n which are the indicators of the quality of the solar cell. These parameters significantly reflect the existence of defects in the material. On the other hand, the use of such a characteristic to go back to the nature of the defects is not widespread because it lacks a data base between the main defects and the modification of the characteristic (I-V). To extract the different parameters, we developed a method based on artificial neurons in Matlab code, then we applied this method to the following cells: GaAs, Si-mono and polycrystalline and CIGS thin-film cells by applying the model with two diodes. The results obtained demonstrate that the behavior of the ideality factor and the saturation current vary from one cell to another. This variance is important for polycrystalline Si and CIGS cells. Thus, this model is the most suitable for the diagnosis of the characteristics (IV) for Si and GaAs, but remains incoherent (Mismatches) to describe the characteristic of the CIGS cell because of the non-uniform presence of shunt defects which allowed us to add another component of the leakage current. Finally, this method correlates with the experimental characteristic (I-V).
    Zachowanie się ogniw słonecznych zależy w dużej mierze od jakości materiału. W procesie wytwarzania baterii może pojawić się szereg wad w różnych jej częściach. Te wady obniżają wydajność ogniwa. Dokładna analiza właściwości fizycznych wad wymaga dokładnego określenia charakterystyki prądowonapięciowej (I-V), która dostarczyłaby informacji o przyczynie tych wad. Charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V) baterii zależy od szeregu parametrów takich jak prąd nasycenia Is, i współczynnik doskonałości złącza n, które są wskaźnikami jakości baterii. Te parametry dobrze odzwierciedlają istnienie wad w materiale. Z drugiej strony, ze względu na brak danych dotyczących korelacji między głównymi wadami i zmianami charakterystyk (IV), wykorzystanie tych charakterystyk do określenia natury powstałych wad nie jest rozpowszechnione. Aby rozróżnić wpływ różnych parametrów opracowano metodę wykorzystującą sztuczną sieć neuronową i oprograowanie MatLab. Tę metodę zastosowano do następujących ogniw słonechnych: GaAs, Si-mono and polikrystaliczny oraz cienkie warstwy CIGS popraz zaqstosowanie modelu z dwoma diodami. Uzyskane wyniki wykazały, że zachowanie się współczynnika doskonałości złącza i prądu nasycenia zmienia się dla różnych ogniw. Te różnice są ważne zarówno dla ogniw Si jak i CIGS. Stąd opracowany model jest najbardziej przydatny do diagnozowania charakterystyk (I-V) dla ogniw Si i GaAs, ale jest niespójny przy opisie ogniw CIGS, ponieważ występują w nich w sposób nierównomierny wady powodujące zwarcie elektrod. To pozwoliło Autorom dodać prąd upływu, jako dodatkowy parameter modelu. W artykule potwierdzono zgodność opracowanej metody z doświadczalnymi charakterystykami (I-V).
    Źródło:
    Computer Methods in Materials Science; 2019, 19, 4; 163-169
    2720-4081
    2720-3948
    Pojawia się w:
    Computer Methods in Materials Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies