Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "heterogeneous structures" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Modified Distributed Arithmetic Concept for Implementations Targeted at Heterogeneous FPGAs
Autorzy:
Rawski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226835.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
distributed arithmetic
FPGA
heterogeneous programmable structures
Opis:
Distributed Arithmetic (DA) plays an important role in designing digital signal processing modules for FPGA architectures. It allows replacing multiply-and-accumulate (MAC) operations with combinational blocks. The quality of implementations based on DA strongly depends on efficiency of methods that map combinational DA block into FPGA resources. Since modern FPGAs have heterogeneous structure, there is a need for quality algorithms to target these structures and the need for flexible architecture exploration aiding in appropriate mapping. The paper presents a modification of DA concept that allows for very efficient implementation in heterogeneous FPGA architectures.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2010, 56, 4; 345-350
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling the Arithmetic Decomposition of DA-LUT Block for Heterogeneous FPGA Structures
Autorzy:
Staworko, M.
Rawski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226414.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
distributed arithmetic
FPGA
FIR filter
heterogeneous programmable structures
Opis:
Distributed arithmetic is well known technique of designing FIR filters in FPGA devices. The quality of such filter implementation strongly depends on synthesis results of the DALUT block. Heterogeneity of modern FPGA structures introduces new possibilities into implementation process, that may lead to better results, but also makes it more complicated. This paper presents the simple mathematical model for estimating the necessary FPGA resources to implement DA-LUT using decomposition-based approach. The model takes into account the type of logic cells or memory blocks used for decomposition process. The proposed model is help ful to determinate the DALUT decomposition strategy for further automation of modified distributed arithmetic decomposition method.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2012, 58, 4; 335-344
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photothermal transformation in heterogeneous semiconductors structures under its pulse laser irradiation: role of electron-hole diffusion
Transformacja fototermiczna w heterogenicznych strukturach półprzewodnikowych przy impulsowym pobudzeniu laserowym: rola dyfuzji elektron-dziura
Autorzy:
Isaiev, M.
Kuryliuk, V.
Kuzmich, A.
Burbelo, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356401.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
photothermal transformation
heterogeneous structures
electron-hole diffusion
pulse laser irradiation
transformacja fototermiczna
struktura heterogeniczna
dyfuzja elektron-dziura
impulsowe pobudzenie laserowe
Opis:
In this paper photothermal transformation in semiconductor structures with modified properties of subsurface layer under its irradiation by pulse laser (~10 ns) radiation was analyzed. It was show that the presence of this surface modified layer leads to increasing of surface temperature in comparison with homogeneous case. Moreover, this increasing could even compensate the temperature decreasing induced by thermal source redistribution caused by charge carrier diffusion.
W pracy zaprezentowano wyniki badań konwersji fototermicznej w półprzewodnikowych strukturach ze zmodyfikowanymi własnościami warstwy wierzchniej, pod wpływem impulsów laserowych o długości 10 ns. Obecność takiej zmodyfikowanej warstwy prowadzi do zwiększenia powierzchniowej temperatury w porównaniu do temperatury jednorodnej struktury. W pracy pokazano, że wzrost temperatury może kompensować spadek temperatury indukowanej przez przepływ związany dyfuzją nośników ładunku.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1351-1354
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies