Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "gallium" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 37
Tytuł:
Development of [66Ga]oxine complex; a possible PET tracer
Autorzy:
Jalilian, A.
Rowshanfarzad, P.
Sabet, M.
Rahiminejad-Kisomi, A.
Rajamand, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146276.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
gallium-66
oxine
positron emission tomography
blood cell labeling
stability
Opis:
The aim of this work is development of a possible blood cell labeling agent for ultimate use in PET. Gallium-66 (T1/2 = 9.49 h) is an interesting radionuclide that has a potential for positron emission tomography (PET) imaging of biological processes with intermediate to slow target tissue uptake. Oxine has been labeled with this radionuclide in the form of [66Ga]gallium chloride for its possible diagnostic properties. In this study, 66Ga was produced at a 30 MeV cyclotron (IBA-Cyclone 30) via the 66Zn(p,n)66Ga reaction. The production yield was 445.5 MBq/mAh. The [66Ga]oxine complex was obtained at pH = 5 in phosphate buffer medium at 37°C in 10 min. Radio-TLC showed a radiochemical purity of more than 98 š 2%. The chemical stability of the complex was checked in vitro with a specific activity of 1113 GBq/mmol. The serum stability and log P of the complex were calculated. The produced [66Ga]oxine can be used for diagnostic studies, due to its desirable physico-chemical properties both in vitro and in vivo according to internationally accepted limits.
Źródło:
Nukleonika; 2006, 51, 3; 155-159
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Production and quality control of 66Ga radionuclide
Autorzy:
Sabet, M.
Rowshanfarzad, P.
Jalilian, A.
Ensaf, M.
Rajamand, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146278.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
gallium-66
cyclotron
radiochemical separation
target recovery
Opis:
The purpose of this study was to develop the required targetry and radiochemical methods for production of 66Ga, according to its increasing applications in various fields of science. The 66Zn(p,n)66Ga reaction was selected as the best choice for the production of 66Ga. The targets were bombarded with 15 MeV protons from cyclotron (IBA-Cyclone 30) at the Nuclear Research Center for Agriculture and Medicine (NRCAM) with a current of 180 mA for 67 min. ALICE and SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter) nuclear codes were used to predict the optimum energy and target thickness. Targets were prepared by electroplating 95.73% enriched 66Zn on a copper backing. Chemical processing was performed by a no-carrier-added method consisting of ion exchange chromatography and liquid-liquid extraction. Anion exchange chromatography was also used for the recovery of target material. Quality control of the product was carried out in two steps of chemical and radionuclide purity control. The activity of 66Ga was 82.12 GBq at EOB and the production yield was 410.6 MBq/mAh. The radiochemical separation yield was 93% and the yield of chemical recovery of the target material was 97%. Quality control tests showed a radionuclide purity higher than 97% and the amounts of chemical impurities were in accordance with the United States Pharmacopoeiae levels.
Źródło:
Nukleonika; 2006, 51, 3; 147-154
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Autorzy:
Didyk, A. Y.
Komarov, F. F.
Vlasukova, L. A.
Gracheva, E. A.
Hofman, A.
Yuvchenko, V. N.
Wiśniewski, R.
Wilczyńska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146738.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
semiconductors
gallium arsenide
swift heavy ions
inelastic energy loss
atomic force microscopy (AFM)
Opis:
We are presenting a study of damage distribution in GaAs irradiated with 84Kr ions of energy EKr = 394 MeV up to the fluence of 5 × 1012 ion/cm-2. The distribution of damage along the projected range of 84Kr ions in GaAs was investigated using selective chemical etching of a single crystal cleaved perpendicularly to the irradiated surface. The damage zone located under the Bragg peak of 84Kr ions was observed. Explanation of the observed effects based on possible processes of channeling of knocked target atoms (Ga and As) is proposed.
Źródło:
Nukleonika; 2008, 53, 2; 77-82
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cyclotron production of 68Ga via proton-induced reaction on 68Zn target
Autorzy:
Sadeghi, M.
Kakavand, T.
Rajabifar, S.
Mokhtari, L.
Rahimi-Nezhad, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146448.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
production
gallium-68
zinc-68
PET
cyclotron
Opis:
68Ga is an important positron-emitting radionuclide for positron emission tomography. In this work 68Ga was produced via the 68Zn(p,n)68Ga nuclear reaction. 68Zn electrodeposition on a copper substrate was carried out by alkaline cyanide baths. 68Zn target was irradiated with a 15 MeV proton beam and a 150 mi A current. The production yield achieved was 136 mCi/ mi Aźh (5.032 GBq/mi Aźh). 68Ga was separated from zinc and copper by a combination of cation exchange chromatography and liquid-liquid extraction methods.
Źródło:
Nukleonika; 2009, 54, 1; 25-28
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preparation and evaluation of a [66Ga]gallium chitosan complex in fibrosarcoma bearing animal models
Autorzy:
Pourjavadi, A.
Akhlaghi, M.
Jalilian, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147067.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
chitosan
gallium-66
internal radiotherapy
fibrosarcoma
intratumoral injection
Opis:
[66Ga]gallium chitosan complex was prepared with a high radiochemical purity (greater than 99%) in dilute acetic acid solution. The radiochemical purity of [66Ga]gallium chitosan complex was checked by using paper chromatography technique. The prepared complex solution was injected intratumoral to fibrosarcoma-bearing mice and the leakage of radioactivity from injection site was investigated. Approximately, 85.4% of the injected dose was retained in the injection site 54 h after injection and most of the leaked radioactivity was accumulated in the blood, liver (0.5%) and lung (6.5%).
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 35-40
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preparation and primary evaluation of 66Ga-DTPA-chitosan in fibrosarcoma bearing mice
Autorzy:
Akhlaghi, M.
Pourjavadi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147065.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
DTPA-chitosan
degree of modification (DM)
gallium-66
radiolabeled
intratumoral injection
Opis:
Chitosan was chemically modified by diethylenetetraaminepentaacetic acid (DTPA) in different degrees of modification (DM = 6.1, 10.3, 15.7 and 20.9%). DTPA-chitosans were radiolabeled with gallium-66 radionuclide. The effect of several factors on labeling yield such as degree of modification, acidity and concentration of DTPA-chitosan solution, contact time and radioactivity was investigated. Radiolabeled DTPA chitosans were intratumorally injected to fibrosarcoma bearing mice and the leakage of radioactivity from the injection site was evaluated. In comparison with chitosan, all DTPA chitosans showed better efficiency in preventing the leakage of radioactivity from tumor lesion and DTPA-chitosan (DM = 10.3%) was the best which led to remaining 97% of injected dose in the injection site after 54 h of injection. The highest leaked radioactivity from the injection site was in the lungs, liver, spleen and the kidneys. Our results indicated that the DTPA modified chitosan can be an effective carrier for therapeutic radionuclides for tumor treatment by the intratumoral injection technique.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 41-47
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Materna, A.
Dalecki, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SI GaAs
obróbka termiczna
EPD
gallium arsenide
LEC thermal annealing
Opis:
Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gallium oxide buffer layers for gallium nitride epitaxy
Autorzy:
Korbutowicz, R
Wnek, J
Panachida, P
Serafinczuk, J
Srnanek, R
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174303.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
hydride vapour phase epitaxy
gallium nitride
gallium oxide
thermal oxidation
buffer layer
Opis:
Gallium nitride (GaN) is very attractive semiconductor material because of its unique properties. The serious matter is a lack of easy access to bulk crystals of GaN. Synthesized crystals are precious and rather small. For these reasons almost all device manufacturers and researchers apply alternative substrates for gallium nitride devices epitaxy and it causes that the technology is intricate. Alternative substrates need buffer layers – their technology is usually complex and expensive. We have proposed a simple method to avoid large costs: applying gallium oxide – monoclinic β-Ga2O3, as the buffer layer, which has structural properties quite good matched to GaN. As the substrates made from single crystal gallium oxide are still hardly available on the market, we have used hydride vapour phase epitaxy (HVPE) GaN epilayers as a starting material. It can be GaN layer under good quality – middle or low. The oxidation process converts top GaN to β-Ga2O3 layer which can release or absorb the strain. Applying such structure in another, second, epitaxy of GaN allows to obtain good quality epitaxial structures using HVPE technique.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 73-79
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:
Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry
Autorzy:
Matys, M
Powroznik, P
Kupka, D
Adamowicz, B
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174326.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
surface photovoltage
gallium nitride
metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
interface states
photodetector
Opis:
The rigorous numerical analysis of the surface photovoltage (SPV) versus excitation UV-light intensity (Φ), from 104 to 1020 photon/(cm2s) in a metal/insulator/n-GaN structure with a negative gate voltage (VG = –2 V) was performed using a finite element method. In the simulations we assumed a continuous U-shape density distribution function Dit(E) of the interface states and n-type doping concentration ND = 1016 cm–3. The SPV signal was calculated and compared in three different characteristic regions at the interface, namely i) under the gate centre, ii) near the gate edge and iii) between the gate and ohmic contact. We attributed the differences in SPV(Φ) dependences to the influence of the interface states in terms of the initial band bending and interface recombination controlled by the gate bias. The obtained results are useful for the design of GaN-based UV-radiation photodetectors.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 47-52
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:
Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation
Opis:
The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
Autorzy:
Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses
Opis:
Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Biosorption Performance of Biodegradable Polymer Powders for the Removal of Gallium(III) ions from Aqueous Solution
Autorzy:
Lee, Ching-Hwa
Lin, Hang-Yi
Cadogan, Elon I.
Popuri, Srinivasa R.
Chang, Chia-Yuan
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778539.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
chitosan
crab shell powder
gallium
Langmuir-Freundlich
kinetics
Opis:
Gallium (Ga) is considered an important element in the semiconducting industry and as the lifespan of electronic products decrease annually Ga-containing effluent has been increasing. The present study investigated the use of biodegradable polymer powders, crab shell and chitosan, in the removal of Ga(III) ions from aqueous solution. Ga(III) biosorption was modeled to Lagergren-first, pseudo-second order and the Weber-Morris models. Equilibrium data was modeled to the Langmuir, Freundlich and Langmuir-Freundlich adsorption isotherms to determine the probable biosorption behavior of Ga(III) with the biosorbents. The biosorbents were investigated by Fourier Transform Infrared Spectroscopy, X-ray Diffraction and Scanning Electron Microscopy/Energy Dispersive Spectra analysis.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2015, 17, 3; 124-132
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Uranium and neodymium partitioning in alkali chloride melts using low-melting gallium-based alloys
Autorzy:
Melchakov, S. Y.
Maltsev, D. S.
Volkovich, V. A.
Yamshchikov, L. F.
Lisienko, D. G.
Osipenko, A. G.
Rusakov, M. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146407.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
neodymium
uranium
gallium
separation factor
reductive extraction
pyrochemical reprocessing
Opis:
Partitioning of uranium and neodymium was studied in a ‘molten chloride salt – liquid Ga-X (X = In or Sn) alloy’ system. Chloride melts were based on the low-melting ternary LiCl-KCl-CsCl eutectic. Nd/U separation factors were calculated from the thermodynamic data as well as determined experimentally. Separation of uranium and neodymium was studied using reductive extraction with neodymium acting as a reducing agent. Efficient partitioning of lanthanides (Nd) and actinides (U), simulating fission products and fissile materials in irradiated nuclear fuels, was achieved in a single stage process. The experimentally observed Nd/U separation factor valued up to 106, depending on the conditions.
Źródło:
Nukleonika; 2015, 60, No. 4, part 2; 915-920
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
Autorzy:
Aksamit, W.
Rzeszutko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
gallium nitride
GaN transistors
power conversion
efficiency
azotek galu
tranzystory GaN
straty mocy w tranzystorach GaN
Opis:
During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 37

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies