Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "gallium" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 37
Tytuł:
Preparation and primary evaluation of 66Ga-DTPA-chitosan in fibrosarcoma bearing mice
Autorzy:
Akhlaghi, M.
Pourjavadi, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147065.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
DTPA-chitosan
degree of modification (DM)
gallium-66
radiolabeled
intratumoral injection
Opis:
Chitosan was chemically modified by diethylenetetraaminepentaacetic acid (DTPA) in different degrees of modification (DM = 6.1, 10.3, 15.7 and 20.9%). DTPA-chitosans were radiolabeled with gallium-66 radionuclide. The effect of several factors on labeling yield such as degree of modification, acidity and concentration of DTPA-chitosan solution, contact time and radioactivity was investigated. Radiolabeled DTPA chitosans were intratumorally injected to fibrosarcoma bearing mice and the leakage of radioactivity from the injection site was evaluated. In comparison with chitosan, all DTPA chitosans showed better efficiency in preventing the leakage of radioactivity from tumor lesion and DTPA-chitosan (DM = 10.3%) was the best which led to remaining 97% of injected dose in the injection site after 54 h of injection. The highest leaked radioactivity from the injection site was in the lungs, liver, spleen and the kidneys. Our results indicated that the DTPA modified chitosan can be an effective carrier for therapeutic radionuclides for tumor treatment by the intratumoral injection technique.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 41-47
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
Autorzy:
Aksamit, W.
Rzeszutko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
gallium nitride
GaN transistors
power conversion
efficiency
azotek galu
tranzystory GaN
straty mocy w tranzystorach GaN
Opis:
During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zmienność zawartości pierwiastków krytycznych (Be, Co, Ga, Ge) w węglu kamiennym LZW
Variability in the content of critical elements (Be, Co, Ga and Ge) in bituminous coal of the Lublin Coal Basin
Autorzy:
Auguścik, J.
Wasilewska-Błaszczyk, M.
Wójtowicz, J.
Paszek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2061693.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Państwowy Instytut Geologiczny – Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
pierwiastki krytyczne
beryl
gal
german
kobalt
węgiel kamienny
korelacja
LZW
critical elements
beryllium
gallium
germanium
cobalt
hard coal
correlation
Lublin Coal Basin
Opis:
Przeprowadzone badania węgla kamiennego złoża Bogdanka, leżącego w obrębie Lubelskiego Zagłębia Węglowego (LZW) wykazały, że analizowane pierwiastki (Co, Ga, Ge) charakteryzują się dużą zmiennością. Wyjątek stanowił beryl (Be), który cechuje się zmiennością przeciętną. Badania korelacji między pierwiastkami potwierdziły wyniki wcześniejszych badań dotyczących występowania statystycznie istotnej korelacji między galem i kobaltem (Ga–Co). Otrzymane wyniki badań zawartości poszczególnych pierwiastków krytycznych były dalece odbiegające od dotychczas prezentowanych w opracowaniach naukowych publikowanych i niepublikowanych dla LZW. Badania te nie potwierdziły postulowanych wcześniej prawidłowości i wysokich koncentracji tych pierwiastków w węglach LZW. Uwierzytelniono jednak znacznie większe koncentracje tych pierwiastków w spągu pokładów. Analiza kontrolna prób wykonana w dwóch niezależnych laboratoriach wykazała duże rozbieżności w wynikach oznaczeń, szczególnie w odniesieniu do zawartości germanu; prawdopodobnie jest to związane z bardzo niskimi zawartości tego pierwiastka i trudnościami jego oznaczania.
The research on bituminous coal from the Lublin Coal Basin (LCB) has shown high variability of the chemical elements Co, Ge and Ga. An exception is beryllium that features medium variability. Analysis of the correlation between the elements confirms the results of previous studies on the occurrence of the statistically significant correlation between gallium and cobalt. The obtained contents of particular critical elements differed much more from those presented up-to-date in both published and unpublished scientific reports on the LCB. The research did not confirm regularities and high concentrations of the elements in the LCB coals, as postulated earlier. However, much higher concentrations of the elements were detected in the seam footwalls. The control analysis of the samples performed by two independent laboratories indicated huge discrepancies in the results, especially for the content of germanium, due to very low values and difficulty in marking this element.
Źródło:
Biuletyn Państwowego Instytutu Geologicznego; 2016, 466; 7--15
0867-6143
Pojawia się w:
Biuletyn Państwowego Instytutu Geologicznego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
Autorzy:
Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses
Opis:
Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Calorimetric Measurements of Ga-Li System by Direct Reaction Method
Autorzy:
Dębski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/350810.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gallium-lithium system
Ga-Li
calorimetry
thermochemistry
Opis:
The direct reaction calorimetric method was used for the determination of the formation enthalpy of alloys which concentrations correspond to the: Ga7Li2, Ga9Li5, GaLi, Ga4Li5, Ga2Li3, and GaLi2 intermetallic phases. The obtained experimental values of the formation enthalpy were: –18.1 ±0.8 kJ/mol at., –26.5 ±0.3 kJ/mol at., –34.7 ±0.3 kJ/mol at., –33.5 ±0.5 kJ/mol at., –32.8 ±0.3 kJ/mol at. and –24.6 ±1.4 kJ/mol at., respectively. After the calorimetric measurements, all the samples were checked by way of X-ray diffraction investigations to confirm the structure of the measured alloys. All the measured values of the formation enthalpy of the Ga-Li alloys were compared with literature data and the data calculated with use of the Miedema model.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2A; 919-926
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Autorzy:
Didyk, A. Y.
Komarov, F. F.
Vlasukova, L. A.
Gracheva, E. A.
Hofman, A.
Yuvchenko, V. N.
Wiśniewski, R.
Wilczyńska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146738.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
semiconductors
gallium arsenide
swift heavy ions
inelastic energy loss
atomic force microscopy (AFM)
Opis:
We are presenting a study of damage distribution in GaAs irradiated with 84Kr ions of energy EKr = 394 MeV up to the fluence of 5 × 1012 ion/cm-2. The distribution of damage along the projected range of 84Kr ions in GaAs was investigated using selective chemical etching of a single crystal cleaved perpendicularly to the irradiated surface. The damage zone located under the Bragg peak of 84Kr ions was observed. Explanation of the observed effects based on possible processes of channeling of knocked target atoms (Ga and As) is proposed.
Źródło:
Nukleonika; 2008, 53, 2; 77-82
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Fotodioda oparta na epitaksjalnym fosforku galu o zwiększonej wrażliwości przy długości fali 254 nm
Autorzy:
Dobrovolsky, Yurii G.
Lipka, Volodymyr M.
Strebezhev, Volodymyr V.
Sorokatyi, Yurii O.
Sorokatyi, Mykola O.
Andreeva, Olga P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408832.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
photodiode
gallium phosphide
sensitive, 254 nm
Schottky barrier
fotodioda
fosforek galu
czułość, 254 nm
bariera Schottky'ego
Opis:
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 1; 36-39
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173617.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Opis:
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137272
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090716.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Opis:
The paper presents the first vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) designed, grown, processed and evaluated entirely in Poland. The lasers emit at »850 nm, which is the most commonly used wavelength for short-reach (<2 km) optical data communication across multiple-mode optical fiber. Our devices present state-of-the-art electrical and optical parameters, e.g. high room-temperature maximum optical powers of over 5 mW, laser emission at heat-sink temperatures up to at least 95°C, low threshold current densities (<10 kA/cm2) and wall-plug efficiencies exceeding 30% VCSELs can also be easily adjusted to reach emission wavelengths of around 780 to 1090 nm.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137272, 1--6
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simple, responsive and cost effective simultaneous quantification of Ga(III) and In(III) in environmental water samples
Autorzy:
Grabarczyk, M.
Adamczyk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2082480.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Agrofizyki PAN
Tematy:
gallium(III)
indium(III)
trace analysis
environmental
water samples
Opis:
The simultaneous determination of Ga(III) and In(III) in environmental water samples was described. The procedure was based on adsorptive stripping voltammetry using an in situ plated bismuth film electrode as a working electrode. In order to obtain low detection limits and satisfactory separations of gallium and indium peaks on the voltammogram, cupferron was used as a complexing agent. The optimum composition of the supporting electrolyte was found to be: 0.1 mol l-1 acetate buffer (pH=5.0), 2 × 10-4 mol l-1 cupferron, 2 × 10-4 mol l-1 Bi(III), optimal voltammetric parameters were found to be: accumulation potential -0.9 V, accumulation time 60 s. The linear range of Ga(III) as well as In(III) was observed over a concentration range from 2.5 × 10-8 mol l-1 to 1.5 × 10-6 mol l-1. The method was satisfactorily applied to the simultaneous quantification of gallium and indium in environmental water samples. This facilitated a promising application of the recommended procedure for monitoring the environment, which is necessary to evaluate the soil-plant system.
Źródło:
International Agrophysics; 2019, 33, 2; 161-166
0236-8722
Pojawia się w:
International Agrophysics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:
Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Materna, A.
Dalecki, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SI GaAs
obróbka termiczna
EPD
gallium arsenide
LEC thermal annealing
Opis:
Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Development of [66Ga]oxine complex; a possible PET tracer
Autorzy:
Jalilian, A.
Rowshanfarzad, P.
Sabet, M.
Rahiminejad-Kisomi, A.
Rajamand, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146276.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
gallium-66
oxine
positron emission tomography
blood cell labeling
stability
Opis:
The aim of this work is development of a possible blood cell labeling agent for ultimate use in PET. Gallium-66 (T1/2 = 9.49 h) is an interesting radionuclide that has a potential for positron emission tomography (PET) imaging of biological processes with intermediate to slow target tissue uptake. Oxine has been labeled with this radionuclide in the form of [66Ga]gallium chloride for its possible diagnostic properties. In this study, 66Ga was produced at a 30 MeV cyclotron (IBA-Cyclone 30) via the 66Zn(p,n)66Ga reaction. The production yield was 445.5 MBq/mAh. The [66Ga]oxine complex was obtained at pH = 5 in phosphate buffer medium at 37°C in 10 min. Radio-TLC showed a radiochemical purity of more than 98 š 2%. The chemical stability of the complex was checked in vitro with a specific activity of 1113 GBq/mmol. The serum stability and log P of the complex were calculated. The produced [66Ga]oxine can be used for diagnostic studies, due to its desirable physico-chemical properties both in vitro and in vivo according to internationally accepted limits.
Źródło:
Nukleonika; 2006, 51, 3; 155-159
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
Autorzy:
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118450.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
azotek galu
GaN
tranzystory HEMT
impulsowe przekształtniki mocy
gallium nitride
HEMT transistor
power converters
Opis:
Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono najważniejsze wymagania stawiane elementom półprzewodnikowym we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych. Przedstawiono główne cechy heterostruktur GaN-GaAlN i tranzystorów opartych na takich strukturach. Przedyskutowano różne rozwiązania konstrukcyjno-technologiczne struktur HEMT o cechach tranzystora normalnie wyłączonego (pracującego ze wzbogaceniem). Pokazano przykładowe parametry tranzystorów HEMT pracujących dla energoelektroniki. Omówiono także wybrane rozwiązania impulsowych przekształtników BUCK i BOOST oparte na tranzystorach HEMT i ich główne właściwości.
The applications of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) in modern power converters are reviewed. Basic demands for semiconductor devices used in switch-mode high efficiency power converters are summarized. Specific features of GaN-GaAlN heterostructure and HEMT’s are briefly described. Different solutions of enhancement-mode HEMT applicable in power converters of resulting parameters of HEMT-based enhancement-mode transistors are given. The exemplary power converters based on GaN HEMT’s, including BUCK and BOOST circuits are presented and their features discussed.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 5-27
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Gallium oxide buffer layers for gallium nitride epitaxy
Autorzy:
Korbutowicz, R
Wnek, J
Panachida, P
Serafinczuk, J
Srnanek, R
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174303.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
hydride vapour phase epitaxy
gallium nitride
gallium oxide
thermal oxidation
buffer layer
Opis:
Gallium nitride (GaN) is very attractive semiconductor material because of its unique properties. The serious matter is a lack of easy access to bulk crystals of GaN. Synthesized crystals are precious and rather small. For these reasons almost all device manufacturers and researchers apply alternative substrates for gallium nitride devices epitaxy and it causes that the technology is intricate. Alternative substrates need buffer layers – their technology is usually complex and expensive. We have proposed a simple method to avoid large costs: applying gallium oxide – monoclinic β-Ga2O3, as the buffer layer, which has structural properties quite good matched to GaN. As the substrates made from single crystal gallium oxide are still hardly available on the market, we have used hydride vapour phase epitaxy (HVPE) GaN epilayers as a starting material. It can be GaN layer under good quality – middle or low. The oxidation process converts top GaN to β-Ga2O3 layer which can release or absorb the strain. Applying such structure in another, second, epitaxy of GaN allows to obtain good quality epitaxial structures using HVPE technique.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 73-79
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 37

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies