Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "frequency measurements" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Measurements of relative frequency instability
Pomiary względnej niestałości częstotliwości
Autorzy:
Świsulski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267147.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
frequency measurements
measurement period
frequency inconstancy
pomiary częstotliwości
pomiar okresu
niestałość częstotliwości
Opis:
Frequency constancy can be determined by the change in time for the subsequent periods. The article shows that classical the method of digital period measurement is not suitable for the measurement process. Therefore, a method using an integrating circuit is being proposed. Errors in the measurement of the given method have been analyzed.
Stałość częstotliwości można wyznaczyć jako względną zmianę częstotliwości w czasie pomiaru. Pomiar stałości częstotliwości przez pomiar czasu trwania sąsiednich okresów sygnału charakteryzuje się dużymi błędami. Dlatego zaproponowano metodę wykorzystującą układy całkujące. Całkowanie odbywa się w trzech etapach, przy czy dwa pierwsze etapy odbywają się w czasie dwóch sąsiednich okresów analizowanego sygnału, czas trwania trzeciego etapu jest odwrotnie proporcjonalny do względnej niestałości częstotliwości. Jeżeli wymagany jest pomiar ciągły, można zastosować większą liczbę układów pomiarowych z przesuniętymi pomiarami w funkcji czasu. W artykule przedstawiono analizę błędów występujących przy pomiarze opisaną metodą - omówiono błędy wynikające ze zmienionej wartości RC, wzmocnienia A, napięć wzorcowych oraz błędu kwantowania.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 183-186
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kontroler komunikatów SCPI do scalonego licznika czasu i częstotliwości
The SCPI communications controller for a time and frequency counter
Autorzy:
Chmielowiec, K.
Jachna, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156761.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
kontroler poleceń SCPI
pomiar czasu i częstotliwości
SCPI command controller
time and frequency measurements
Opis:
Opisany jest projekt kontrolera komunikatów języka SCPI (ang. Standard Commands for Programmable Instruments) w postaci modułu przeznaczonego do sterowania działaniem precyzyjnego licznika czasu i częstotliwości. Moduł kontrolera został zintegrowany wspólnie z modułem pomiarowym licznika w pojedynczym układzie programowalnym XC3S400 firmy Xilinx. Do najważniejszych zadań kontrolera należy tłumaczenie komend tekstowych, przychodzących z komputera do licznika, z języka SCPI, na niestandardowe reprezentacje wewnętrzne oraz wykonywanie operacji odwrotnej celem interpretacji odpowiedzi.
In the paper there is presented a design of the SCPI (Standard Commands for Programmable Instruments) controller as a module for control of the operation of a precise time and frequency counter developed at the Military University of Technology. Both modules (the controller and the time counter), that operate as a heart of a measuring device, were integrated in the same programmable chip (XC3S400, Xilinx). The main task of the controller translation of text messages from the SCPI language into corresponding non-standard representation of the commands executed by the counter. There is shown the block diagram of the SCPI controller and the structure of the proposed trees of SCPI commands. The presented technical solutions are based on the IEEE 488.2 standard as well as the SCPI specification. Our controller works with the dedicated set of commands occurring in the SCPI tree structure of the counter. This project can be relatively easy adapted to control other devices implemented in FPGA circuits. In this aspect, our solution can be used as a core of the intellectual property library. The principle of operation of the SCPI controller is based on a PicoBlaze microcontroller. The advantage of the proposed solution is low amount of occupied logic resources, whereas its drawback is the need to prepare a program for the processor in not friendly assembler language environment. An example of the program and the results of implementation and practical verification are also presented.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 8, 8; 806-808
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Scalony licznik czasu i częstotliwości z użyciem odwrotnościowej metody pomiaru częstotliwości i ulepszonej metody tworzenia histogramu
Autorzy:
Szplet, R.
Jachna, Z.
Kalisz, J.
Różyc, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155685.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
precyzyjna metrologia czasu
pomiar częstotliwości
korekcja nieliniowości
precise time metrology
frequency measurements
nonlinearity correction
Opis:
Opisany jest projekt i wyniki badań precyzyjnego licznika czasu i częstotliwości zrealizowanego w układzie programowalnym FPGA oraz metody pomiaru i przetwarzania danych umożliwiające zwiększenie dokładności. Pomiar odcinka czasu jest realizowany w oparciu o metodę Nutta, a pomiar częstotliwości z użyciem metody odwrotnościowej lub klasycznej metody bramkowej. W celu zwiększenia dokładności wyznaczania histogramu serii pomiarów zastosowano ulepszoną metodę opartą na sumowaniu rozkładów prawdopodobieństw. Opracowany licznik ma rozdzielczość 200 ps i niepewność pomiarową poniżej 150 ps. Układ wykonany został w programowalnej matrycy bramkowej QL16x24B serii pASIC firmy QuickLogic.
This paper describes design and test results of precise time and frequency counter implemented in a general purpose FPGA device. Methods for frequency measurement and advanced data processing leading to accuracy improvement are also presented. In the designed counter, time intervals are measured with the use of the interpolation Nutt method while for frequency measurements two methods are involved: classical gating and reciprocal method. To increase accuracy of the histogram of measurement results an improved method of calculation is adopted. This method is based on aggregation of probability distributions related to consecutive measurement results and evaluated during the initial calibration process. The described counter featuring 200 ps resolution and 150 ps accuracy was integrated in programmable device QL16x24B from pASIC family (QuickLogic).
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 7, 7; 18-20
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów o strukturze stop metaliczny FeCoZr w matrycy dielektrycznej PbZrTiO3
Measurements of electrical properties of nanocomposite containing metallic alloy FeCoZr in a PbZrTiO3 dielectric matrix
Autorzy:
Boiko, O.
Kotunowicz, T.N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408633.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
nanokompozyty
rozpylanie jonowe
układy RLC
pomiary częstotliwościowe
nanocomposites
ion beam sputtering
RLC circuits
frequency measurements
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów zmiennoprądowych właściwości elektrycznych ziarnistych nanokompozytów o strukturze (FeCoZr)x(PZT)(100-x). Praca zawiera wstępną analizę parametrów elektrycznych (pojemność Cp, tangens kąta strat dielektrycznych tgδ, rezystancja Rp
Here, the AC electrical properties measurements of (FeCoZr)x(PZT)(100-x) granular nanocomposites are studied. The work contains a preliminary analysis of the electrical parameters (capacitance Cp, loss coefficient tgδ, resistance Rp and phase angle θ) for nanocomposite samples with different metallic phase content x studied in the frequency range 50 Hz – 5 MHz and temperature range 15 K – 375 K. It was established that the AC phenomena are typical for the conventional RLC circuits
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2015, 3; 65-70
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Determination of young’s dynamic modulus of polymer materials by resonance vibrating-reed method
Określenie dynamicznego modułu younga materiałów polimerowych za pomocą rezonansowej metody wibracyjnej
Autorzy:
Mashchenko, Volodymyr
Krivtsov, Valentine
Kvasnikov, Volodymyr
Drevetskiy, Volodymyr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408325.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
oscillation amplitude
frequency measurements
acoustic and viscoelastic properties
amplituda oscylacji
pomiar częstotliwości
właściwości akustyczne i lepkosprężyste
Opis:
The paper deals with its own oscillations of a rectangular rod with a cross section of a rectangular shape. The method of determining real part of Young's dynamic modulus and tangent of mechanical loss of samples in the form of rods of a number of polymer materials by means of resonant vibrating-reed method are proposed. Experimental setup, algorithm and software for determining the amplitude of the sample oscillations are developed. The accuracy of measurements was determined and a comparative analysis of results was performed with data obtained by other methods.
W pracy opisano wahania własne prostokątnego sworznia o przekroju prostokątnym. Zaproponowano metodę wyznaczenia za pomocą metody rezonansowej wibracyjnej rzeczywistej części dynamicznego modułu Younga i tangensa kąta mechanicznych strat wzorców w postaci sworzniów z szeregu materiałów polimerowych. Opracowano eksperyment, algorytm i oprogramowanie dla określenia amplitudy wahań wzorca. Określono precyzję pomiarów i przeprowadzono porównawczą analizę wyników z rezultatami otrzymanymi innymi metodami pomiarów.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2019, 9, 4; 34-37
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the design of an automated system for the characterization of the electromigration performance of advanced interconnects by means of low-frequency noise measurements
Autorzy:
Scandurra, Graziella
Beyne, Sofie
Giusi, Gino
Ciofi, Carmine
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221721.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low-frequency noise measurements
electron devices reliability
electro-migration
dedicated instrumentation
Opis:
Low-frequency noise measurements have long been recognized as a valuable tool in the examination of quality and reliability of metallic interconnections in the microelectronic industry. While characterized by very high sensitivity, low-frequency noise measurements can be extremely time-consuming, especially when tests have to be carried out over an extended temperature range and with high temperature resolutionas it is required by some advanced characterization approaches recently proposed in the literature. In order to address this issue we designed a dedicated system for the characterization of the low-frequency noise produced by a metallic line vs temperature. The system combines high flexibility and automation with excellent background noise levels. Test temperatures range from ambient temperature up to 300°C. Measurements can be completely automated with temperature changing in pre-programmed steps. A ramp temperature mode is also possible that can be used, with proper caution, to virtually obtain a continuous plot of noise parameters vs temperature.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2019, 26, 1; 13-21
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise spectroscopy of resistive components at elevated temperature
Autorzy:
Stadler, A.W.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Nowak, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221348.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
noise spectroscopy
low-frequency noise
resistance noise
low-frequency noise measurements
thick-film resistors
Opis:
Studies of electrical properties, including noise properties, of thick-film resistors prepared from various resistive and conductive materials on LTCC substrates have been described. Experiments have been carried out in the temperature range from 300 K up to 650 K using two methods, i.e. measuring (i) spectra of voltage fluctuations observed on the studied samples and (ii) the current noise index by a standard meter, both at constant temperature and during a temperature sweep with a slow rate. The 1/f noise component caused by resistance fluctuations occurred to be dominant in the entire range of temperature. The dependence of the noise intensity on temperature revealed that a temperature change from 300 K to 650 K causes a rise in magnitude of the noise intensity approximately one order of magnitude. Using the experimental data, the parameters describing noise properties of the used materials have been calculated and compared to the properties of other previously studied thick-film materials.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 1; 15-26
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise properties of thin-film Ni-P resistors embedded in printed circuit boards
Autorzy:
Stadler, A. W.
Zawiślak, Z.
Stęplewski, W.
Dziedzic, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201274.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
thin-film resistors
Ni-P foil
1/f noise
low-frequency noise measurements
Opis:
Noise studies of planar thin-film Ni-P resistors made in/on Printed Circuit Boards, both covered with two different types of cladding or uncladded have been described. The resistors have been made of the resistive-conductive-material (Ohmega-Ply©) of 100 Ώ/sq. Noise of the selected pairs of samples has been measured in the DC resistance bridge with a transformer as the first stage in a signal path. 1/f noise caused by resistance fluctuations has been found to be the main noise component. Parameters describing noise properties of the resistors have been calculated and then compared with the parameters of other previously studied thin- and thick-film resistive materials.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 3; 731-735
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evaluation of a high-precision digital multimeter by the laboratory of calibration of multifunction electrical instruments of INRIM
Autorzy:
Galliana, Flavio
Lanzillotti, Marco
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220993.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
digital multimeter
calibration
measurement uncertainties
low-frequency electrical measurements
performance index
measurement specifications
Opis:
A metrological verification of a high precision digital multimeter was made by the laboratory of calibration of programmable electrical multifunction instruments of the National Institute of Metrological Research (INRIM) in order to verify its accuracy and stability. The instrument had been tested for a period of six months for five low-frequency electrical quantities (DC and AC Voltage and Current and DC Resistance). Its stability and precision were compared with the accuracy specifications of the manufacturer. As a new approach, a performance index of the DMM was introduced and evaluated for each examined measurement point. The DMM showed a satisfactory agreement with its specifications to be considered at the level of other top-class DMMs and even better in some measurements points.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2019, 26, 2; 283-296
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Measurements Of Resistors With The Use Of Dual-Phase Virtual Lock-In Technique
Autorzy:
Stadler, A. W.
Kolek, A.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221468.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
1/f noise
polymer thick-film resistor
low-frequency noise measurements
virtual lock-in
Opis:
Measurement of low-frequency noise properties of modern electronic components is a very demanding challenge due to the low magnitude of a noise signal and the limit of a dissipated power. In such a case, an ac technique with a lock-in amplifier or the use of a low-noise transformer as the first stage in the signal path are common approaches. A software dual-phase virtual lock-in (VLI) technique has been developed and tested in low-frequency noise studies of electronic components. VLI means that phase-sensitive detection is processed by a software layer rather than by an expensive hardware lock-in amplifier. The VLI method has been tested in exploration of noise in polymer thick-film resistors. Analysis of the obtained noise spectra of voltage fluctuations confirmed that the 1/f noise caused by resistance fluctuations is the dominant one. The calculated value of the parameter describing the noise intensity of a resistive material, C= 1·10−21m3, is consistent with that obtained with the use of a dc method. On the other hand, it has been observed that the spectra of (excitation independent) resistance noise contain a 1/f component whose intensity depends on the excitation frequency. The phenomenon has been explained by means of noise suppression by impedances of the measurement circuit, giving an excellent agreement with the experimental data.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 4; 503-512
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FET input voltage amplifier for low frequency noise measurements
Autorzy:
Achtenberg, Krzysztof
Mikołajczyk, Janusz
Bielecki, Zbigniew
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221854.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low noise amplifier
low frequency noise measurements
field effect transistors
FET voltage noise
FET input amplifier
Opis:
The paper presents a low noise voltage FET amplifier for low frequency noise measurements. It was built using two stages of an op amp trans impedance amplifier. To reduce voltage noise, eight-paralleled low noise discrete JFETs were used in the first stage. The designed amplifier was then compared to commercial ones. Its measured value of voltage noise spectral density is around 24 nV/√Hz, 3 nV/√Hz, 0.95 nV/√Hz and 0.6 nV/√Hz at the frequency of 0.1, 1, 10 and 100 Hz, respectively. A -3dB frequency response is from ~20 mHz to ~600 kHz.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2020, 27, 3; 531-540
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Verification Methodology of Fade Characteristics in a DAB+ SFN in Wroclaw
Autorzy:
Michalski, Igor
Zielinski, Ryszard J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1844537.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
frequency network
SFN
DAB+
fade characteristics
fade measurements
Opis:
The article presents the methodology for measuring verification of the phenomenon of fades in the DAB+ SFN. The verification is related to comparing the characteristics of the fades determined theoretically with the occurring fades in the real environment of a large city. The conditions favorable for the occurrence of fading are presented and by selecting the appropriate propagation analysis tool, the places where the occurrence of fading is most likely were selected. In these places an analysis of the characteristics of fades was carried out and the conditions for their verification were determined.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 3; 537-542
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Properties of Graphene-Polymer Thick-Film Resistors
Autorzy:
Mleczko, K.
Ptak, P.
Zawiślak, Z.
Słoma, M.
Jakubowska, M.
Kolek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220754.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
graphene
polymer thick-film resistor
low-frequency noise
noise measurements
Opis:
Graphene is a very promising material for potential applications in many fields. Since manufacturing technologies of graphene are still at the developing stage, low-frequency noise measurements as a tool for evaluating their quality is proposed. In this work, noise properties of polymer thick-film resistors with graphene nano-platelets as a functional phase are reported. The measurements were carried out in room temperature. 1/f noise caused by resistance fluctuations has been found to be the main component in the specimens. The parameter values describing noise intensity of the polymer thick-film specimens have been calculated and compared with the values obtained for other thick-film resistors and layers used in microelectronics. The studied polymer thick-film specimens exhibit rather poor noise properties, especially for the layers with a low content of the functional phase.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 589-594
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Four-point probe resistivity noise measurements of GaSb layers
Autorzy:
Ciura, L.
Kolek, A.
Smoczyński, D.
Jasik, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201503.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low frequency noise
GaSb noise
noise measurements
resistance noise calculation
Opis:
This paper concerns measurements and calculations of low frequency noise for semiconductor layers with four-probe electrodes. The measurements setup for the voltage noise cross-correlation method is described. The gain calculations for local resistance noise are performed to evaluate the contribution to total noise from different areas of the layer. It was shown, through numerical calculations and noise measurements, that in four-point probe specimens, with separated current and voltage terminals, the non-resistance noise of the contact and the resistance noise of the layer can be identified. The four-point probe method is used to find the low frequency resistance noise of the GaSb layer with a different doping type. For n-type and p-type GaSb layers with low carrier concentrations, the measured noise is dominated by the non-resistance noise contributions from contacts. Low frequency resistance noise was identified in high-doped GaSb layers (both types). At room temperature, such resistance noise in an n-type GaSb layer is significantly larger than for p-type GaSb with comparable doping concentration.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 135-140
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB1 i HDI2
Frequency parameters of current-mode converters made in PCB1 i HDI2 technologies
Autorzy:
Lisowiec, A.
Nowakowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/186475.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technik Innowacyjnych EMAG
Tematy:
przetworniki prądowe
parametry częstotliwościowe
pomiary
current-mode converters
frequency parameter
measurements
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów oraz analizę charakterystyk częstotliwościowych przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB HDI. Najpierw omówiono konstrukcję bez-rdzeniowych przetworników wykonanych w technologii PCB HDI. Następnie określono wartości elementów układu zastępczego przetwornika bezrdzeniowego. Na koniec przytoczono charakterystyki częstotliwościowe przetworników bezrdzeniowych wykonanych w tradycyjnej technologii PCB oraz w technologii HDI.
The article presents the measurement results and analysis of frequency characteristics of current-mode converters made with the use of the PCB HDI technology. First the structure of rodless PCB HDI converters was discussed. Then the values of the elements of an equivalent circuit in a rodless converter were determined. Finally, the authors discussed the frequency characteristics of rodless converters made with the use of either the traditional PCB technology or the HDI technology.
Źródło:
Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa; 2014, R. 52, nr 5, 5; 12-17
0208-7448
Pojawia się w:
Mechanizacja i Automatyzacja Górnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies