Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "fotodetektor" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Wirtualny przyrząd pomiarowy do rejestracji sygnału dźwiękowego z zastosowaniem światła z lasera półprzewodnikowego
Virtual measuring instrument for recording sound signal with the use of semiconductor laser light
Autorzy:
Krawiecki, Z.
Gloger, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377436.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
wirtualny przyrząd pomiarowy
fotodetektor
laser półprzewodnikowy
Opis:
W artykule opisano budowę i działanie wirtualnego przyrządu pomiarowego służącego do rejestracji sygnałów dźwiękowych. Nośnikiem informacji jest modulowane falą akustyczną światło z lasera półprzewodnikowego. W pracy opisano poszczególne elementy wchodzące w skład przyrządu oraz aplikację sterującą jego działaniem. Aplikacja została napisana w środowisku programistycznym LabVIEW. Jest ona narzędziem, które może być wykorzystywane do pozyskiwania, interpretacji, odtwarzania oraz analizy sygnałów dźwiękowych. Zrealizowany etap prac potwierdzony został przykładowymi pomiarami.
This paper describes the structure and operation of a virtual measuring instrument designed to record sound signals. The light beam coming from a semiconductor laser, modulated by acoustic wave is the information carrier. All the particular elements of the instrument and the application controlling its operation are presented. The application was created in the LabVIEW software environment. It is a tool that can be used in order to obtain, interpret, play and analyze the sound signals. The achieved stage of the work has been confirmed with the selected measurements.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 79; 17-24
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-XCdXTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Characterization of mercury cadmium telluride (Hg1-XCdXTe) epitaxial layers using the manufactured photodiodes
Autorzy:
Królicka, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192118.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
epitaksja
MOCYD
detektor podczerwieni
fotodetektor
fotodioda
epitaxy
MOCVD
infrared detector
photodetector
photodiode
Opis:
Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej oraz analiza tej metody. W pierwszej kolejności otrzymane warstwy epitaksjalne poddawano procesowi technologicznemu i w ten sposób uzyskiwano gotowe fotodiody. Dokonano też pomiarów czasu trwania poszczególnych etapów procesu technologicznego. Uzyskane detektory poddawano następnie pomiarom w celu wyznaczenia ich charakterystyk prądowo-napięciowych oraz spektralnych. Na podstawie analizy tych charakterystyk oraz z wykonanych obliczeń otrzymano parametry diod, które następnie porównano z parametrami na jakie zaprojektowano heterostruktury oraz z wartościami literaturowymi. Zarówno w tym przypadku, jak i podczas przeprowadzania procesu technologicznego dążono do jak największego zminimalizowania czasu potrzebnego na wykonanie każdego etapu przy jednoczesnym zachowaniu staranności i dokładności wykonywanych czynności. Istotą postępowania było bowiem jak najszybsze uzyskanie informacji zwrotnej dotyczącej parametrów otrzymanych heterostruktur w celu porównania ich z założeniami wstępnymi i ewentualnego szybkiego skorygowania procesu epitaksji, dążąc tym samym do jego usprawnienia.
The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedures and thus complete photodiodes were fabricated. The duration of measurements of each process stage was quantified. Detectors were then measured to determine their current-voltage and spectral characteristics. On the basis of the analysis of both these characteristics and calculations, the parameters of diodes were obtained. They were subsequently compared with the parameters of designed target heterostructures and with literature values. Both here and during the process the goal was to minimize as much as possible the time needed to complete each stage, while maintaining diligence and accuracy of the performed operations. The essence was to be provided with rapid feedback concerning the parameters of the obtained heterostructures in order to compare them with the initial assumptions and, if needed to correct next epitaxy processes, aiming at their improvement.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 14-29
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Review of photodetectors characterization methods
Autorzy:
Bielecki, Zbigniew
Achtenberg, Krzysztof
Kopytko, Małgorzata
Mikołajczyk, Janusz
Wojtas, Jacek
Rogalski, Antoni
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173660.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
photodetectors
detector parameters
photodetector characteristics
measurements of detector parameters
fotodetektor
parametry detektora
charakterystyka fotodetektora
pomiary parametrów detektora
Opis:
The review includes results of analyses and research aimed at standardizing the concepts and measurement procedures associated with photodetector parameters. Photodetectors are key components that ensure the conversion of incoming optical radiation into an electrical signal in a wide variety of sophisticated optoelectronic systems and everyday devices, such as smartwatches and systems that measure the composition of the Martian atmosphere. Semiconductor detectors are presented, and they play a major role due to their excellent optical and electrical parameters as well as physical parameters, stability, and long mean time to failure. As their performance depends on the manufacturing technology and internal architecture, different types of photodetectors are described first. The following parts of the article concern metrological aspects related to their characterization. All the basic parameters have been defined, which are useful both for their users and their developers. This allows for the verification of photodetectors’ workmanship quality, the capabilities of a given technology, and, above all, suitability for a specific application and the performance of the final optoelectronic system. Experimentally validated meteorological models and equivalent diagrams, which are necessary for the correct analysis of parameter measurements, are also presented. The current state of knowledge presented in recognized scientific papers and the results of the authors’ works are described as well.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2022, 70, 2; art. no. e140534
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of laser diodes and photodetectors on multiple-quantum wells at the hot-metal pyrometry
Autorzy:
Sen'kov, A. G.
Firago, V. A.
Kononenko, V. K.
Christol, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153735.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
pyrometry
spectroreflectometry
near-infrared range
photodetector
laser diode
methodical error
pirometria
spektroreflektometria
zakres bliskiej podczerwieni
fotodetektor
dioda laserowa
pomyłka metodyczna
Opis:
In the paper, the method of relative spectroreflectometry at using the infrared photodetectors with a wide diapason of the spectral photosensitivity is suggested. Methodical errors at exponential and power dependencies of the emissivity of an object on the wavelength are analysed. Possible design of a pyrometer for measurements of temperature of hot metals is described and attractiveness of quantum-well laser diodes and superlattice photodetectors based on the GaSb compounds is discussed.
W pracy zaproponowano metodę spektrofotometrii porównawczej z wykorzystaniem fotodetektorów podczerwieni o szerokim zakresie czułości spektralnej. Określono błędy systematyczne związane z wykładniczą i kątową zależnością od długości fali i współczynnika emisyjności obiektów. Przedstawiono jedną z możliwych konstrukcji pirometru do pomiaru rozgrzanych metali. Dyskutuje się również możliwość zastosowania diod laserowych o rozmiarach kwantowych oraz fotodetektorów zbudowanych w oparciu o złącza GaSb.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 597-600
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies