- Tytuł:
-
Elektronowe zjawiska zachodzące przy powierzchni półprzewodników oraz ich interpretacja dla różnych obszarów ładunku przestrzennego
Electronic structure of semiconductor surfaces and its interpretation in different cases - Autorzy:
-
Wojas, W.
Wojas, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/209661.pdf
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
- Tematy:
-
fizyka ciała stałego
inżynieria powierzchni
fizyka półprzewodników
solid-state physics
surface engineering
semiconductor physics - Opis:
-
W pracy dokonano omówienia istotnych dla fizyki ciała stałego wielkości i parametrów fizykalnych związanych z powierzchniami ciał stałych, a mianowicie gęstości stanów powierzchniowych, ładunku elektrycznego w warstwach przypowierzchniowych, zmian potencjałów w tych warstwach i potencjałów na powierzchni. Rozpatrzono wygięcia pasm i przebiegi barier potencjału, również w przypadkach istnienia barier Schotky’ego. Do matematycznego opisu różniących się kształtów barier zastosowano równania Poissona. Wykonano przykładowe obliczenia grubości warstwprzypowierzchniowych w metalu i półprzewodniku.
The paper reports important parameters which are related to the surface of solids, namely: densities of the occupied electron states in surface-charge regions and potentials of surface monolayers. The band-bending and shapes of potential distribution in a surface-charge region were considered including the shapes of the Schottky barrier. For mathematical presentation of different surface barriers, the Poisson’s equations are used. An individual calculation of the surface-layer width for metal and semiconductor was made. - Źródło:
-
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2007, 56, 3; 21-45
1234-5865 - Pojawia się w:
- Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł