Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "epitaxial growth" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Modelling of thin Si layers growth on partially masked Si substrate
    Autorzy:
    Gułkowski, S.
    Olchowik, J.M.
    Jóźwik, I.
    Moskvin, P.P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933182.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    epitaxial lateral overgrowth
    liquid-phase epitaxial growth
    computer simulations
    Opis:
    This paper presents a numerical simulation of epitaxial lateral overgrowth of silicon layers from the liquid phase of an Sn solvent. A two-dimensional diffusion equation has been solved and the concentration profiles of Si in a Si-Sn rich solution during the growth have been constructed. The epilayer thickness and width have been obtained from the concentration near the interface.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2008, 12, 1-2; 121-126
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of the interface evolution during Si layer growth on a partially masked substrate
    Autorzy:
    Gulkowski, S.
    Olchowik, J.
    Cieślak, K.
    Moskvin, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1934033.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    epitaxial lateral overgrowth
    liquid-phase epitaxial growth
    computer simulations
    Opis:
    High-quality thin Si layers obtained from the solution by epitaxial lateral overgrowth (ELO) can play a crucial role in photovoltaic applications. The laterally overgrown parts of the layer are characterized by a lower dislocation density than that of the substrate. The height and width of the layer depend on several factors, such as the technological conditions of liquid phase expitaxy (LPE), growth temperature, cooling rate and the geometry of the system (mask filling factor). Therefore, it is crucial to find the optimal set of technological parameters in order to obtain very thin structures with a maximum width (high aspect ratio). This paper presents a computational study of Si epilayer growth on a line-pattern masked silicon substrate from Si-Sn rich solution. To solve this problem, a mixed Eulerian-Lagrangian approach was applied. The concentration profile was calculated by solving the two-dimensional diffusion equation with appropriate boundary conditions. The growth velocity was determined on the basis of gradients of concentration in the border of the interface. Si interface evolution from the opened window was demonstrated.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2011, 15, 1; 91-98
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Computer implementation of mass transport in Matlab environment for modeling Epitaxial growth process with moving boundary problem
    Autorzy:
    Gulkowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1940715.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska
    Tematy:
    moving boundary problem
    computational modeling
    epitaxial growth
    Opis:
    Due to the possibility of producing high quality and low cost silicon substrates the Epitaxial Lateral Overgrowth technology may find its application in the photovoltaic industry. However, a lateral growth process depends on many technological parameters such as the temperature of the system, the cooling rate, the solvent or the geometry of the mask. For this reason finding optimized settings for these factors in experimental research is difficult and time consuming. Numerical analysis of the growth process leads to better understanding of the fundamentals of the growth process. For this reason a computational model of epitaxial growth was proposed. This paper focuses on the accuracy of the numerical solution of the mass transport process during epitaxial growth. The method was implemented in the Matlab environment for the moving boundary application. The results of the calculations are presented.
    Źródło:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk; 2015, 19, 1; 15-23
    1428-6394
    Pojawia się w:
    TASK Quarterly. Scientific Bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    On prognosis of variation of properties of epitaxial layers by choosing of temperature field during growth
    Przewidywanie zmian własności epitaksjalnych warstw poprzez dobór pola temperatury podczas wzrostu
    Autorzy:
    Pankratov, E.L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/29520278.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    epitaxial growth
    epitaxial layer
    properties
    homogeneity of properties
    wzrost epitaksjalny
    warstwa epitaksjalna
    właściwości
    Opis:
    In this paper, we analyze the influence of the temperature of growth of epitaxial layers during their growth. Conditions are formulated under which the homogeneity of the properties of the epitaxial layers increases. An analytical approach for the analysis of mass and heat transfer is proposed, allowing at the same time to take into account changes in the parameters of processes both in space and in time, as well as nonlinearity of these processes.
    W artykule opisano analizę wpływu temperatury na wzrost epitaksjalnych warstw w procesie technologicznym. Sformułowano szereg warunków dla poprawy jednorodności badanych warstw. Wprowadzono analityczne rozwiązanie dla równania transportu masy i ciepła. To rozwiązanie umożliwiło uwzględnienie zmian parametrów procesu zarówno w przestrzeni jak i w czasie. Ponadto przeprowadzone rozwiązanie pozwoliło na uwzględnienie nieliniowości badanego procesu.
    Źródło:
    Computer Methods in Materials Science; 2020, 20, 1; 1-6
    2720-4081
    2720-3948
    Pojawia się w:
    Computer Methods in Materials Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth and properties of ZnO films grown using pa-movpe with DMZn and N2O
    Autorzy:
    Nakano, T.
    Nishimoto, K.
    Sumiya, M.
    Fuke, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/385163.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    ZnO
    PA-MOVPE
    epitaxial growth
    DMZn
    N2O
    temperature modulation growth
    Opis:
    ZnO films were grown by plasma-assisted metal organic vapor phase epitaxy (PA-MOVPE) using dimethylzinc (DMZn) and N O gases. The crystallinity and surface morphology of ZnO films were investigated using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. The crystallinity of ZnO improved (a) when the N2O flow rate was increased, because vapor phase reaction was suppressed while surface migration was enhanced, and (b) when the growth temperature was increased, because surface diffusion was enhanced. In the PA-MOVPE method with N2O gases and DMZn, both the N2O flow rate and crystal growth temperature strongly affected the crystallinity of ZnO films.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2009, 3, 4; 124-126
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies