Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "enhancement mode" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    A Monte Carlo study on dose enhancement and photon contamination production by various nanoparticles in electron mode of a medical linac
    Autorzy:
    Bahreyni Toossi, M. T.
    Ghorbani, M.
    Sobhkhiz Sabet, L.
    Akbari, F.
    Mehrpouyan, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/146518.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    dose enhancement
    electron mode
    Monte Carlo
    nanoparticles
    photon contamination
    Opis:
    The aim of this study is the evaluation of electron dose enhancement and photon contamination production by various nanoparticles in the electron mode of a medical linac. MCNPX Monte Carlo code was used for simulation of Siemens Primus linac as well as a phantom and a tumor loaded with nanoparticles. Electron dose enhancement by Au, Ag, I and Fe2O3 nanoparticles of 7, 18 and 30 mg/ml concentrations for 8, 12 and 14 MeV electrons was calculated. The increase in photon contamination due to the presence of the nanoparticles was evaluated as well. The above effects were evaluated for 500 keV and 10 keV energy cut-offs defined for electrons and photons. For 500 keV energy cut-off, there was no significant electron dose enhancement. However, for 10 keV energy cut-off, a maximum electron dose enhancement factor of 1.08 was observed for 30 mg/ml of gold nanoparticles with 8 MeV electrons. An increase in photon contamination due to nanoparticles was also observed which existed mainly inside the tumor. A maximum photon dose increase factor of 1.07 was observed inside the tumor with Au nanoparticles. Nanoparticles can be used for the enhancement of electron dose in the electron mode of a linac. Lower energy electron beams, and nanoparticles with higher atomic number, can be of greater benefi t in this field. Photons originating from nanoparticles will increase the photon dose inside the tumor, and will be an additional advantage of the use of nanoparticles in radiotherapy with electron beams.
    Źródło:
    Nukleonika; 2015, 60, No. 3, part 1; 489-496
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
    Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/269112.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    azotek galu
    GaN
    E-HEMT
    przekształtnik obniżający
    napięcie
    straty mocy
    gallium nitride
    enhancement mode
    high electron mobility transistor E-HEMT
    DC/DC converters
    power losses
    Opis:
    Tematem artykułu są badania wysokonapięciowego tranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnika obniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótką charakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych, a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażu powierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problem chłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanie porównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, że zaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niż zalecany przez producenta. W głównej części opracowania zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika. Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającego o częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzono możliwość budowania wysokosprawnych przekształtników z tranzystorami GaN.
    In this paper a brief description of wide-bandgap semiconductors is given. Particularly, advantages of a 650 V GaN EHEMT transistor GS66508P-E03 are shown. This power switch is experimentally evaluated in a synchronous buck with two transistors in a half bridge configuration. The experimental results show that GaN transistors have very low total losses even when operating at high frequencies. The efficiency over 92% is achieved at the frequency of 200 kHz with 5 A output current and output power at a rate of 310 W. Additionally, in this work two different cooling systems for surface mounted transistor are compared. In a prototype for thermal evaluation one transistor has the cooling system with thermal vias through the PCB and alternatively the second one has the cooling system with the copper stud. The proposed cooling system with the copper stud is proven to have the twice smaller thermal resistance than the system with thermal vias. Another advantage is that in the same conditions the transistor is cooler and has lower on-resistance, what decreases the power losses.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 47; 31-34
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Speech Enhancement Using Sliding Window Empirical Mode Decomposition and Hurst-based Technique
    Autorzy:
    Poovarasan, Selvaraj
    Chandra, Eswaran
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/176311.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
    Tematy:
    speech enhancement
    Empirical Mode Decomposition
    EMD
    Intrinsic Mode Functions
    hurst exponent
    Sliding Window
    SW
    Opis:
    The most challenging in speech enhancement technique is tracking non-stationary noises for long speech segments and low Signal-to-Noise Ratio (SNR). Different speech enhancement techniques have been proposed but, those techniques were inaccurate in tracking highly non-stationary noises. As a result, Empirical Mode Decomposition and Hurst-based (EMDH) approach is proposed to enhance the signals corrupted by non-stationary acoustic noises. Hurst exponent statistics was adopted for identifying and selecting the set of Intrinsic Mode Functions (IMF) that are most affected by the noise components. Moreover, the speech signal was reconstructed by considering the least corrupted IMF. Though it increases SNR, the time and resource consumption were high. Also, it requires a significant improvement under nonstationary noise scenario. Hence, in this article, EMDH approach is enhanced by using Sliding Window (SW) technique. In this SWEMDH approach, the computation of EMD is performed based on the small and sliding window along with the time axis. The sliding window depends on the signal frequency band. The possible discontinuities in IMF between windows are prevented by the total number of modes and the number of sifting iterations that should be set a priori. For each module, the number of lifting iterations is determined by decomposition of many signal windows by standard algorithm and calculating the average number of sifting steps for each module. Based on this approach, the time complexity is reduced significantly with suitable quality of decomposition. Finally, the experimental results show the considerable improvements in speech enhancement under non-stationary noise environments.
    Źródło:
    Archives of Acoustics; 2019, 44, 3; 429-437
    0137-5075
    Pojawia się w:
    Archives of Acoustics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies