Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "emission gate" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Methods of evaluating the exhaust emissions from driving vehicles
Autorzy:
Rymaniak, Łukasz
Daszkiewicz, Paweł
Merkisz, Jerzy
Kamińska, Michalina
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/133931.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Naukowe Silników Spalinowych
Tematy:
emission gate
net emission factor
Real Driving Emissions
współczynnik emisji spalin
rzeczywiste emisje z jazdy
Opis:
The type approval tests of vehicles with internal combustion engines increasingly include issues regarding the assessment of ecological indicators in real traffic conditions. This is done with the help of specialized equipment from the PEMS (Portable Emissions Measurement Systems) group. This requires not only a series of test procedures, but also assembly of technically advanced equipment along with the proper preparation of the vehicle's exhaust system. Currently, activities are being carried out to develop solutions for non-invasive assessment of ecological indicators from moving vehicles. The article discusses these types of solutions, at the same time indicating their strengths and weaknesses. Also presented are pollutant emission tests in real operating conditions that will be used to develop a modular exhaust emission gateway. The result of the analysis was to indicate the development directions of methods for exhaust emission assessment from vehicles in motion.
Źródło:
Combustion Engines; 2019, 58, 4; 286-291
2300-9896
2658-1442
Pojawia się w:
Combustion Engines
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preliminary design and simulation of a spherical brain PET system (SBPET) with liquid xenon as scintillator
Autorzy:
Moghaddam, N. M.
Karimian, A.
Mostajaboddavati, S. M.
Vondervoort, E.
Sossi, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146444.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
positron emission tomography (PET)
Monte Carlo simulation
GATE
liquid xenon
brain imaging
Opis:
Preliminary design of a spherical brain PET (SBPET) using liquid xenon (LXe) as detector is considered in this research work. The major advantage of a spherical design is the large solid angle of acceptance which improves the sensitivity and increases signal-to-noise ratio (SNR) of the image. The use of a liquid active medium enabled us to design a spherical detector. LXe, due to the intrinsic physical properties, is an excellent liquid medium for accurate tracking of gamma rays in the relevant energy range. The performance of SBPET was evaluated by Monte Carlo simulation tools (GATE) and compared to ECAT HRRT. The numerical results showed the SBPET has a sensitivity of 1.14% and spatial resolution of ~2.7 mm FWHM which is superior to ECAT HRRT especially at high-count rates.
Źródło:
Nukleonika; 2009, 54, 1; 33-38
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies